【課題】ソース領域およびドレイン領域をシリサイド化しても、リーク電流を可及的に抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体領域７を有するシリコン基板２と、半導体領域に離間して形成されたソース／ドレイン領域１１ａ、１５ａ、１１ｂ１５ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域上に形成された絶縁膜９ａと、絶縁膜上に形成されたゲート電極１０ａと、ゲート電極の側部に形成された側壁絶縁膜１３ａと、第１ソース／ドレイン領域上に形成され、少なくとも｛１１１｝面となる表面を有する単結晶シリコン層１７ａ、１７ｂと、少なくとも単結晶シリコン層の｛１１１｝面上に形成され、かつ側壁絶縁膜に接する部分を有し、この部分と単結晶シリコン層との界面が単結晶シリコン層の｛１１１｝面であるＮｉＳｉ層２１ａ、２１ｂと、ＮｉＳｉ層に接する第１のＴｉＮ膜２３ａ、２３ｂと、を有する第１のＭＯＳＦＥＴと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ショットキーメタルが１種類でありながらも、使用用途に応じた順方向特性、逆方向特性を発現するショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層２を表面に備えた半導体基板１と、半導体層２の表面から層内に延びる第２導電型の半導体領域からなるガードリング６と、ガードリング６で囲まれた半導体層表面に形成された金属層４とでショットキー接合領域を形成した半導体装置であって、ショットキー接合領域は金属層４と半導体層２との間に共晶層が形成された共晶領域７と、共晶領域７で囲まれ、金属層４と半導体層２との間に絶縁膜パターン５が介在し、共晶領域よりも共晶厚さが薄い共晶領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ⁻ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドｐ⁻ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることにより、カソード電極付近の電界を緩和する高出力ダイヤモンド半導体素子。 （もっと読む）

【課題】温度や周辺の雰囲気に対して、特性が大きく変動する問題を解決する高い仕事関数を持つＰｔ等の水素吸蔵性のある金属からなるショットキー電極として直接、半導体上に作製する構造の素子を提供する。
【解決手段】半導体基板とショットキー電極との間に窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）薄膜が設けてあることを特徴とする。 また前記窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）薄膜の厚さが０．５ｎｍから１０ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置、及び該発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する発光装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置、及び該液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーの高い領域と、表面自由エネルギーの低い領域の境界ラインを明確に切り分けることが可能な積層構造体を、簡易な製造工程を用いて低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】第１の膜厚である第１の表面エネルギー部と、所定のエネルギーが付与されて前記第１の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高くなり、かつ、前記第１の表面エネルギー部との境界に沿って溝が形成された第２の膜厚である第２の表面エネルギー部とを有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層の前記第２の表面エネルギー部に形成された導電層とを有する積層構造体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下部バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のソース−ドレイン電極３４は、窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなる。窒素含有層の窒素は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合しており、純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜は、窒素含有層を介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線を照射し、膜の表面自由エネルギーを変化させ、該変化した部分に銀ナノインクを塗布し、焼成して、電極用ラインを形成する時、少ない照射エネルギーの照射線で膜の表面自由エネルギーを変化させることが可能な有機半導体材料の原料となるポリアミド酸の提供。
【解決手段】１，３−ジアミノ−ベンゼン−５−カルボン酸置換基含有フェノールエステルで、該置換基が、２，３，４−トリアルコキシフェニレンを含有することを特徴とするジアミン化合物と酸二無水物との共重合体であるポリアミド酸。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の動作電圧を低下させる。
【解決手段】スイッチング素子１００において、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の一面に設けられた第１電極２０及び第２電極３０と、第１電極２０と第２電極３０との間に設けられ、第１電極２０と第２電極３０との間への所定電圧の印加により抵抗のスイッチング現象が生じる間隙を有する電極間間隙部４０と、を備え、絶縁性基板１０の当該一面に窒素を含有させるよう構成した。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。
【解決手段】本発明に従うHEMTは、電子走行層４と、この上を覆う電子供給層５と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、第１及び第２の絶縁膜９，１０と、圧電体層１１とを有している。第１の絶縁膜９は電子走行層４と電子供給層５とのヘテロ接合面に沿って生じる２ＤＥＧ層１３を分断する働きを有する。圧電体層１１はゲート電極８の電圧に応答して第１の絶縁膜９の応力を打ち消す働きを有する。これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗が小さいHEMTを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と各ソース／ドレイン電極間に有限の間隔が存在するため、寄生抵抗が発生する。
【解決手段】バリア層４の内で第１及び第２高濃度ｎ型不純物領域６Ａ，６Ｂ間の領域４Ａ全体の表面上に、ＡｌＧａＯから成る絶縁膜８が全面的に形成されている。更に、絶縁膜８の表面上に、ゲート電極９が全面的に形成されている。本構造によって、ゲート電極９と第１及び第２高濃度ｎ型不純物領域６Ａ，６Ｂないしは第１及び第２ソース／ドレイン電極７Ａ，７Ｂとが直接に接触することはない。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極の膜厚を８０ｎｍ以上の厚膜とする。第３の電極の膜厚を厚くすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記ＴＦＴ電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層上に抵抗値の上昇が抑制されたコンタクトを備え、高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。コンタクトプラグ１個当たりのシリサイド層４５の面積は、コンタクトプラグの面積以上、且つ、１００μｍ^２以下である。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池及び太陽電池コンタクトの処方及び製造方法を開示するものである。概して、本発明は、焼成に先立って、ニッケルと銀とを含む金属部からなる混合物から作られる太陽電池コンタクトを提供するものである。

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【課題】セルコンタクトのアクティブ領域に対する位置合わせにずれが生じた場合でも、コンタクト抵抗を増大させない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板20、半導体基板に設けられた素子分離膜21、層間絶縁膜60及び導電プラグ62を備えて構成される。半導体基板は、一方の主表面20a側に、第1の方向及び第2の方向に行列配列されたメモリセルを有している。導電プラグは、層間絶縁膜内に形成されていて、メモリセルと層間絶縁膜上に形成される配線74とを電気的に接続する。各メモリセルは、ゲート電極34と、一対の不純物拡散領域40を備えている。不純物拡散領域は、主表面側に金属シリサイド膜46を有している。導電プラグは、素子分離膜上と金属シリサイド膜上とに形成されている。金属シリサイド膜は、第1部分47と、第2部分48を備えていて、第1部分の厚みが第2部分の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ない紫外線照射量で表面自由エネルギーを変化させることが可能な積層構造体及び該積層構造体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該積層構造体を有する電子素子、該電子素子を複数有する電子素子アレイ及び該電子素子アレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】積層構造体は、基板１１上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層１２と、濡れ性変化層１２にパターン形成された導電層１３を有し、臨界表面張力が変化する材料は、主鎖と側鎖を有し、側鎖は、エネルギーを吸収すると結合が開裂する部位を２個以上有する。 （もっと読む）

【課題】研磨工程などを削減するとともに素子分離領域の上に微細なゲートスペースパターンを有する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００と、素子分離絶縁膜１０１と、第１および第２電極１０７ａ，１０７ｂと、ゲート絶縁膜パターン１０４と、側壁絶縁膜１０８とを備えている。素子分離絶縁膜１０１は半導体基板１００の上に設けられており、第１および第２電極１０７ａ，１０７ｂはゲート絶縁膜パターン１０４を挟むようにして素子分離絶縁膜１０１の上に設けられている。側壁絶縁膜１０８は、第１および第２電極１０７ａ，１０７ｂの側面のうちゲート絶縁膜パターン１０４に接している部分以外の部分に設けられている。 （もっと読む）