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Fターム[4M104DD39]の内容

半導体の電極 (138,591) | 製造方法(特徴のあるもの) (30,582) | 電極材料の析出 (10,624) | PVD (4,537) | スパッタ (3,176) | 装置 (335)

Fターム[4M104DD39]に分類される特許

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【課題】高い歩留まりを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板11上の絶縁層13に形成された第1の凹部14および第1の凹部14よりも幅が狭い第2の凹部15に、基板11を銅が流動可能なリフロー温度に加熱した状態で、第1の銅膜21を形成する工程を備えている。また、前記半導体装置の製造方法は、第1の銅膜21上に、不純物濃度が第1の銅膜21よりも高い第2の銅膜22を、第1の銅膜21の形成時よりも流動性が小さい状態で形成する工程を備えている。 (もっと読む)


【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー13は、一端部が基板支持面45に導通する接地軸53の他端部に接続され、接地軸53を接地電位に切替えるリレー回路61と、接地軸53の一端部のキャップを基板支持面45に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね59と、接地軸53の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね59の付勢方向に伸縮するベローズ57と、圧縮コイルばね59の付勢方向で狭持されるOリング63とを備えている。この構成により、接地軸53が熱膨張しても基板支持面45との導通を確保できる。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】中間層の形成時に、第2コイル46および第3コイル61によってターゲット53と基体11との間に磁力線M1が通るように磁場を発生させることによって、溝部12の内壁面に均一な厚みで中間層を成膜することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なW膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された2つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース22を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるArイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のDC電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、W膜に取り込まれる反射Arの含有量を小さくすることによりW膜の低抵抗化を実現する。 (もっと読む)


【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置SMは、真空チャンバ1と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Wを吸着する静電チャック3を有するステージ2と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも2個のスパッタリングカソードCと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段4とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板5を更に備える。 (もっと読む)


【課題】銅めっき工程の電極に用いるCu堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、貫通孔が形成された基板34Bおよび銅放出源35Bを格納する真空チャンバ30と、真空チャンバ30内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ36と、基板34Bに印加する電力を発生する電源80と、基板34Bおよび銅放出源35B間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源35Bから放出された銅材料を基板34Bの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホール内に良好にAl膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するESC電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に3段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のAl膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のAl膜上に第二のAl膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板17は、ターゲットに臨む上面側17aが、ステージ13に近接する位置である内周縁17cから、少なくとも上部防着板の下端16Eに重なる位置まで平坦面31で構成されている。こうした平坦面31は、例えば、水平面に対する角度θが5°〜20°の範囲で、内周縁17cからチャンバ11の内周面(側壁)11aに向かって広がる傾斜面であればよい。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層11と層間絶縁膜12とが順に形成され、層間絶縁膜12にトレンチ溝13とトレンチ溝13中に配線層11に達するビア孔14とが形成され、トレンチ溝13内、ビア孔14内および層間絶縁膜12上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜15が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔14の底部の金属膜15をエッチングするとともに、トレンチ溝13の底部および側壁とビア孔14の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜16が成膜されて、さらに、ビア孔14の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔14とトレンチ溝13とを導電性材料17aで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 (もっと読む)


【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、p型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽31内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物1が配置された状態で、真空槽31内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が1/20以上3/7以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物1を300℃以上800℃以下に加熱する(第一のアニール工程)。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽31内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物1を300℃以上800℃以下に加熱する(第二のアニール工程)。 (もっと読む)


【課題】トレンチおよび/またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの利用効率を向上させることができるスパッタ装置およびスパッタ方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタ装置は、底面がウェハ基板と対向配置可能なターゲットと、ターゲットの上面に対向配置され、磁界を形成する磁石を含んだ磁界形成部と、ターゲットと磁界形成部との間隔を維持させつつ、磁界形成部にターゲットのウェハ基板と対向する面における中心点の周りを周回させながら、当該中心点から磁界形成部における所定の基準点までの距離を変化させる機構と、ウェハ基板を所定の位置に配置可能なウェハ保持部とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも1つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】成膜時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】スパッタ室1aで基板Sと共に配置される長手のターゲット41と、ターゲットのスパッタ面側を上とし、ターゲット下側に配置されてターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニット5と、ターゲットの長手方向をX方向、このX方向に直交するターゲットの幅方向をY方向とし、磁石ユニットを所定の起点から、X方向及びY方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段6とを備える。1サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる領域での磁場強度を局所的に低下させる磁気シャント7を設け、磁気シャントはX方向に沿ってのびる少なくとも2辺71、72を有し、各辺が、X方向中央にかつY方向ターゲット内方に夫々向かって傾いている。 (もっと読む)


【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても,高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し,そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ200Bと,それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ300との間のゲートバルブ装置は,トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は,そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第1シール部材330Aとその外側の第2シール部材330Bにより囲んで2重シール構造とし,これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも1つの連通孔408を筐体の側壁に設け,トランスファチャンバとの基板搬出入口を,筐体内を昇降自在な弁体410によって開閉するようにした。 (もっと読む)


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