【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に４０μΩ・ｃｍと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成され、表面が疎水性を示す疎水性層上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンが形成された上記疎水性層の表面にエネルギーを照射して親水化し、親水性領域を形成する親水化工程と、上記フォトレジストパターンを剥離し、上記疎水性層表面に、上記親水性領域と上記親水化工程にて上記フォトレジストパターンで覆われていた疎水性領域とがパターン状に形成された親疎水パターンを形成するフォトレジストパターン剥離工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

トランジスタを製造する方法は、導電材料層と電気絶縁材料層とを順に含んだ基板を準備する工程と、前記電気絶縁材料層上にレジスト材料層を堆積する工程と、前記レジスト材料層をパターニングして、前記電気絶縁材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記電気絶縁材料層を除去して、前記導電材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記導電材料層を除去し、前記導電材料層及び前記電気絶縁材料層内に凹部形状を作り出す工程と、前記基板と露出された前記電気絶縁材料層及び前記導電材料層とを第２の電気絶縁材料層で共形に被覆する工程と、前記第２の電気絶縁材料層を半導体材料層で共形に被覆する工程と、前記半導体材料層上に導電材料層を指向性堆積する工程とを含む。

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【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給すると共に原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】２価のカルボン酸金属塩と一酸化炭素又はアンモニアとを反応させて１価のカルボン酸金属塩ガスを生成する工程と、基板１上に１価のカルボン酸金属塩ガスを供給して１価のカルボン酸金属塩膜２を堆積させる工程と、１価のカルボン酸金属塩膜２が堆積した基板１にエネルギーを与えて１価のカルボン酸金属塩膜２を分解し、金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第１半導体層１３ａと、各画素毎に各ゲート線１１ａに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第２半導体層１３ｂと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極１４ａａが規定され、各ゲート線１１ａと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極１４ａａと対峙するようにドレイン電極１４ｂａが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線１４ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が均一な金属シリサイド膜、特にチタンシリサイド膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】被処理体１のＳｉ含有部分上の自然酸化膜を除去する工程と、被処理体１の自然酸化膜が除去されたＳｉ含有部分上に金属シリサイド膜４を形成する工程とを具備し、金属シリサイド膜４を形成する工程は、最初にプラズマを生成せずに、成膜しようとする金属シリサイド中の金属を含有する金属含有原料ガスを所定時間供給して金属−シリコン結合を生じさせ（ii）、次いで金属含有原料ガスを供給しつつプラズマを生成して当該金属からなる金属膜を成膜し、その際の金属膜とＳｉ含有部分との反応により金属シリサイド膜を形成する（iii）。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式（１）または式（２）を満たす条件で成膜する。


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【課題】成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。
【解決手段】チャンバ１の内部にノズル１２から原料ガスを供給し、プラズマアンテナ９から電磁波をチャンバ１の内部に入射し、Ｃｌ₂ガスプラズマ１４により、銅板部材７にエッチング反応を生じさせて前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５を生成し、銅板部材７よりも低い温度に制御された基板３に運ばれる前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５は還元反応によりＣｕイオンのみとされて基板３に当てられ、基板３の表面にＣｕ薄膜１６が生成され、成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路等の微細な集積回路の修正等を行う際、配線を低抵抗で形成することができる集積回路の配線形成方法を提供する。
【解決手段】 集積回路２上の配線を必要とする部分２ｃｘを集束イオンビーム１０ａにより掘出す工程と、掘出し工程によって掘出された部分に対し、銀４０をコートした走査トンネル顕微鏡探針２１に電圧パルスを印加して該探針から銀原子を移動させる走査トンネル顕微鏡法により、銀配線４ｃを形成する工程とを有する集積回路の配線形成方法であって、配線を必要とする部分の線幅が１μｍ以下である場合は走査トンネル顕微鏡法を用い、線幅が１μｍを超える場合は、集積回路上の配線を必要とする部分に対し、非サーマル方式のインクジェット装置から銀粒子を含むインクを噴射した後に、レーザー又は加熱した走査プローブ顕微鏡の探針でインクを乾燥させるインクジェット法により銀配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、サブミクロンサイズのメサ構造による極微小ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、導電性半導体基板上に二重壁層構造をもつサブミクロンサイズの半導体素子が島状に配してなる極微小ダイオードであって、前記島状の素子の頂部に、これより上方に突出した配線を有し、当該配線を介して前記素子が上部電極に接続された構造を特徴とする。 （もっと読む）