Fターム［4M104EE02］の内容
半導体の電極 (138,591) | 絶縁膜（特徴のあるもの） (8,323) | 絶縁膜の適用位置 (3,412) | 電極下 (1,572)
Fターム［4M104EE02］の下位に属するFターム
ゲート絶縁膜 (1,401)
Fターム［4M104EE02］に分類される特許
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた表示装置、スパッタリングターゲット材
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トランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器
半導体装置および半導体装置の作製方法
窒化物半導体装置
スーパージャンクション構造を有する半導体装置
半導体装置および半導体装置の製造方法
半導体装置およびその作製方法
半導体装置および半導体装置の製造方法
化合物半導体装置及びその製造方法
スイッチング素子
化合物半導体装置及びその製造方法
半導体装置
半導体装置、半導体装置の製造方法、および試験装置
透明導電性部材
薄膜トランジスタおよびその製造方法、電子機器
ダイオード
半導体装置の作製方法
半導体装置
窒化物半導体素子及びその製造方法
窒化物半導体素子及びその製造方法
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