説明

Fターム[4M104DD43]の内容

半導体の電極 (138,591) | 製造方法(特徴のあるもの) (30,582) | 電極材料の析出 (10,624) | CVD (2,824)

Fターム[4M104DD43]の下位に属するFターム

装置 (445)
原料ガス (770)

Fターム[4M104DD43]に分類される特許

1 - 20 / 1,609



【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層2、フィールド絶縁膜6、フィールドプレート電極7、第1の絶縁膜8、導電体9、第2の絶縁膜11、ゲート絶縁膜10、及びゲート電極12を備える。フィールドプレート電極7は、フィールド絶縁膜6を介して第1の半導体層2のトレンチ5内に設けられる。第1の絶縁膜8は、フィールドプレート電極7上に設けられ、フィールド絶縁膜6とともにフィールドプレート電極7を取り囲む。導電体9は、第1の絶縁膜8上に設けられ、フィールドプレート電極7とは絶縁される。ゲート電極12は、フィールド絶縁膜6の上端上に設けられ第2の絶縁膜11を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜10を介してトレンチ5内に設けられる。 (もっと読む)


【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
(もっと読む)


【課題】チャネル移動度の低下およびパンチスルーの発生が抑制され、かつ効率的に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】MOSFET1は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である側壁面20Aを有するトレンチ20が形成された基板10と、酸化膜30と、ゲート電極40とを備えている。基板10は、ソース領域14と、ボディ領域13と、ソース領域14との間にボディ領域13を挟むように形成されたドリフト領域12とを含む。ソース領域14およびボディ領域13はイオン注入により形成されている。ボディ領域13においてソース領域14とドリフト領域12との間に挟まれた内部領域13Aの主表面10Aに垂直な方向における厚みは、1μm以下である。ボディ領域13の不純物濃度は、3×1017cm−3以上である。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、(a)素子分離領域STIにより囲まれた半導体領域3よりなる活性領域Acに配置されたMISFETと、(b)活性領域Acの下部に配置された絶縁層BOXとを有する。さらに、(c)活性領域Acの下部において、絶縁層BOXを介して配置されたp型の半導体領域1Wと、(d)p型の半導体領域1Wの下部に配置されたp型と逆導電型であるn型の第2半導体領域2Wと、を有する。そして、p型の半導体領域1Wは、絶縁層BOXの下部から延在する接続領域CAを有し、p型の半導体領域1Wと、MISFETのゲート電極Gとは、ゲート電極Gの上部から接続領域CAの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグSP1により接続されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料9と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス23と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板6表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】高い歩留まりを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板11上の絶縁層13に形成された第1の凹部14および第1の凹部14よりも幅が狭い第2の凹部15に、基板11を銅が流動可能なリフロー温度に加熱した状態で、第1の銅膜21を形成する工程を備えている。また、前記半導体装置の製造方法は、第1の銅膜21上に、不純物濃度が第1の銅膜21よりも高い第2の銅膜22を、第1の銅膜21の形成時よりも流動性が小さい状態で形成する工程を備えている。 (もっと読む)


【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 (もっと読む)


【課題】TiN膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体基板側から順に積層された導電性ポリシリコン膜、第1金属シリサイド膜、バリアー膜、及び金属膜から形成されるポリメタルゲート電極と、を備える半導体素子である。バリアー膜は、第1金属シリサイド膜上に形成されるTiN膜と、TiN膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上を覆うように酸化物半導体層を成膜した後、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を研磨により除去する。ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室22に通じる原料供給路32、42を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】個別の工程で形成されることで分離して配置された電極どうしを断線することなく接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に第1の絶縁膜を介して形成された第1の電極と、半導体基板の主面に第2の絶縁膜を介して形成された第2の電極との間に補償膜を埋設する。第1の電極及び第2の電極上には、第1の電極の上面及び第2の電極の上面と接触する、第1の電極の上面から補償膜の上面を経由して第2の電極の上面まで到達する配線を形成する。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,609