【課題】ガラスなどの酸化ケイ素系基板上へ無電解めっき法を用いて導電性パターンを形成するのに好適な新規疎水性ポリマー、それを用いた、基材上に密着性に優れた導電膜を有する積層体、その形成方法、該導電膜を配線として有するプリント配線基板、薄層トランジスタ及びこれらを備えた装置を提供する。
【解決手段】ラジカル重合可能な不飽和性部位と、無電解めっきの触媒を吸着する部位とを有する疎水性ポリマーであって、該ラジカル重合可能な不飽和性部位と該無電解めっきの触媒を吸着する部位の構成比が、６０：４０〜３０：７０である疎水性ポリマー。このポリマーを重合開始層に結合させてグラフトポリマー層を形成し、そこに無電解めっき触媒を付与し、無電解めっきを行うことで、表面に導電性膜が形成された積層体を得る。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側面をチャネル領域に利用した電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極の側面を利用してソース電極及びドレイン電極を同時にかつ均一な厚みで形成する。
【解決手段】基板１と、第１の側面２ａ、上面２ｂ及び第２の側面２ｃを有するゲート電極２と、ソース電極及びドレイン電極の内の一方を構成する第１の電極４と、他方を構成する第２の電極５と、半導体層６とを備え、第２の側面２ｃは、基板１の法線方向からの傾斜角ａが、０＜ａ≦３０°の範囲となるように、第２の電極５側に傾斜して形成され、第１の側面２ａは、基板１の法線方向からの傾斜角ｂが、０＜ｂ＜９０°の範囲となるように、第２の側面２ｃと同じ方向に傾斜して形成されており、第１の電極４と第２の電極５が、ゲート電極２の第２の側面２ｃによって分断して形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の有機材料層に対する影響を抑制または防止しつつ、当該基板上に別の材料層の微細パターンを形成することができる有機材料装置の製造方法を提供すること
【解決手段】 この有機半導体装置は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機材料層４と、電極５，６とを備えている。作製にあたり、有機材料層４上に犠牲層８が形成され、その犠牲層８の上にフォトレジスト９が形成される。その後、所定のパターンで露光され、露光された部分のフォトレジスト９がアルカリ現像液によって溶解させられる。次いで、全面が露光され、電極５，６が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト９と共に電極５，６の不要部分がリフトオフされることにより、電極５，６がパターン化される。 （もっと読む）

【課題】電極材料の材料選択性が広く、キャリア注入効率の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決方法】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜が順次積層され、且つ前記ゲート絶縁膜上にソース電極とドレイン電極が設けられ、且つ半導体膜が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ゲート絶縁膜上に設けられた薄膜トランジスタであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極が電子吸引性の官能基を有する化合物で表面処理されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ照射の際に下地の表面状態が変化することを防止でき、信頼性のある半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１０上に密着層１２を形成する工程と、密着層１２上に電極用層１３ａを形成する工程と、電極用層１３ａ上にレジストマスク２０を形成する工程と、レジストマスク２０を用いて電極用層１３ａをパターニングして、ソース／ドレイン電極１３を形成する工程と、レジストマスク２０を除去する工程と、密着層１２をエッチングする工程とを有し、ソース／ドレイン電極１３を形成する工程と、前記密着層をエッチングする工程の間にプラズマを照射する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極と有機半導体層との間に、高い反応性を維持しながらもより安定した自己組織化単分子膜を形成し、電荷移動度の面で向上した電気的特性を示す有機薄膜トランジスタの提供。
【解決手段】基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁層３、ソース／ドレイン電極４／５、有機半導体層７、の有機薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン電極４／５と有機半導体層７との間に、分子間の架橋結合を形成しない単結合型リン酸エステル系自己組織化単分子膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置よりもさらに薄型、好ましくはトータルの厚さが３０μｍ程度以下であり、かつ湾曲させたり、折り曲げたりしても特性が変化せず、もとの形状を回復することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子からなる厚さ２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の支持層２０３と、前記支持層２０３上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置、ならびに、基板２０１上にアルミニウムから構成される剥離層２０２、高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、アルカリ溶液を用いて該剥離層２０２を溶解して該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法、および基板２０１上に高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、機械的力を加えることにより該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高いトランジスタ性能が得られると共に、製造が容易な有機トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の有機トランジスタ１０によれば、ソース電極上面１８ａおよびドレイン電極上面２０ａが、有機単分子膜２４で被覆されているので、有機単分子膜２４で被覆されてない場合に比較して、ソース電極１８上およびドレイン電極２０上においても、結晶粒２２ａが大きく成長する。よって、有機半導体層２２を電流が効率良く流れ、高いトランジスタ性能が得られる。 （もっと読む）

【課題】導電パターンの角部の盛り上がりが少なく、絶縁層を介して積層配線構造とした場合でも絶縁特性の良好な配線パターンと、これを用いた電子素子等を提供する。
【解決手段】濡れ性変化層2に、エネルギーを付与して高表面エネルギー部3とし、その上に導電性液体により導電パターン5を形成して配線パターン1とする。その際、導電パターンの平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線形状とし、その断面視形状は該角部の盛り上がりが少なく、パターン中央部となだらかに連なり全体が略平坦な形状とする。配線パターン1を用いて積層配線パターン、積層配線基板を構成する。又は濡れ性変化層2の低表面エネルギー部に接して半導体層を設け、電子素子、有機半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】特に、汎用のプラスチック基板等の上に、前記プラスチック基板等に影響を及ぼさない、２００℃以下のプロセス温度での処理によって、より優れた特性を有する絶縁層と、導電層とを形成できるため、信頼性に優れた、実用レベルの品質を有する電子回路部品を製造することができる、有機ＴＦＴ１等の電子回路部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドおよびその前駆体のうちの少なくとも一方を含む層を、２００℃以下の温度に加熱して、水との接触角が８０°以上である絶縁層４を形成し、前記絶縁層４の上に、金属ナノ粒子を含む分散液からなる塗膜を形成して、前記塗膜を２００℃以下の温度で焼成して、ソース電極５、ドレイン電極６等の導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性に優れ、かつ、特性が経時的に劣化するのを防止し得る電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの表面に形成された中間層６０と、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆い、かつ、中間層６０と接触するように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有する。中間層６０は、親水部と、該親水部よりも疎水性を示す疎水部とが連結した重合物を主材料として構成され、前記重合物は、中間層６０中において、前記親水部をソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ側に、前記疎水部を有機半導体層３０側にして配向している （もっと読む）

【課題】高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置の提供。
【解決手段】少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体。 （もっと読む）

ダイオードの製造方法を開示する。一実施形態では本方法は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）のエピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成する工程と、前記ショットキーコンタクトを３００℃から７００℃の範囲の温度でアニールする工程とを含む。ショットキーコンタクトは、モリブデン（Ｍｏ）層はモリブデン層により形成される。
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【課題】種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供する。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれる多数のドット状の親液領域１２が、規則的に配設されてなる配線形成用基板１０である。 （もっと読む）

低温で高分子基板材料に完全に適合する高分子膜上の薄膜トランジスタ装置の製造。この工程は、インクジェット及び他の標準的な印刷技術を用いて製造することができるミクロンサイズのゲート長の構造を生成する。この工程は、電界放出装置における表面伝導放出配置用に開発された微小クラック技術に基づく。
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【課題】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板に係り、より詳しくは、有機半導体物質を半導体層とする液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に金属物質で構成されて、相互に離隔して形成された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と；透明導電性物質で構成されて、前記第１ソース電極及び前記第１ドレイン電極の上部面を覆う第２ソース電極及び第２ドレイン電極と；前記第２ドレイン電極と接触する画素電極と；前記基板上に形成された有機半導体層と；前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と；前記基板上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なコンタクトホールを有する絶縁膜を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】背面側基板１０１の表面側に設けられたドレイン電極１０６の表面の所望の箇所に、撥水性パターンＳを塗布形成する第１工程と、ドレイン電極１０６上を含むゲート絶縁膜１０４上に、撥水性パターンＳよりも表面エネルギーの高い絶縁材料含有液を塗布することで、撥水性パターンＳ上にコンタクトホール１０８ａを有する層間絶縁膜１０８を形成する第２工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を完全に埋め込むことが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成されたゲート電極２と、上記ゲート電極２の両側で上記半導体基板１上に配設されたソースドレイン電極３と、上記各ソースドレイン電極３間に塗布され、上記ゲート電極２を埋め込む埋め込み材４とを備えた半導体装置において、上記各ソースドレイン電極３の上記半導体基板１の表面から上端までの高さを、上記ゲート電極２の上記半導体基板１の表面から上端までの高さより高くした構成とする。 （もっと読む）

【課題】従来の方法による有機電子素子製造時に問題とされる、ソース／ドレイン電極材料が特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服して、データライン材料と相異なるソース／ドレイン電極材料を使用できる有機電子素子の電極形成方法、これによって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ及びこれを含む表示素子を提供する。
【解決手段】有機電子素子の電極形成時に、パターニング及び精密度面で良好でありながらも、ソース／ドレイン電極材料が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）など特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服し、一般金属や金属酸化物だけでなく、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物などを含む伝導性物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明はエミッタ−ベーススペーサ領域中に低Ｋ材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウエハ基板上に配置されたバイポーラトランジスタを供する。バイポーラトランジスタは半導体ウエハ基板中に配置されたコレクタ、コレクタ中に配置されたベース、ベース上に配置され、ベースの少くとも一部と接触するエミッタを含んでよく、エミッタはその中に低Ｋ層を有する。低Ｋ層はたとえば、エミッタの一方の側に近接して配置するか、エミッタの相対する側に近接して配置してよい。しかし、すべての実施例において、低Ｋ層はバイポーラトランジスタの適切な機能を妨げず、従来のバイポーラトランジスタに典型的に付随したエミッタ−ベース容量を、本質的に減す。 （もっと読む）