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【課題】低温分散系機能性材料を用いて、微細空間内に空隙、隙間、または空洞のない機能部分を形成する方法を提供する。
【解決手段】熱溶解性を有する機能性微粉末52を、液状分散媒51中に分散させた分散系機能性材料5を、微細空間3内に充填する。次に、微細空間3内の液状分散媒51を蒸発させる。次に、熱処理により機能性微粉末52を熱溶解させた後、加圧しながら冷却する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】Cu配線内における空孔の集中を抑制することでCu配線内でのボイドの形成を抑え、例えば2層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】ソースおよびドレインと半導体層との間において良好なコンタクトを確保することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、有機材料よりなる半導体層上のソース電極およびドレイン電極に対向する第1および第2の領域のそれぞれに導電層を有し、この導電層が、還元反応によって導電性が変化する酸化物を含むものである。導電層が、半導体層とソース電極およびドレイン電極とのコンタクト層として機能すると共に、トップコンタクト構造では、製造プロセスにおいて半導体層上に、上記導電層を含むエッチングストッパ層を形成可能となる。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。 (もっと読む)


【課題】設計された形状およびサイズのゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体層12の表面上のうち、互いに離間した位置に、チタン層17a、18a、アルミニウム層17b、18b、ニッケル層17c、18c、金層17d、18dがこの順で積層した積層体17、18を形成し、これらを、アルミニウムの融点より高い温度で加熱して複数の金属体17´、18´を形成するするとともに、これらの複数の金属体17´、18´を半導体層12にオーミック接触させる。この後、複数の金属体17´、18´を薄膜化して複数の合金層13a、14aを形成し、合金層13a、14aを含むドレイン電極13およびソース電極14を形成する。次に、ドレイン電極13とソース電極14との間のレジスト層19に開口部20し、この開口部20内にゲート電極15を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電池に使用可能な長波長帯領域において高い光学的特性を維持するとともに、ヘイズ値を向上させることができる光電池用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第1ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第2ステップを含む。 (もっと読む)


【課題】配線にCuを用いる配線の電気抵抗値とTFTの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびTFTを有する表示装置の製造方法であって、TFTは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法(A)基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、(B)電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、(C)前記(B)の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の第1の銅粒子14を分散させた第1の分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンと同じ位置に、第1の銅粒子14より粒子径の小さい第2の銅粒子18を分散させた第2の分散液16を塗布する塗布工程と、塗布工程後の配線パターンの第1の銅粒子14および第2の銅粒子16間の空隙を埋める緻密化工程と、緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


【課題】銅粒子の酸化、燃焼を防止し、銅配線の導電性を向上させるとともに経時劣化を抑えることができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基盤を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以下の炭素被膜銅粒子14を、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを酸素プラズマ処理する酸素プラズマ処理工程と、配線パターンを還元プラズマ処理する還元プラズマ処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができ銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の銅粒子14を分散させた分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行なう乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンを加圧する加圧工程と、加圧工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に40μΩ・cmと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体発光素子に含まれる透光性酸化物導電膜の光透過率の向上、シート抵抗の低減、シート抵抗の面内分布の均一化、およびコンタクト層に対するコンタクト抵抗の低減の少なくともいずれかを可能ならしめる化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、基板(1)上に発光層(3)を含む化合物半導体積層体(2−5)を堆積し、この化合物半導体積層体(2−5)上に透光性酸化物導電膜(8)を堆積し、この透光性酸化物導電膜(8)はアニールされてその後に真空雰囲気中で冷却されることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 (もっと読む)


【課題】低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による電子デバイスは、電極層と半導体層とが吸着した吸着部を有する電子デバイスであって、前記吸着部において、前記電極層の原子表面と前記半導体層の原子表面との距離は、前記電極層の前記原子表面と前記半導体層の前記原子表面とが安定して吸着する安定吸着距離より短い。前記吸着部への加重によって、前記距離を前記安定吸着距離より短くする加重部を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気的特性のばらつき及び電気的特性の劣化は、半導体装置の信頼性を著しく低下させる。
【解決手段】基板上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する、端部がテーパー角を有し、かつ上端部が曲面形状を有するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層の一部と接し、かつ酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、酸化物半導体層と重畳する、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材20を冷却する基材冷却手段22と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物18を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段24と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段26と、を有するパターン形成装置10。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段28を備えてもよい。 (もっと読む)


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