説明

Fターム[4M104EE02]の内容

半導体の電極 (138,591) | 絶縁膜(特徴のあるもの) (8,323) | 絶縁膜の適用位置 (3,412) | 電極下 (1,572)

Fターム[4M104EE02]の下位に属するFターム

Fターム[4M104EE02]に分類される特許

61 - 80 / 171


【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で、耐熱性、耐久性が優れる高分子化合物を使用し、金属の積層量を任意に制御できる金属膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂を含む基板表面に所望のパターンの遮蔽材を被覆する工程、遮蔽材を被覆した基板表面に積算光量1,000〜1,000,000mJ/cmの活性エネルギー線を照射して被照射部分と未照射部分を形成する工程、及び被照射部分と未照射部分を有する基板表面に金属を積層する工程により金属膜のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】純CuまたはCu合金のCu系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてCu系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純CuまたはCu合金のCu系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Cu系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層と、CuおよびSiを含むCu−Si拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記(N、C、F、O)層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のSiと結合している。 (もっと読む)


【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体10は、基板11上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層12の紫外線照射領域12aに導電体層13が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 (もっと読む)


【課題】半導体または誘電体と、金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化することを可能にするとともに、抵抗を可及的に低くすることを可能にする。
【解決手段】半導体膜4aと、半導体膜上に形成された酸化膜6bと、酸化膜上に形成された金属膜12aと、を備え、酸化膜がTi酸化膜であって、酸化膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Os、Ir、Ptから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた新たな半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板(例えば絶縁表面を有する基板)と、基板上の第1の電極層と、その一部が第1の電極層上に存在する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の側面を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の開口部において、酸化物半導体層と電気的に接続した第2の電極層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層の側面に電圧を印加する第3の電極層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】耐マイグレーションに強い積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、第1の高表面エネルギー領域及び第2の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、第1の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第1の導電層と、第2の高表面エネルギー領域上及び第1の導電層上に形成された第2の導電層を有し、第1の導電層を第2の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Wの被処理面Waの少なくとも一部を被覆する被覆手段13を備え、保持手段11に保持された被処理物Wの被処理面Waと被覆手段13との間に間隙gを形成した状態にて、処理液供給手段14により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Wの被処理面Waと対向する位置に配される対向電極31aと、被処理物Wに接続可能な被処理物用電極32との間に、電圧を印加する。 (もっと読む)


本発明はソース領域又はドレイン領域へのコンタクトに関する。コンタクトは導電性材料を有するが、その導電性材料は絶縁体によりソース領域又はドレイン領域から分離されている。
(もっと読む)


【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。
【解決手段】本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層31と、第1及び第2の電子供給層32,33と、キャップ層34と、ソース電極8と、ドレイン電極9と、ゲート電極10と、シリコン酸化物から成る絶縁膜11と、p型金属酸化物半導体膜12とを有している。第2の電子供給層33に凹部7が形成され、この凹部7に絶縁膜11とp型金属酸化物半導体膜12とゲート電極10との積層体が配置されている。正孔濃度の高いp型金属酸化物半導体膜12はノーマリオフ特性に寄与し且つゲートリーク電流の低減に寄与する。絶縁膜11はゲートリーク電流の低減に寄与する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】配線層間の正常な電気的導通が取れている半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上又は基板の表面層に少なくとも2層の配線層を備え、前記2層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高耐圧でスイッチングスピードに優れ高い高周波特性を有するノーマリオフ型のHEMTを提供すること。
【解決手段】第1のバンドギャップを有する第1の窒化物半導体層2と前記第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有し前記第1の窒化物半導体層上とヘテロ接合される第2の窒化物半導体層3とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極5と、前記主半導体領域上において前記ソース電極5と離間して形成されるドレイン電極6と、前記第1の窒化物半導体層上において前記ソース電極5と前記ドレイン電極6との間に形成される第3の窒化物半導体層10と、前記第3の窒化物半導体層10上に形成されるゲート電極7とを備え、前記第3の窒化物半導体層10が前記第1のバンドギャップよりも小さい第3のバンドギャップを有することを特徴とする窒化物半導体装置。 (もっと読む)


【課題】波形振動を抑制しスイッチング損失を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1半導体層と、前記第1半導体層の第1面の側に設けられた第1電極と、前記第1半導体層と前記第1電極との間に設けられ、前記第1半導体層と前記第1電極との間に流れる電流を狭窄する第1絶縁層と、前記第1絶縁層で狭窄された電流の経路上に少なくとも設けられ、前記第1半導体層に含有される不純物濃度よりも高い濃度で不純物を含有する第1導電型の第2半導体層と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるoff時のリーク電流を抑制して、on−off比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第1ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 (もっと読む)


【課題】応答特性が良く電流コラプスの問題を改善できると同時に、デバイス設計値どおりのゲートリセス部を再現性よく形成しうる窒化物半導体装置を得ること。
【解決手段】基板1上に形成された第1の窒化物半導体からなるチャネル層2と、チャネル層2の上部に形成され、第1の窒化物半導体よりも大きなバンドギャップを有する第2の窒化物半導体からなる第1の電子供給層3aと、第1の電子供給層の上部で離隔した2つの領域として形成され、第1の窒化物半導体と同じか、又はこれよりも大きなバンドギャップを有する第3の窒化物半導体からなる第2の電子供給層3bとを備えている。
第1と第2の電子供給層3a、3bの間には、第2の電子供給層3bよりもドライエッチング速度が小さい材料からなるエッチングストッパ層4が形成されており、この層4の上部で2つの領域に挟まれたゲートリセス部を、ゲート電極5が充填するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】 フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、1.2×1012cm−2未満である。 (もっと読む)


【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器151内に電着液152を収容し、電着液152の中で、白金からなる対向電極153に基板101の金属パターン104形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源154により、対向電極153に正電圧を印加し、シード層102に負電圧を印加する。ここで、金属パターン105に必要な配線を接続することで、シード層102に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン104および金属パターン105の露出している面(上面)に、電着液152中の電着成分が付着(析出)し、電着絶縁膜106が形成される。 (もっと読む)


【課題】チャネル上における高い容量、低下した供給電圧及び低下した浮遊容量を可能にする有機薄膜トランジスタを提案する。
【解決手段】本発明は、ドレイン(54)を形成する導電要素と、前記ドレイン(54)と離れて位置するソース(56)を形成する導電要素と、前記ドレイン(54)に面する表面と前記ソース(56)に面する表面とを有するゲート(62)を形成する導電要素と、前記ドレイン(54)及び前記ソース(56)と接触する半導体層(58)と、第1に前記ゲート(62)と前記ソース(56)との間に、第2に前記ゲート(62)と前記ドレイン(54)との間に位置する誘電層(60)であって、その厚さに依存して変化する誘電率を有する誘電層(60)と、を備える有機トランジスタ(50)に関連する。 (もっと読む)


【課題】インクジェット方式により緻密な配線の形成される積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、を有し、高表面エネルギー領域は、導電層による電気配線が形成される第1の領域と、第1の領域と接続されており、第1の領域よりも幅が狭く、第1の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第2の領域とにより構成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


61 - 80 / 171