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Fターム[4M104DD21]の内容

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【課題】 膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板P上に、第1の材料M1と第2の材料M2とを積層しバンク膜Mを形成し、バンク膜Mをパターニングして、第1のバンクB1と第2のバンクB2とが積層されてなるバンクBを形成する。そして、バンクBによって区画されたパターン形成領域ARに、機能液Lを配置して、第1のバンクB1の高さ以下の膜厚を有した膜パターンF1を形成する。その後、膜パターンF1、及びバンクBの上面を含む基板Pの全面に、バリアメタル層F2を成膜する。バリアメタル層F2の成膜後、リフトオフ法により、第2のバンクB2とともに第2のバンクB2上のバリアメタル層F2を除去し、導電膜パターンFを形成する。 (もっと読む)


【課題】CVD法において、500℃未満の低い成膜温度でも異常成長のない良質の金属窒化膜を成膜することが可能な成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜温度に加熱された被処理基板に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してCVDにより被処理基板上に金属窒化膜を直接堆積させる期間を含む第1段階と、同様に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してCVDにより前記第1段階で堆積された初期の金属窒化膜の上にさらに金属窒化膜を堆積させて所定の膜厚とする第2段階とを含み、前記第1段階および前記第2段階ともに、前記金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給する第1ステップと、前記金属化合物ガスを停止して前記窒素含有還元ガスを供給する第2ステップとからなるサイクルを1サイクル以上繰り返す。 (もっと読む)


【課題】 幅の異なる領域を有するパターン形成領域に機能液を配置するに際し、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした、バンク構造体、膜パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液が配置され流動するパターン形成領域Pをバンク34により区画するバンク構造1である。パターン形成領域Pは、第一のパターン形成領域56と、第一のパターン形成領域56に連続し、かつ第一のパターン形成領域56より幅が広い第二のパターン形成領域55とからなり、第二のパターン形成領域55には、第二のパターン形成領域55を仕切って機能液の流動方向を規制する仕切りバンク34aが少なくとも一つ設けられ、仕切りバンク34aによって規制された機能液の流動方向と略直交する方向の仕切り幅Hが、第一のパターン形成領域56の幅H2の±20%以内に形成されてなる。 (もっと読む)


【課題】 製造工程を簡略化して生産性を向上したTFTの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板P上に、ゲート電極80の形成領域に対応する第1バンクの前駆体BP1をポリシラザン液によって形成する工程と、前駆体BP1上の所定位置に、ソース電極およびドレイン電極の形成領域に対応する第2バンクの前駆体BP2を、ポリシラザン液を液滴吐出法で配置することによって形成する工程と、前駆体BP1と前駆体BP2とを共に焼成処理し、ポリシロキサンを骨格とする無機質層からなる第1バンクB1と第2バンクB2とを共に形成する工程と、前駆体BP1又は第1バンクB1によって区画された領域にゲート電極80を形成する工程と、ゲート電極80の直上部に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、第2バンクB2によって区画された領域にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 配線幅の異なる配線パターンにおける膜厚さを無くした、バンク構造体、膜パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液Lが配置されるパターン形成領域Pを区画するバンク構造1である。パターン形成領域Pは、第1パターン形成領域55と、第1パターン形成領域55に接続され、かつ第1パターン形成領域55よりも幅の狭い第2パターン形成領域56とを備えてなる。第2パターン形成領域56を区画するバンク34bの内側面部56bにおける高さは、第1パターン形成領域55を区画するバンク34aの内側面部55aにおける高さよりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】無電解ニッケルめっきの異常析出の発生が充分なレベルまで低減された、無電解ニッケルめっき用前処理液を提供すること。
【解決手段】分子内に硫黄原子を含んだ複素環式化合物と有機溶剤とを含有する無電解ニッケルめっき用前処理液であって、前記複素環式化合物は、その濃度が前記無電解ニッケルめっき用前処理液の全容量基準で0.0005〜3g/Lであり、前記複素環式化合物の濃度をM(g/L)としたときに、前記有機溶剤は、その濃度が前記無電解ニッケルめっき用前処理液の全容量基準で5×M〜5000×MmL/Lである、無電解ニッケルめっき用前処理液。 (もっと読む)


本発明は、下部電極をフォトマスクに利用して、絶縁膜上に下部電極と概ね同一パターン形状の撥液領域と概ね反転パターン形状の親液領域を形成して、親液領域内に導電性インクを塗布焼成して、下部電極に対して概ね反転パターン形状の上部電極を自己整合して形成するため、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。このため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板などの半導体装置が印刷法を用いて形成できる。
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【課題】複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与する。
【解決手段】機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板P上に上記パターンの形成領域に応じたバンクBを形成する工程と、上記バンク間34に第1の機能液X1を配置する工程と、配置された上記第1の機能液X1上に第2の機能液X2を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第1の機能液X1と上記第2の機能液X2とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターン33を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に親インク性と疎インク性の部分を設け、親インク性部分にインクによるパターン形成前駆体を正確な形状に形成する方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、パターン形成材料が優先的に堆積される表面特性を有する第1の領域と、前記第1の領域に比較して前記パターン形成材料が堆積されにくい表面特性を有する第2の領域を形成する工程と、前記基材に対して、前記パターン形成材料を付与し、前記第1の領域にその材料を選択的に堆積させる工程と、前記パターン形成材料に対し相溶性の低い第2の材料を堆積させる工程とによって、図1(E)の形状を有するパターン形成前駆体を図1(F)の形状とするパターン形成法である。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、簡単なプロセスで信頼性の向上が図れる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、(a)基板10の所定領域に粗化領域24を形成すること、(b)少なくとも粗化領域24の上方に界面活性剤層28を形成すること、(c)粗化領域24の上方であって、界面活性剤層28の上方に触媒層34を形成すること、(d)触媒層34の上方に金属層36を析出させること、を含む。 (もっと読む)


【課題】配線幅が異なるパターンを接続した薄膜配線パターンにおける膜厚の段差を解消して上層に成膜する絶縁層のカバレッジ不良を低減し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】電極部8aと絞り部8bの配線パターンの幅W0を同一の10μmとし、これを基準パターンとする。配線部8dは10μmの基準パターンをゲート配線の延在方向(図の横方向)に長手方向をもつ如く2本を並列にして実効的なパターン幅を20μmとする。端子部8cは、同じく5本の基準パターンをゲート配線の延在方向に長手方向をもつ如く並列に形成して実効的なパターン幅を50μmとする。そして、端子部8cと配線部8dとの接続部分、および絞り部8bと配線部8dとの接続部分は基準パターンを図の縦方向に配置する。端子部8c、配線部8d、電極部8a、絞り部8b、およびそれらの接続部を同一幅W0のパターンとする。 (もっと読む)


【課題】 互いに接続されたインク領域においてインク領域間のインクの流れ出しを防止したインク吐出パターンを提供する。
【解決手段】 基板上に形成されるインクを吐出すべき第であって、互いに接続して形成される第1のパターン形成部10であって、それぞれライン状の太線部11と細線部12とを有する第1のパターン形成部10において、太線部11と細線部12との間に、太線部11との接続部における幅が太線部11よりも狭いと共に、細線部12との接続部における幅が細線部12よりも狭い、液滴流動阻止部13を設けている。 (もっと読む)


【課題】手短で、高速であり、経済的に微細回路配線を形成することができる基板の表面処理方法、配線形成方法、配線形成装置及び配線基板が提示される。
【解決手段】本発明による基板の配線形成方法は、アルカリ金属化合物を含む表面処理液を吐出方式にてベースフィルム上の配線パターンに応じて選択的に吐出させる基板の表面処理段階、表面処理された配線に応じて金属ナノ粒子を含む導電性インクを吐出させる導電性インクの吐出段階、及び導電性インクが吐出されたベースフィルムを還元性雰囲気中で焼成させる焼成段階を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的の1つは、パターニング精度の向上を図ることができる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、基板10の同一面の少なくとも第1及び第2のパターン領域12,14の上方に、界面活性剤層、触媒層及び金属層を形成することを含み、第1のパターン領域12の上方には、光照射によるパターニングにより第1の界面活性剤層20が形成され、第2のパターン領域14の上方には、光照射によるパターニングにより第2の界面活性剤層60が形成され、第1の界面活性剤層10を形成するときの光の照射条件は、第2の界面活性剤層60を形成するときの光の照射条件と異なる。 (もっと読む)


【課題】高解像度、特にパターン間の短絡の発生を抑制するパターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14からなるパターンを形成する孔版印刷法において、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の非開口部10bに第二のインキ12を塗布した後、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12を基材上に塗布し、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12からなるパターンを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的の1つは、パターン精度の向上が図れるめっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、(a)遮光層12が形成された第1の基板10の上方に界面活性剤層14を形成すること、(b)第1の基板10の遮光層12以外の領域を透過する光24を、第1の基板10に対して界面活性剤層14が形成された側とは反対側から照射し、界面活性剤層14をパターニングすること、(c)界面活性剤層30を第1の基板10から第2の基板20に転写すること、(d)界面活性剤層30の上方に触媒層32を形成し、触媒層32の上方に金属層34を析出させること、を含む。 (もっと読む)


【課題】金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき方法は、第1の極性を示し、且つ、少なくとも第1及び第2のパターン領域12,14を有する基板10であって、該基板10の該第1及び第2のパターン領域12,14の上方に、金属層を形成することを含み、(a)第1のパターン領域12の上方に、第2の極性を示す第1の界面活性剤層20を形成し、(b)少なくとも第2のパターン領域14の上方に、第1の界面活性剤層20と同一極性であって、該第1の界面活性剤層20が示す前記第1の極性の絶対値と比して小さい値を有する第2の界面活性剤層22を形成し、(c)第1及び第2の界面活性剤層20,22の上方に触媒層40を形成し、(d)触媒層40の上方に金属層を析出させる。 (もっと読む)


【課題】 断線等の不具合の発生を抑制し、CMP工程に要する時間を適正な範囲に抑え、めっき工程終了時点及びCMP工程で十分な平坦化ができ、余剰な金属を余すことなく除去でき、シード層、バリア層、絶縁層等の間に剥離を生じることなく、且つディシングやエロージョンを生じることもないような金属めっき膜を電解めっきにより基板に形成して基板配線を形成する基板配線形成方法、装置,及びめっき抑制物質転写スタンプを提供すること。
【解決手段】 基板10に形成された配線溝やコンタクトホール等の凹部11を電解めっきにより銅13で埋め込み配線を形成する基板配線形成方法において、基板の凹部11内表面を除く該基板10の最表面にめっきを抑制するめっき抑制物質(インク4)を付着させる工程、電解めっきを行う工程、めっき抑制物質(インク4)を離脱させる工程、さらに電解めっきを行う工程を備えた。 (もっと読む)


【課題】 製造プロセスにおける半導体層の熱的制限の影響が少なく、低コスト化に有利な画素構造を提供する。
【解決手段】 画素構造は、画素電極20と、この画素電極20に対応するスイッチング素子10とを有する。画素電極20とスイッチング素子10とが同一の基板P上に形成されており、スイッチング素子10における半導体層11に比べて基板P側の層(第1層L1)に画素電極20が配されている。 (もっと読む)


【課題】 コストを抑えつつ、簡易な工程で微細な配線を形成することが可能な配線形成技術を提供する。
【解決手段】 基板210の上に第1絶縁膜220を形成した後(図3(a)参照)、該基板210の全面に、絶縁性材料を塗布し、ベーク・アニール処理を施すことにより、第2絶縁膜240を形成する。ここで、第1絶縁膜220の端部eを覆う第2絶縁膜240の膜厚D2は、他の部分の膜厚D3に較べて薄い。かかる膜厚差(D3−D2)によって生じる膜の収縮度合いの違いにより、第1絶縁膜220の端部eの直上に位置する第2絶縁膜240にスリットST1が形成される(図3(b)参照)。このように形成したスリットST1に配線材料を適当量塗布し、乾燥・焼成等することにより、スリットST1に配線250を形成する。 (もっと読む)


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