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Fターム[4M104DD86]の内容

半導体の電極 (138,591) | 製造方法(特徴のあるもの) (30,582) | 電極材料の処理 (7,014) | 気相との反応 (289)

Fターム[4M104DD86]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部20の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ40を有するアンドープの第1のシリコン膜32を凹部20に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部20内の第1のシリコン膜32の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第1のシリコン膜32に凹部20のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間41を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間41に面する第1のシリコン膜32の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間41を埋める第2のシリコン膜33を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】メモリデバイス中の酸素拡散バリアとしてRuおよび/またはRuO2を選択的に形成する方法と、そのようなRu系拡散バリアを有するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】MIMキャパシタ構造を形成する方法は、導電性の下部電極プラグ33を露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのRu成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にRu50を選択成長させる工程と、選択成長したRu50を酸化する工程と、酸化したRu50の上にRu含有下部電極60を堆積する工程と、Ru含有下部電極60の上に誘電体層70を形成する工程と、誘電体層70の上に導電性の上部電極71を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 酸素含有層を窒素濃度が高い酸窒化層又は窒化層に改質することで、ポリシリコン膜の耐酸化性を向上させる。
【解決手段】 酸素含有層が形成されたポリシリコン膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に設けられ、基板を加熱する加熱部と、処理室内に窒素及び水素を含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、加熱部により基板を所定の温度に加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板に供給させ、酸素含有層を酸窒化層又は窒化層に改質させるように、少なくとも加熱部、ガス供給部及び励起部を制御する制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ワード線抵抗を低減し、かつ、周辺回路のトランジスタの特性変化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、複数のメモリセルと、周辺回路とを備える。メモリセルは、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む。周辺回路は、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、少なくともフローティングゲートとコントロールゲートとの間の電気的接触部分に設けられ該フローティングゲートと該コントロールゲートとの間の電気的接続を妨げない絶縁薄膜とを含むトランジスタを含む。複数のメモリセルは、コントロールゲート内に絶縁薄膜を含まない。メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの少なくとも上部はシリサイド化されている。 (もっと読む)


【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記p電極が前記p型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたNiO層と、このNiO層に接して形成されたAg層とを含む。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜50と、層間絶縁膜50に埋め込まれた、Cuにより構成される配線10と、配線10の表層に設けられた、銅錯体を含有する表面層20と、を備える。配線10の表層に銅錯体を含有する表面層20を備えることにより、配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】優れた透明性、導電性、及び強度を兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材1は、基材2、グラフェン層4、並びに前記基材1と前記グラフェン層4との間に介在するハードコート層5を備える。グラフェン層4はグラフェンシートから構成される。グラフェンシートは、例えば熱CVD法やプラズマCVD法などの蒸着法により形成される。この場合、例えばチャンバー内に気相状態の炭素源を供給し、この炭素源をチャンバー内で加熱したりプラズマ処理したりすることにより、炭素源が分解すると共に炭素原子が互いに結合して六角形の平面構造を形成し、これによりグラフェンシートが形成される。 (もっと読む)


【課題】二酸化珪素からなる層間絶縁膜を挟んでアルミニウムを含む電極とゲート電極とを配置した場合に、当該アルミニウムを含む電極とゲート電極とが短絡することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MOSFET100の製造方法は、活性層7上にゲート酸化膜91を形成する工程と、ゲート酸化膜91上にゲート電極93を形成する工程と、活性層7に対してオーミック接触するソースコンタクト電極92を形成する工程と、ソースコンタクト電極92が形成された後、ゲート電極93を覆うように二酸化珪素からなる層間絶縁膜94を形成する工程とを備え、ソースコンタクト電極92を形成する工程は、活性層7に接触するようにアルミニウムを含む金属層を形成する工程と、金属層を合金化する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】縦型トランジスタのTDDB耐性を向上させ、かつ、閾値電圧がばらつくことも抑制する。
【解決手段】ゲート電極120の上端は、半導体基板100の表面よりも下に位置している。絶縁層340は、ゲート電極120上及びその周囲に位置する半導体基板100上に形成されている。絶縁層340は、第1絶縁膜342及び低酸素透過性絶縁膜344を有している。第1絶縁膜342は、例えばNSG膜であり、低酸素透過性絶縁膜344は、例えばSiN膜である。さらに、低酸素透過性絶縁膜344上には、第2絶縁膜346が形成されている。第2絶縁膜346は、例えばBPSG膜である。絶縁層340を形成した後、酸化雰囲気で処理することにより、縦型MOSトランジスタ20のTDDB耐性が向上する。また、絶縁層340が低酸素透過性絶縁膜344を有することにより、縦型MOSトランジスタ20の閾値電圧がばらつくことを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板10上に形成されたアンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2と、アンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2上に形成されたTi/Al/TiNからなるオーミック電極(ソース電極11,ドレイン電極12)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を1×1016cm−3以上かつ1×1020cm−3以下とする。 (もっと読む)


【課題】縦型トランジスタの特性にばらつきが生じることを抑制する。
【解決手段】半導体基板100には縦型MOSトランジスタ20が形成されている。半導体基板100の表面上には、第1層間絶縁膜300及び第1ソース配線312が形成されている。第1ソース配線312は、第1層間絶縁膜300上に形成されており、平面視で縦型MOSトランジスタ20と重なっている。第1層間絶縁膜300にはコンタクト302が埋め込まれている。コンタクト302は、縦型MOSトランジスタ20のn型ソース層140と第1ソース配線312とを接続している。そして第1ソース配線312には、複数の開口316が形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体処理の方法が提供される。
【解決手段】いくつかの実施形態によれば、高い有効仕事関数を有する電極が形成される。この電極は、トランジスタのゲート電極であってもよく、導電材料の第1の層を堆積し、第1の層を水素含有ガスに露出し、第1の層に導電材料の第2の層を堆積することにより、high−kゲート誘電体に形成されてもよい。第1の層は、基板がプラズマ又はプラズマ発生ラジカルに露出されないプラズマ無しプロセス(non−plasma process)を用いて堆積される。第1の層が露出される水素含有ガスは、励起された水素種を含んでもよく、これは水素含有プラズマの一つであってもよく、水素含有ラジカルであってもよい。第2の層を堆積する前に、第1の層もまた、酸素に露出されてもよい。ゲートスタックのゲート電極の仕事関数は、いくつかの実施形態において約5eV又はそれ以上であってもよい。 (もっと読む)


【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第1配線層150を構成する絶縁層の表層には、第1配線154及びゲート電極210が埋め込まれている。第1配線層150と第2配線層170の間には、拡散防止膜160が形成されている。ゲート絶縁膜230は、拡散防止膜160のうちゲート電極210と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 (もっと読む)


【課題】選択的に窒化物膜を形成する。
【解決手段】処理容器2内に窒素含有ガスを供給し、処理容器2内の圧力を133Pa以上1333Pa以下の範囲内に設定して、処理容器2内に窒素含有プラズマを生成し、該窒素含有プラズマによって、シリコンを含有する第2の部分100Bの表面100Baを窒化させずに、タングステンを含有する第1の部分100Aの表面100Aaを選択的に窒化して、第1の部分100Aの表面100Aaに窒化タングステン膜107を形成する。 (もっと読む)


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