【課題】電極と半導体基板が良好にオーミック接合している半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の電極形成面に、単原子の金属イオンを注入するイオン注入工程と、金属イオンが注入された半導体基板をアニール処理して半導体基板にシリサイド層を形成するアニール工程と、アニール工程の後に、半導体基板の電極形成面に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、製造されるショットキーダイオード間の電気特性のばらつきを抑制できる構造を有するショットキーダイオードとその製造方法を提供する。
【解決手段】本明細書が開示するショットキーダイオード１０は、半導体基板１２（Ｎ型拡散層１６）の表面及びその表面より内側の所定範囲にＡｌイオンを注入して金属イオン注入層１８を形成するとともに、Ｎ型拡散層１６と金属イオン注入層１８とをショットキー接合させ、その後、金属イオン注入層１８の表面に金属層２２を形成することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】処理後の被処理物上に形成される余剰金属からなる層の厚さを最小限の厚さにすることができるとともに、被処理物上に開口するように形成された微小空間（ビア，貫通孔）に溶融金属を充填することのできる金属充填装置を提供する。
【解決手段】金属充填装置１は、半導体ウェハを保持する保持台Ｈ、保持台Ｈに対向して設けられ、保持面Ｈに対向する側に金属から構成される押付部が形成されたピストンＰを備え、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫに対してピストンＰを押付可能に設けられた押付機構５などを備えてなり、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成される。また、処理室２内の気体を排気して、当該処理室２内を減圧する減圧機構３、処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構４、処理室２内に不活性ガスを供給する加圧ガス供給機構７などを備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性素子の製造方法は、導電性高分子および溶媒を含む導電性組成物を、複数の微細構造体が形成されたモールドの成形面に塗布または印刷する工程と、モールドの成形面に塗布または印刷された導電性組成物に含まれる溶媒を除去し、導電層を形成する工程と、導電層に基体を貼り合わせる工程と、基体が貼り合わされた導電層をモールドの成形面から剥離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗特性を有するセルストリングの製造方法及びこれを含む不揮発性メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置の製造方法は、半導体基板上に多数の層間絶縁膜、犠牲膜、及び半導体パターンを形成し、多数の層間絶縁膜及び犠牲膜は半導体基板と平行な第１方向に形成し、多数の半導体パターンは半導体基板に垂直である第２方向に形成し、多数の層間絶縁膜及び犠牲膜をパターニングして多数の開口部を形成し、多数の開口部を金属で満たし、多数の開口部に金属が満たされた半導体基板をアニーリングする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の製造コストの低減を図る。
【解決手段】電界効果型の薄膜トランジスタを備える液晶表示装置であって、薄膜トランジスタの半導体層に、インジウムを材料に含む透明アモルファス酸化物半導体が用いられ、半導体層は、ソース電極およびドレイン電極並びにそれらの電極線として必要な領域を含む形状に形成され、半導体層に積層されるソース・ドレイン層に、インジウムを含む金属薄膜が用いられ、ソース・ドレイン層に積層される絶縁層に、窒化珪素による絶縁膜が用いられ、薄膜トランジスタのチャネル部が、絶縁層とソース・ドレイン層とに設けられた開口部によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸構造を有するスタンパー１の表面上に、導電体層２を剥離可能に形成し、スタンパー１上の導電体層２と、硬化性材料４とを接触させ、その状態で硬化性材料４を硬化させて、微細な凹凸構造を有する凹凸基層５を形成するとともに、凹凸基層５と導電体層２とを接着し、スタンパー１と、凹凸基層５に接着された導電体層２とを分離し、もって凹凸基層５上に導電体層２を転写して形成し、このようにして、微細な凹凸構造を有する電極構造体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板主面に配線を形成する配線形成技術において、微細かつアスペクト比の制御された配線を高いスループットで形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ステージ１０上に載置した基板Ｗの上部にワイヤＣＷをクランプしたガイドクランプ３３を通過させ、端部クランプ１３で押さえることにより、基板主面に沿ってワイヤＣＷを張り渡す。余分なワイヤをカッタ１４で切断し、ワイヤＣＷに直交するように導電性ペーストＰを塗布することでワイヤを固定する。その後、基板をベーク処理することにより、ワイヤＣＷ表面の低融点金属が融解して基板Ｗに固着するとともに、導電性ペーストＰが焼成される。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、ＧＯが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、ＧＯを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのＧＯを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。このように、グラフェン構造体は、基板上にグラフェンが設けられてなり、且つ、基板における親水処理の部位とグラフェン、及び／又は、基板における疎水処理の部位以外の部位とグラフェンとの間に、親水処理による結合が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】より簡易な方法で微細かつ平坦性に優れるパターン化膜を実現するためのパターン化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】パターン化膜の形成方法は、第１の基板２１上に被転写膜６０を形成する工程と、第２の基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する工程と、濡れ性変化層３０に低表面エネルギー部位と高表面エネルギー部位とを形成する工程と、第１の基板２１上に形成された被転写膜６０を、濡れ性変化層３０が形成された第２の基板２０に押し当てる工程と、第２の基板２０から第１の基板２１を剥離して濡れ性変化層３０の高表面エネルギー部位４０のみに選択的に被転写膜６０を転写してパターン化膜６０ａを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高誘電体絶縁膜及びメタルゲート電極を有する半導体装置において、高仕事関数を得ると共にＮＢＴＩ信頼性劣化を低減する。
【解決手段】半導体装置１００において、基板１０１上に、高誘電体ゲート絶縁膜１０９を介してメタルゲート電極１１０が形成されている。高誘電体ゲート絶縁膜１０９とメタルゲート電極１１０との界面におけるメタルゲート電極１１０の側に、ハロゲン元素が偏析している。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とのコンタクトを形成する方法、とくに太陽電池とのコンタクトを形成するのに適し、少ない労力でできるだけ高い接触品質が得られる方法を提供する。
【解決手段】基板（１０）の表面上に金属種晶構造（２６）をＬＩＦＴプロセスによって生成してコンタクトを形成する。その後種晶構造（２６）を強化する（２８）。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】導電性材料の利用効率が良好なパターン形成層を効率よく形成でき、該パターン形成層とオーバーコート層をフレキシブルフィルム基板に転写可能な転写用紙及び該転写用紙の製造方法、並びに該転写用紙を用いた機能性薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】原紙面上に遅水性再湿糊層と速水溶性再湿糊層とを含む転写用紙基材上に、分散安定剤で表面が被覆された金属微粒子、高分子成分、及び分散安定剤を捕捉可能な化合物を含有するパターン形成層用液を付与してパターン形成層を形成するパターン形成層形成工程と、前記パターン形成層が形成された転写用紙基材を加熱する加熱工程と、前記パターン形成層上にオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程とを含む転写用紙の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】隔壁パターンの段差によって半導体層をパターニングする方法を、印刷法を用いてソース電極およびドレイン電極を形成するボトムゲート・トップコンタクト型の有機ＴＦＴの作製に適用して作製可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に形成された島パターン５、島パターン５の上部に延設されたゲート電極７、ゲート電極７を覆う状態で基板３上に設けられたゲート絶縁膜９、島パターン５を内包する形状の開口部１１ａを有してゲート絶縁膜７上に設けられた隔壁パターン１１、開口部１１ａの底面を覆う形状に分断して設けられた半導体層１３、島パターン５の上部における半導体層１３上に設けられたソース電極１５ｓおよびドレイン電極１５ｄを備えた半導体装置１である。 （もっと読む）