【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に、酸化シリコン膜を介して金属シリサイド膜を形成する際に、金属シリサイド膜中に残存する酸素を低減し、抵抗を低く抑える半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板１００上にＣＭＯＳトランジスタを形成した後、シリコン膜１０３上に０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の膜厚を有する酸化シリコン膜８０１を形成する工程と、チタン膜８０３を形成する工程と、酸素及び窒素の浸入を防ぐためのバリア膜としての窒化チタン膜９０１を形成する工程と、Ｃ４９結晶相チタンシリサイド膜９０２を形成するための低温熱処理を行なう工程と、窒化チタン膜９０１と未反応のチタン膜と９０１のみを選択的に除去するエッチング工程を順に行なう。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレインの界面形状とショットキー障壁高さ、電極比抵抗を同時に制御可能なショットキートランジスタを提供する。
【解決手段】 チャネル領域を構成する半導体領域１１２と、半導体領域１１２上にゲート絶縁膜１１３を介して形成されたゲート電極１１４と、ゲート電極１１４に対応して半導体領域１１２の両側に形成されたソース・ドレイン電極とを備えたＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極は、半導体領域１１２を挟んで形成され、且つキャリアがトンネル可能な厚さに形成されたトンネル絶縁膜１１６と、トンネル絶縁膜に接して形成された第１の金属層１１７と、第１の金属層１１７に接して形成され、第１の金属層１１７よりも小さい比抵抗を持つ第２の金属層１１８と、をチャネル長方向に積層してなる。 （もっと読む）

少なくとも１種の不燃性溶媒、好ましくは一般式ＣｘＨｙＦｚＯｔＮｕ（式中、２ｘ＋２ｙ＜＝ｙ＋ｚであり、２＜＝ｘ＜＝１５であり、ｚ＞ｙであり、ｔ＋ｕ＞＝１（ｔ＋ｕは好ましくは１である）であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｔおよびｕは自然数である）を有するフッ素化された溶媒中に溶解させた四酸化ルテニウムを含む、ルテニウム膜堆積のための前駆体。
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【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率ゲート絶縁層とシリコン基板、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。また、基板のシリコンが絶縁層表面まで拡散し、ゲート電極界面における低誘電率層生成を助長する。さらにシリサイド反応により、しきい値がシフトするという問題を解決する。
【解決手段】
高誘電率ゲート絶縁層１０３の上または下の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１１，１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ等の非金属基板表面に直接的にメッキ処理を行うことを可能とする。
【解決手段】 非金属からなるＳｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１表面に形成された無機酸化物微粒子の焼結体からなる下地薄膜１６１と、下地薄膜１６１上に無電解メッキ処理により形成されたメッキ膜 (Ｎｉ-Ｐ膜１６２)とを有する。
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本発明は、有機物層を有する有機トランジスタが提供される。本発明の前記有機物層は、下記式１で表される化合物のうち少なくともいずれか１種を含む。

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【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）