【課題】消費電力の少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３の多結晶シリコン領域と、ゲート電極１３下のチャネル領域１１Ｃを挟んで配置された一対の単結晶シリコン領域１１Ｓ，１１Ｄとが形成されたシリコン基板１１に対して、単結晶シリコン領域１１Ｓ，１１Ｄ上に単結晶のＳｉＧｅ混晶層領域１４Ａ，１４Ｂを成長させ、且つ多結晶シリコン領域１３上に多結晶のＳｉＧｅ混晶層領域１４Ｃを成長させる工程と、Ｃｌを含むガスを用いて、一対の単結晶シリコン領域１１Ｓ，１１Ｄ上に成長したＳｉＧｅ混晶層領域１４Ａ，１４Ｂの表面側の一部を取り除くと共に、多結晶シリコン領域１３上に成長したＳｉＧｅ混晶層領域１４Ｃを取り除く工程と、一対の単結晶シリコン領域上のＳｉＧｅ混晶層領域１４Ａ，１４Ｂ上に単結晶のシリコン層１５Ａ，１５Ｂを成長させる工程と、シリコン層１５Ａ，１５Ｂをシリサイド化する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高性能でかつ閾値電圧の低い半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に形成され、ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＮＭＯＳ形成領域とＰＭＯＳトランジスタが形成されるＰＭＯＳ形成領域とを絶縁分離する素子分離領域と、該基板上に形成されたＨｉｇｈ−ｋ材料からなるＮＭＯＳおよびＰＭＯＳのゲート絶縁膜と、該ＮＭＯＳのゲート絶縁膜上に形成されたＮＭＯＳゲート電極と、該ＰＭＯＳゲート絶縁膜上に形成された第１ニッケルシリサイド層と、該第１ニッケルシリサイド層上に形成され、該第１ニッケルシリサイド層よりも厚くかつ該第１ニッケルシリサイド層よりニッケル密度が大きい第２ニッケルシリサイド層と、を有するＰＭＯＳゲート電極と、該ＮＭＯＳゲート電極および該ＰＭＯＳゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサとを備える。 （もっと読む）

【課題】前記従来のエアーギャップを有するＭＩＳトランジスタ及びその製造方法では、ゲート電極の周囲にエアーギャップを設けるため、ゲート電極に近接して応力絶縁膜を形成することができない。
【解決手段】半導体装置は、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４と、ソースドレイン領域１９と、コンタクトプラグ２２と、応力絶縁膜２３とを備えている。ゲート電極１４の側方のうちゲート電極１４とコンタクトプラグ２２との間に位置する領域のみに空洞２４が形成されており、応力絶縁膜２３は半導体基板１０上にゲート電極１４を覆うように形成されており、半導体基板１０におけるゲート電極１４の直下に位置するチャネル領域に対して応力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、トランジスタの性能を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜２及びゲート電極３が形成されている。半導体基板１の表面の、平面視でゲート電極３を挟む位置に２個の不純物拡散層４が形成されている。２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。更に、半導体基板１のゲート絶縁膜２下の領域（チャネル）に応力を付加する応力付加膜が、少なくとも掘り込み部６内に位置している。 （もっと読む）

【課題】 向上した製造可能性を有する金属−絶縁体−金属キャパシタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。金属−絶縁体−金属キャパシタは、キャパシタ・プレートとしてゲートを用い、ゲート誘電体として均一な厚さのゲート・スペーサを用い、別のキャパシタ・プレートとしてコンタクト・ビアを用いる。容量の増大のために、均一な厚さのゲート・スペーサは、導体層を含むことができる。容量の増大のために、単一のコンタクト・ビアを用いる鏡像となる金属−絶縁体−金属キャパシタ構造体を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を表面研磨する工程を経て形成される半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に、高耐圧ゲート絶縁膜ＩＧ１および高耐圧ゲート電極ＥＧ１からなる高耐圧ゲートＧ１を形成した後、サリサイドブロック膜ＳＡＢ、層間絶縁膜ＩＬを順に形成し、その層間絶縁膜ＩＬをＣＭＰにより研磨する。サリサイドブロック膜ＳＡＢは、下層から順に酸化シリコンを主体とする絶縁膜である保護酸化膜ｔ１と、窒化シリコンを主体とする絶縁膜である保護窒化膜ｔ２とによって形成する。また、層間絶縁膜ＩＬの研磨は、高耐圧ゲートＧ１上面のサリサイドブロック膜ＳＡＢに達するまで研磨する。 （もっと読む）

開示の実施形態は、ＭＯＳチャネル領域に一軸性歪みを与える金属ソース／ドレイン及びコンフォーマル再成長ソース／ドレインを備えた、歪みトランジスタ量子井戸（ＱＷ）チャネル領域を含む。チャネル層の除去された部分が、チャネル材料の格子間隔とは異なる格子間隔を有するジャンクション材料で充填されることで、量子井戸の頂部バリア層及び底部バッファ層によってチャネル層に発生される二軸性歪みに加えて、一軸性歪みがチャネルに発生される。
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【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。下層保護絶縁膜は、比誘電率が１０以上の高誘電体層を有してよい。上層保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とのコンタクトのためのコンタクトホールの形成時に、ゲート電極が深く掘り下げられることを防止できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ゲートトレンチ６を有するエピタキシャル層３に、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０を形成する。ゲートトレンチ６には、ゲート電極８を埋設する。エピタキシャル層３には、層間絶縁膜１１を積層する。ゲート電極８と層間絶縁膜１１との間には、エピタキシャル層３とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層１４を介在させる。そして、エッチングにより、ゲート電極８およびボディコンタクト領域１０それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール１３およびソースコンタクトホール１５を同時に形成する。ゲートコンタクトホール１３は、平面視でエッチングストッパ層１４と重なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化が進んでも半導体装置の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の小さいＤＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＣＭＯＳトランジスタ１は、ゲート電極９と、Ｎ＋型のソース領域３と、Ｎ＋型のドレイン領域４を備える。ＤＭＯＳトランジスタ２１は、ゲート電極２９と、Ｎ＋型のソース領域２３と、Ｎ―型のドリフト領域３０と、ドレイン領域２４と、シリサイド層３２ａを備える。ゲート電極９のソース領域３側とドレイン領域４側の側部にはサイドウォール８Ｂが設けられ、ゲート電極２９のソース領域２３側とドレイン領域２４側の側部にはサイドウォール２８Ｃ、２８Ｄが設けられている。ドレイン領域２４側のサイドウォール２８Ｃは、ソース領域２３側のサイドウォール２８Ｄ、及びサイドウォール２Ｂよりもチャネル方向に沿う厚さが厚い。さらに、シリサイド層３２ａがゲート電極９上面のドレイン領域２４側端まで形成されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの集積化を妨げることなく、トランジスタの駆動力を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の結晶からなる半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート幅方向に凸部を有して前記半導体基板内に形成され、前記所定の結晶とは異なる格子定数を有するエピタキシャル結晶が埋め込まれたソース・ドレイン領域と、を具備するトランジスタと、前記凸部以外の前記ソース・ドレイン領域に接続されたコンタクトプラグと、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】適切な高い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタ、ならびに適切な低い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１は、半導体基板２上に形成されたＨＶＮトランジスタ１０と、ＨＶＰトランジスタ２０と、ＬＶＮトランジスタ３０と、ＬＶＰトランジスタ４０と、抵抗素子５０を有する。ＬＶＮトランジスタ３０は、絶縁体層３１ａ、Ｌａ_２Ｏ_３層３１ｂおよび高誘電率絶縁体層３１ｃからなるゲート絶縁膜３１と、金属層３２ａおよび半導体層３２ｂからなるゲート電極３２を有する。ＬＶＰトランジスタ４０は、絶縁体層４１ａ、Ａｌ_２Ｏ_３層４１ｂおよび高誘電率絶縁体層４１ｃからなるゲート絶縁膜４１と、金属層４２ａおよび半導体層４２ｂからなるゲート電極４１を有する。抵抗素子５０は、絶縁体材料からなる第１の層５１と、半導体材料からなる第２の層５２を有する。 （もっと読む）

【課題】デュアルメタルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極除去する工程において、ゲート絶縁膜に与える損傷を抑える。
【解決手段】 第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える半導体装置において、第１のトランジスタは、第１の仕事関数を有する第１の材料からなる第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜とを含む。また、第２のトランジスタは、第２の仕事関数を有する第２の材料からなる第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁膜とを含む。ここで、第１のゲート絶縁膜は、高誘電率膜と、第１の高誘電率膜上に形成された第１の絶縁膜とを含むものとする。第２のゲート絶縁膜においては、高誘電率膜上部に形成した第１の絶縁膜を、第１のゲート電極を除去した後に除去する。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層と窒化シリコン膜の界面に自然酸化膜が残存していると、窒化シリコン膜の成膜後の種々の加熱工程（例えば種々の絶縁膜や導体膜の成膜工程のように半導体基板の加熱を伴う工程）において、金属シリサイド層表面にある自然酸化膜の酸素に起因して、金属シリサイド層が部分的に異常成長してしまう。
【解決手段】本願発明においては、集積回路を構成する電界効果トランジスタのソース・ドレイン上のニッケル・シリサイド等の金属シリサイド膜の上面に対して、不活性ガスを主要な成分とするガス雰囲気中において、実質的にノン・バイアス（低バイアスを含む）のプラズマ処理を施した後、コンタクト・プロセスのエッチング・ストップ膜となる窒化シリコン膜を成膜することにより、金属シリサイド膜の不所望な削れを生じることなく、金属シリサイド膜の上面の自然酸化膜を除去することができる。
を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ダミーゲートを高選択的に除去することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１の製造工程において、シリコン基板２上にゲート絶縁膜８を形成し、このゲート絶縁膜８上にダミーゲート３２を形成する。ダミーゲート３２の側面には、サイドウォール１０を形成する。サイドウォール１０の形成後、ダミーゲート３２を被覆する第１絶縁層１７を形成し、第１絶縁層１７の表面がダミーゲート３２の表面と面一となるように加工する。第１絶縁層１７の加工後、ダミーゲート３２に、ダミーゲート３２とサイドウォール１０とのエッチング選択比を確保可能なエッチング液を供給することにより、ダミーゲート３２をウェットエッチングする。そして、ダミーゲート３２のエッチングにより現れるゲート絶縁膜８上に、金属材料からなるゲート電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層間の正常な電気的導通が取れている半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。上記固定電荷は、熱平衡状態において荷電している。 （もっと読む）

【課題】導電層が基板の内部深くにまで達することを回避して、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板１の上面内にエクステンション５を形成した後、シリコン酸化膜３０を全面に堆積し、シリコン酸化膜３０上にシリコン窒化膜３１を、シリコン窒化膜３１上にシリコン酸化膜３２をそれぞれ堆積し、シリコン酸化膜３２、シリコン窒化膜３１及びシリコン酸化膜３０をこの順にエッチングしてサイドウォール３６を形成する。不純物領域１３を形成し、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層１５，１６，３７を形成する。コバルト１７を全面に堆積した後、熱処理を行うことにより、コバルトシリサイドを形成する。その後、未反応のコバルト１７を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の絶縁膜の上に形成される金属配線または金属電極の接着力を向上させる。
【解決手段】窒化タングステン６ｂをタングステン６ｃの側面にまで設けて、タングステン６ｃと窒化タングステン６ｂとが接触している面積を増やす。ゲート絶縁膜２上に、ゲート絶縁膜２との接着力が強いポリシリコンサイドウォール５を配置する。タングステン６ｃの側面にある窒化タングステン６ｂにはポリシリコンサイドウォール５を密着させる。 （もっと読む）