Fターム[4M104FF18]の内容
Fターム[4M104FF18]に分類される特許
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バリヤ金属上に直接銅めっきするマルチステップ電着法
本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 (もっと読む)
銅メタライゼーションのためのALD窒化タンタルの集積
窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 (もっと読む)
バリヤ物質の原子層堆積
1以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の1以上のパルスと窒素含有化合物の1以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の1以上のパルスと還元剤の1以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 (もっと読む)
半導体処理システムのための前駆物質を生成する方法及び装置
本発明の実施形態は、半導体処理システム(320)の前駆物質を生成する装置に関する。装置は、側壁(402)、上部、底部を有するキャニスタ(300)を含んでいる。キャニスタ(300)は、上の領域(418)と下の領域(434)を有する内容積(438)を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ(300)を部分的に取り囲んでいるヒータ(430)を含んでいる。ヒータ(430)によって、上の領域(418)と下の領域(434)間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 (もっと読む)
多層配線構造の製造方法
【課題】バリアメタル膜の表面に形成される自然酸化膜の膜厚を薄くし、ボイドの発生を防止した多層配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法において、絶縁層に孔部4を形成する工程と、少なくとも孔部の内壁を覆うように、タンタルと窒素を主成分とするバリアメタル膜5を形成する工程と、バリアメタル膜の表面に形成された酸化膜6を除去する工程と、銅を含むめっき液にバリアメタル膜を浸漬してバリアメタル膜上に無電解銅めっき膜7を形成する工程とを含み、バリアメタル膜に含まれる窒素とタンタルの元素組成比(N/Ta)を、0.3以上で、かつ1.5以下とする。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル201 が、配線溝16の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚16nmのTaN0.87膜31と、TaN0.87膜上に形成され、配線溝16に埋め込み形成されたCuダマシン配線17に接する膜厚4nmのTaN1.19膜32とから構成されている。
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高温水素含有プラズマによるチャンバ及びウェーハ表面から物質を除去する方法及び装置
半導体ウェーハ処理装置(10)のチャンバ(16)と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのICP電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で20%から80%の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Si及びSiO2汚染物質又はCFx汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト(46)から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。
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表示装置及びその作製方法
【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。
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配線構造並びにその形成方法及び装置
【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Cu板と基板3との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるCl2 ガスのプラズマによりCu板をエッチングすることによりCu成分とCl2 ガスとの前駆体であるCuClを形成し、この前駆体が基板3に吸着され、その後Cu成分を析出させることによりCuの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたCu膜をCl2 ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部3aにその底部から順にCu膜を積層してこの凹部3aにCuを埋め込んだ。
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配線基板の製造方法、半導体装置及びめっき装置
【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10の一方の面10aに少なくとも孔10bを形成する工程と、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上と、孔10bの内面上とに、めっき給電層14を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層14を介して、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上に形成され、かつ孔10bを埋め込む金属層18を形成する工程と、金属層18を研磨することにより、孔10bに金属層18が埋め込まれた金属層のパターン17a,17bを形成する工程とを有する。
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配線構造とその製造方法
【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層(有機絶縁膜層)30と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域(ミキシング層31)を形成した。
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多層配線構造の製造方法及びその構造
【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。
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電極構造体の形成方法及び半導体装置の製造方法
【課題】 ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。
【解決手段】 半導体基板10上にゲート絶縁膜11を介してポリシリコン膜12を堆積した後、該ポリシリコン膜12の上に、第1の窒化チタン膜14、チタン膜15及び第2の窒化チタン膜16からなるバリア膜を形成する。バリア膜の上にタングステン膜18を堆積して、ポリシリコン膜12、第1の窒化チタン膜14、チタン膜15、第2の窒化チタン膜16及びタングステン膜18からなる電極構造体を形成した後、該電極構造体に対して750℃以上の熱処理を施す。このようにすると、第1の窒化チタン膜14中の窒素がチタン膜15及びポリシリコン膜12に拡散して、ポリシリコン膜12とタングステン膜18との間に新たな窒化チタン膜19が形成されると共に、ポリシリコン膜12の表面に窒化シリコンからなり厚さの小さい反応層20が形成される。
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