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Fターム[4M104EE18]の内容

半導体の電極 (138,591) | 絶縁膜(特徴のあるもの) (8,323) | 材質 (4,070) | 有機物 (303)

Fターム[4M104EE18]に分類される特許

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【課題】塗装プロセスを用いた印刷技術により必要な配線やトランジスタ等の素子を形成するにあたり、前記配線の精度を容易に確保することができると共に配線形成に要する時間を短縮することができ、そして、これにより必要な配線やトランジスタ等の素子を実装・搭載した半導体デバイスのトータルのタットタイムを短縮することができる有利な構造の素子内蔵型配線フィルムを提供すること。
【解決手段】長尺の絶縁テープ1もしくは絶縁シート上に微細な配線パターン2を形成した配線フィルム3上に、配線パターン2を構成する配線4の一部を取り込んでトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子を構成する材料を含有するインクを用いた塗装プロセスを施すことにより、前記素子を直接且つ一体に形成した、素子内蔵型配線フィルム。 (もっと読む)


【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、On/Off特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体6上にゲート電極5、ゲート絶縁層2、ソース電極3及びドレイン電極4、金属酸化物半導体層1を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層2a該ポリマー絶縁層上の無機層2bからなり、無機層2bの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の第2の金属を含む第2金属含有膜を形成する際に、下地膜としてRu等の第1の金属を含む第1金属含有膜を介在させることにより上記第2金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層3が露出する凹部2を有する絶縁層1が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第1の金属を含む第1金属含有膜を形成する第1金属含有膜形成工程と、前記第1金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第2の金属を含む第2金属含有膜を形成する第2金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてRu等の第1の金属を含む第1金属含有膜を介在させて上記第2金属含有膜を効率的に形成する。 (もっと読む)


【課題】大気中動作に優れており、また電気特性が経時的に劣化し難く、高いキャリア移動度とともに大きなon/off比を有する有機トランジスター、および有機トランジスターの製造方法、かかる有機トランジスターを備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【解決手段】本適用例の有機トランジスター1Aは、ソース電極20aと、ドレイン電極20bと、ソース電極20aとドレイン電極20bとの間に設けられた有機半導体膜30と、ゲート電極50と、有機半導体膜30とゲート電極50との間に設けられ、ゲート電極50と接する第1のゲート絶縁膜40aと、有機半導体膜30と接する第2のゲート絶縁膜40bとを有するゲート絶縁膜40と、を備え、第2のゲート絶縁膜40bが炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換デバイスの表面に高アスペクト比の配線を容易に形成する。
【解決手段】基板W表面を走査移動する第1吐出部52から、光硬化性樹脂を有する隔壁材料A1を吐出し、その後方でUV光を照射することにより硬化させる。さらに後方を移動する第2吐出部54から配線材料を吐出させる。このとき、配線材料の吐出位置の周縁部には隔壁B1,B2が形成されているので、配線材料は面方向に広がることがなく、高アスペクト比の配線CWを形成することができる。隔壁B1,B2については、封止材と同等の屈折率を有する材料を使い配線とともに封止するか、光照射により半硬化状態として配線形成後に熱処理により揮発させる。 (もっと読む)


【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第4族元素、第5族元素、第6族元素、第13族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第1の開口部および第2の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第1の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第2の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層を用いた薄膜トランジスタと画素電極とを含む層間に発生する応力を緩和することが可能で、これによりトランジスタ特性の劣化を防止して、表示特性および信頼性の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】有機半導体層を用いた薄膜トランジスタが配列形成された基板と、薄膜トランジスタを覆う状態で基板上に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられた画素電極とを備えたものである。特に、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる凹凸表面を有しており、この凹凸表面上に画素電極が設けられていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で、耐熱性、耐久性が優れる高分子化合物を使用し、金属の積層量を任意に制御できる金属膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂を含む基板表面に所望のパターンの遮蔽材を被覆する工程、遮蔽材を被覆した基板表面に積算光量1,000〜1,000,000mJ/cmの活性エネルギー線を照射して被照射部分と未照射部分を形成する工程、及び被照射部分と未照射部分を有する基板表面に金属を積層する工程により金属膜のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能で、移動度、on/off比に優れ、立ち上がり電圧のマイナス側へのシフト、S値劣化、素子間の性能バラツキを改良した、安定性の高い薄膜トランジスタ、および該薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板106上にゲート電極104、ゲート絶縁層105、ソース電極102、ドレイン電極103、及び半導体層101を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層101が塗布によって形成された酸化物半導体からなり、フッ素化合物含有層107がゲート電極104と半導体層101との間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタのオン抵抗の増大や電流コラプスの増加を改善することである。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタは、第1の半導体層6と当該第1の半導体層6とヘテロ接合した第2の半導体層4とを含む半導体構造と、第1の半導体層6上に形成されたソース電極8、ドレイン電極10、及びゲート電極9と、第1の半導体層6上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜11と、を有する。保護膜11の材料は、金属を内包したフラーレンと絶縁材料とが混合した材料でもよく、また、金属を内包したフラーレンと金属を内包しないフラーレンとが混合した材料でもよい。 (もっと読む)


【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体10は、基板11上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層12の紫外線照射領域12aに導電体層13が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 (もっと読む)


【課題】 高温あるいは強反応性化学物質中においても金属、ダイヤモンド接合の品質を保持したまま、機能を発揮するダイヤモンド電極構造を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド表面にルテニウム(Ru)もしくは酸化ルテニウム(RuO2)からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。
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【課題】アゾール−金属錯化合物をゲート絶縁層として使用される有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】自己組織化ゲート絶縁層を作成する方法は、水性溶液中でパターン化ゲート電極上にアゾール−金属錯化合物が自己形成され且つゲート絶縁層の役割を果たすことを可能とする水性処理法。有機薄膜トランジスタ(OTFT)は上記ゲート絶縁層に使用される上記アゾール−金属錯化合物を含むことから、簡素で迅速かつ容易な様式で低コストにて大量に製造される。 (もっと読む)


【課題】製造コストの低く、簡易な工程で微細加工が可能な炭素電極を備える有機トランジスタを製造する。
【解決手段】基体11上にゲート電極12を形成する工程と、ゲート電極12を覆ってゲート絶縁層13を形成する工程と、ゲート絶縁層13上にカーボン溶液を塗布して炭素材料層を形成する工程と、炭素材料層にレーザ光18を照射して選択的に炭素薄膜を形成してソース電極15及びドレイン電極を形成する工程と、ソース電極15及びドレイン電極を覆って有機半導体層を形成する工程とにより有機トランジスタを製造する。 (もっと読む)


【課題】熱処理による電気特性の劣化の少ない有機FETを提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート絶縁層4の上に、ソース電極5とドレイン電極6とが配置され、ソース電極5とドレイン電極6との上に、有機半導体層8を有する有機トランジスタであって、ソース電極5と有機半導体層8との間、およびドレイン電極6と有機半導体層8との間には、単分子膜7を備えることを特徴とする。また、単分子膜7は、チオール類の単分子を含む膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、電子部品に関するもので、接触平面に位置する少なくとも一つの接触表面と、前記接触平面の上方にある少なくとも一つの絶縁層と、該部品の機械的安定性を高めるために、前記絶縁層に接して配置される少なくとも一つの安定化層と、少なくとも一つのボンディング及び/または半田接点とを有し、前記絶縁層及び前記安定化層が少なくとも一つの開口を有し、その開口が、前記接触表面から離れて対向する前記安定化層の一表面に向かって開口するとともに、前記安定化層及び前記絶縁層を通じて前記接触表面まで達し、前記ボンディング及び/または半田接点が、前記安定化層を横切って延び、前記開口を通じて前記接触表面に接する。 (もっと読む)


【課題】ゲート容量の増大を抑制しつつ、耐湿性を大幅に向上させることを可能にした電界効果型トランジスタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体層1上にT型ゲート電極2が形成された電界効果型トランジスタであって、T型ゲート電極2が形成されている領域をトランジスタ能動領域としたとき、当該トランジスタ能動領域全体において、T型ゲート電極2上に設けられた、耐湿性・耐エッチング性の高い絶縁膜若しくは有機膜を含む第1の高耐湿性保護膜5を備え、T型ゲート電極2の傘下を含むT型ゲート電極2の近傍において、半導体層1と第1の高耐湿性保護膜5との間に空隙6が形成されており、空隙6が外界に接している端面6aを第2の高耐湿性保護膜7により塞いだ構成となっている。 (もっと読む)


【課題】耐マイグレーションに強い積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、第1の高表面エネルギー領域及び第2の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、第1の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第1の導電層と、第2の高表面エネルギー領域上及び第1の導電層上に形成された第2の導電層を有し、第1の導電層を第2の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


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