【課題】従来とは異なる構造を有し、かつ複雑ではなく安価な製造方法で実現され得る電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくともゲート（１）と、絶縁体層（２）と、ドレイン（３）と、ソース（４）と、ソース（４）をドレイン（３）に接続する半導体材料（５０）とを含み、ゲート（１）及び絶縁体層（２）は各々ソース（４）、ドレイン（３）、及び半導体材料によって構成されるアセンブリを囲み、絶縁体層（２）がゲート（１）と前記アセンブリとの間に配置される電界効果トランジスタ
ドレイン（３）及びソース（４）は各々第１及び第２の導電体によって構成され、平行に配置され、かつ互いに非接続であり、第１及び第２の導電体はそれらの外周全体にわたって、及び少なくともそれらの長さの一部にわたって半導体材料（５０）の層によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能であり、高移動度で安定性の高い高性能薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０２、ゲート絶縁層３０３、ソース電極３０４、ドレイン電極３０５、及び半導体層３０６を有する薄膜トランジスタであって、半導体層３０６が酸化物半導体を含有し、かつゲート絶縁層３０３が有機基を有するケイ素化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性良好なゲート絶縁膜によってトランジスタ特性を維持しながらも微細化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、表面層を構成するポリパラキシリレン層７ｂとこれとは異なる材料からなる有機絶縁層７ａとを積層してなるゲート絶縁膜７を備えている。ゲート絶縁膜７のポリパラキシリレン層７ｂ上にはソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄがパターン形成されている。またソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ間にわたるゲート絶縁膜７のポリパラキシリレン層７ｂ上には有機半導体層１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電界集中が生じにくくリーク電流を抑えることができ、ＰＮ接合領域における無効領域を小さくでき、ショットキー接合領域の面積を十分に確保でき、効率よく容易に製造できる高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣからなる第１導電型の半導体基板１の一方の面に、ＰＮ接合領域７ａと、ショットキー接合領域７ｂとが設けられ、ＰＮ接合領域７ａには、半導体基板１上に設けられた第２導電型層２を含む断面視台形状の凸状部２ａと、凸状部２ａの第２導電型層２上にオーミック接触されたコンタクト層３とが備えられ、ショットキー電極４が、凸状部２ａの側面とコンタクト層３とを覆い、ＰＮ接合領域７ａおよびショットキー接合領域７ｂに連続して設けられている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層の厚さを大きくすることが容易であり、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が防止された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上にソース電極５及びドレイン電極６を間隔をあけて形成し、次いでこれらソース電極５、ドレイン電極６及び基板１の上に、酸化物半導体層よりなる半導体層４を形成する。この半導体層４の上に有機絶縁層よりなる絶縁層３を形成し、次いでこの絶縁層３上にゲート電極２を形成して、トップゲート構造の薄膜トランジスタ１０を得る。酸化物半導体層を形成した後に有機絶縁層を形成するため、酸化物半導体層の形成時に有機絶縁層中の有機物が酸化物半導体層に混入して半導体特性が劣化することが防止される。有機絶縁層は、金属酸化物絶縁層と比べて、厚さを大きくして耐電圧特性を向上させることが非常に容易である。 （もっと読む）

【課題】電極相互の相対位置関係を確保しながら、その形状を高精度、且つ安定して形成することができる薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】透明基板の上に第１金属電極層、透明絶縁膜、第２金属電極層とが積層された薄膜トランジスタの製造方法であって、透明絶縁膜の上に感光性樹脂層を成膜した後、透明基板の背面よりパターン化された第１金属電極層を介して感光性樹脂層に光を照射し、現像することで、感光性樹脂層を少なくとも第１金属電極層のパターン形状を含む形状にパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を含む透明絶縁膜の上に触媒担持層を形成した後、パターン化された感光性樹脂層を除去することで、触媒担持層をパターン化する工程と、パターン化された触媒担持層の上に触媒型無電解めっきすることでパターン化された第２金属電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】誘電体層と半導体層の間の所定の構造の２つの界面層を有する、オン／オフ比や移動度の改良された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ＯＴＦＴ１０は、誘電体層４０と半導体層７０の間に２つの界面層８０，９０があり、一方の界面層が、シロキサンポリマーまたはシルセスキオキサンポリマーから形成されており、他方の界面層が、式（Ｉ）のシランから形成されている。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｒ’は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキルであり、Ｒ”は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキル、ハロゲン、アルコキシ、ヒドロキシルまたはアミノであり、Ｌは、ハロゲン、酸素、アルコキシ、ヒドロキシル、またはアミノであり、ｋは、１または２であり、ｍは、１、２または３である。） （もっと読む）

【課題】表示装置を駆動させるためのトランジスタとして量子細線を用いた場合に、小型
化および薄型化をより図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１００は、ガラス基板６の表面から上方（矢印Ｚ１方向側）に
向かって延びるように形成された凸部７１（７２）を含むゲート電極７と、ゲート電極７
の凸部７１（７２）と平面的に見て重なるとともに、ゲート電極７上にゲート絶縁膜８を
介して形成される量子細線９と、量子細線９にそれぞれ接続されるソース電極１１および
ドレイン電極１２とを含む量子細線トランジスタ５を備える。また、ゲート電極７の凸部
７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の
部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１ａは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜（絶縁層）１５上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層１７-aとこの上部の金属材料層１７-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜（絶縁層）１５とソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄとにおける酸化物材料層１７-aとの露出面が、自己組織化膜１９で覆われており、この自己組織化膜１９で覆われた上部のソース電極１７ｓ−ドレイン電極１７ｄ間にわたって半導体薄膜２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電流が、縦方向、横方向、そして縦方向と連続的に流れる半導体装置において
縦方向並びに横方向の電流経路に係る電気抵抗を低減し、高効率、高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。堀状の開口部４はＮ＋型ドレイン層７の内部の、Ｎ＋型ドレイン層７とＮ−型エピ層８の境界近傍まで、深く形成されている。そして、堀状の開口部４の中には裏面電極５と電気的に接続された、Ｎ＋型ドレイン層７に比べて抵抗の低い、金属電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】高出力を得やすい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、基板１００と、基板１００上に形成された化合物半導体層１１０と、化合物半導体層１１０を用いて作製されたトランジスタ１２０と、基板１００の裏面から化合物半導体層１１０の厚さ方向の途中まで除去された除去領域１３０と、除去領域１３０に埋め込まれ、前記基板より高い熱伝導度を有する高熱伝導性絶縁体１３１とを備えるものである。 （もっと読む）