【課題】低オン抵抗の縦型トランジスタが形成されてなる半導体装置を提供する。また、マルチチャネル化の自由度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３０の一方の表面である主面側に形成された第1電極と、もう一方の表面である裏面側に形成された第２電極とを有する縦型トランジスタ１０１が形成されてなる半導体装置１００であって、第1電極が、主面上に形成された層間絶縁膜４３を介して、主面側の半導体基板３０表層部に形成された拡散領域４１，４２，４８に接続する第１金属層４４からなり、裏面側には、半導体基板３０の内部に向かってトレンチ３５が形成され、第２電極が、トレンチ内に形成され、トレンチ３５によって露出された半導体基板３０内の半導体層３３に接続する第２金属層３７からなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）