【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第１工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第３工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第４工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第５工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半
導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを
課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレ
イン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート
絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は
側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】導電性膜を作製してから、導電性膜に通電しナノギャップを作製するプロセスを行うことなく、エレクトロマイグレーション時の大幅な印加電流の低減とプロセス時間の短縮することができるナノギャップ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体基板７０上に金属電極８０，８１を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上で導電層を迅速かつ容易にパターニングすると共に安定な性能を得ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の上に、開口部５Ａ，５Ｂを有する絶縁性保護層５を形成したのち、その絶縁性保護層５（開口部５Ａ，５Ｂを含む）を覆うように、電極層６を形成する。こののち、絶縁性保護層５の形成領域（開口部５Ａ，５Ｂを除く）における電極層６にレーザＬを照射し、その電極層６をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸構造を有するスタンパー１の表面上に、導電体層２を剥離可能に形成し、スタンパー１上の導電体層２と、硬化性材料４とを接触させ、その状態で硬化性材料４を硬化させて、微細な凹凸構造を有する凹凸基層５を形成するとともに、凹凸基層５と導電体層２とを接着し、スタンパー１と、凹凸基層５に接着された導電体層２とを分離し、もって凹凸基層５上に導電体層２を転写して形成し、このようにして、微細な凹凸構造を有する電極構造体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写技術を使用したパターニングの加工性の向上を図る。
【解決手段】ゲート電極ＭＧを形成するための被加工膜８上にＣＶＤ法でカーボン膜９ａを形成し、続いてＳＯＧ膜を形成する。カーボン膜９ａをリソグラフィ技術によるレジストパターンでハーフエッチするとともに、幅寸法をＷａから半分のＷｂにスリミングして芯材パターン部９ｂを形成する。全面にアモルファスシリコン膜１４を形成し、エッチバック処理でスペーサパターン１４ａを形成し、これをマスクとして芯材パターン部９ｂと共にカーボン膜９ａをエッチングしてマスクパターン９を形成する。レジストを芯材パターンとして用いないので高温で加工ができ、加工性が向上する。 （もっと読む）

【課題】電極を精度良く形成できると共に、設計マージンを低減することが可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極２２と、このゲート電極２２を覆って形成されたゲート絶縁膜２３と、このゲート絶縁膜２３上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を構成する有機半導体層２４と、この有機半導体層２４上に形成された構造体３１と、ゲート絶縁膜２３上から構造体３１よりも外側の有機半導体層２４上にわたって形成された、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２５，２６と、このソースドレイン電極２５，２６と同じ材料により、構造体３１の上に形成された、電極材料層３２とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】切削量の要求精度（±１μｍ以内）を満たしつつコストを低減できる半導体装置の金属電極形成方法及び金属電極形成装置を提供する。
【解決手段】裏面１１ｂの形状を反映して表面部１１ａの凹凸差が増大した半導体基板１１の凹凸差を低減すべく、表面部の表面形状データを取得し、このデータに基づいて変形手段により半導体基板に変位を与え、切削面Ｐと半導体基板の表面部との距離が切削量の要求精度の範囲内になるように変形させる。変形手段として、変位をそれぞれ制御可能な複数個のアクチュエータ２４ａを用い、各アクチュエータを、吸着ステージの裏面に当接してそれぞれ設けるとともに、その配置間隔を半導体基板の厚さ分布の空間周波数の最小波長に対し、１／２よりも大きく１以下とする。そして、変形させた半導体基板を吸着ステージに吸着固定したまま、切削面において切削加工を行い、金属膜をパターニングして金属電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、上記基板上に位置するバッファ層と、上記バッファ層上に位置する半導体層と、上記半導体層上に直接接触して位置するソース／ドレイン電極と、上記基板全面にわたって位置するゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に位置し、上記半導体層に対応するように位置するゲート電極と、を含み、上記ソース／ドレイン電極は１つまたは多数のホールを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたフレキシブル半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置１００であり、樹脂フィルム３０と、樹脂フィルム３０の上に形成された金属層１０とを備え、金属層１０は、絶縁壁５１によって分断され、且つ、絶縁壁５１の一端５３は樹脂フィルム３０に接しており、絶縁壁５１によって金属層１０から、ゲート電極１０ｇ、ソース電極１０ｓおよびドレイン電極１０ｄが形成されている。ゲート電極１０ｇの上には、絶縁壁５１に接するゲート絶縁膜２２が形成されており、ゲート絶縁膜２２の上には半導体層２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、自己整合シリサイドプロセスを用いた、ポリ抵抗を有する半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０に素子分離層２０を形成する工程と、素子分離層の上方に抵抗層１１０を形成する工程と、抵抗層を覆う第１絶縁層１２０を形成する工程と、半導体基板の上方であって、素子分離層で区画された領域に、ゲート酸化膜２２０を形成する工程と、ゲート酸化膜の上方にゲート電極２１０を形成する工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォール２４０を形成する工程と、半導体基板の露出した領域に不純物を注入して、ソースおよびドレイン領域を形成する工程と、第１絶縁層をパターニングすることによって、抵抗層を露出する工程と、抵抗層の露出した領域と、ゲート電極の上と、ソースおよびドレイン領域の上と、にシリサイド層３０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）