【課題】 コンタクトプラグとのコンタクト抵抗を低減したトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 トランジスタとコンタクトプラグとを有する半導体装置であって、トランジスタのドレイン電極は、ゲート電極側に設けられ、導電性不純物が拡散された第１の不純物拡散層３と、第１の不純物拡散層よりもゲート電極から離れて配置され、コンタクトプラグと接触し、第１の不純物拡散層よりも濃度の高い第２の不純物拡散層４と、第２の不純物拡散層よりもゲート電極から離れて配置され、コンタクトプラグと接触し、第２の不純物拡散層よりも濃度の高い第３の不純物拡散層５とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】エミッタ端子及びベース端子が同一な高さを有する高速バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】高速バイポーラトランジスタは、ベースのためのシリコン−ゲルマニウム膜（２５ａ）をコレクタのための半導体膜（１９）上に形成し、エミッタ端子及びコレクタ端子のための接触窓を有する層間絶縁膜（２７）（２９）を形成し開口する。ポリシリコンを蒸着した後ベース、エミッタ接触窓（３５ｂ）（３５ａ）内にポリシリコンを充填し、イオン注入熱処理工程により、エミッタ拡散部（３６）を形成する。その後、平坦化処理により、同一高さをもつポリシリコンエミッタ端子及びポリシリコンベース端子を形成する。更に、エミッタ及びベース接触窓と、金属配線との間に安定的なシリサイド膜を形成でき、低抵抗なエミッタ、ベース接触窓を持つバイポーラトランジスタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、凸形状の半導体素子領域２３を有する基板２１と、素子領域２３の上面及び側面に形成されたゲート電極と、素子領域２３を被覆し且つコンタクトホールが設けられた絶縁膜４１と、コンタクトホールを埋め込み且つ素子領域２３と接触した第１及び第２コンタクト配線４３とを具備し、素子領域２３内にはソース領域４７とドレイン領域４８とが互いから離間して及び第１及び第２コンタクト配線４３とそれぞれ接触して設けられ、少なくとも一方のコンタクト配線４３は素子領域２３の上面の一部と側面の一部との双方に接触し、そのコンタクト配線４３と接触したソース領域４７またはドレイン領域４８の厚さはコンタクト配線４３と接触していない位置に比べコンタクト配線４３と接触した位置でより厚い。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、アルミ二ウム配線で発生するヒールロックを減少させる、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、下部アルミ二ウム層と、前記下部アルミ二ウム層の上に形成されている窒化アルミ二ウム層と、前記窒化アルミ二ウム層の上に形成されている上部アルミ二ウム層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰプロセスを用いることなく、高アスペクト比の開口を有する接続孔にも良好な埋め込みが可能である半導体装置の作製方法を提供する。また、従来よりも少ない工程数で、配線形成が可能な方法を提供することを目的とする。更には、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】複数の空孔を有する絶縁膜表面に撥水表面を有する膜を形成し、撥水表面を有する膜の一部に光を照射して、親水表面を有する領域を形成した後、親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、焼成して導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】０.１５μｍ世代以下のＭＩＳＦＥＴの高速動作を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０ｎおよびサイドウォールスペーサ１５をマスクとして、基板１の法線方向からｎ型不純物をイオン注入し、ソース、ドレイン拡散領域１１ｂを形成した後、基板１の法線方向に対して所定の角度を有する斜め打ち込みでｎ型不純物をイオン注入し、基板１の表面から深さ２０〜４０ｎｍ程度の位置にソース、ドレイン拡張領域１１ａよりも相対的に不純物濃度の高いｎ型半導体領域１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ配線を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）と、前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜（２１，２２）と、前記第１の絶縁膜に埋め込まれたＣｕ配線（２５）と、前記Ｃｕ配線上に形成された第２の絶縁膜（２７）を具備する半導体装置である。前記Ｃｕ配線と前記第２の絶縁膜との界面には、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属またはその酸化物（２８）が不連続に存在することを特徴とする。 （もっと読む）

成膜チャンバ（１１）の前段にロードロックチャンバ（１２）が、ダンパ等を介して連結されている。ロードロックチャンバ（１２）には、Ｎ_２ガス及び気体又は霧状のＨ_２Ｏが供給される配管が連結されている。この配管は、ベーパライザ（１３）から繋がっている。ロードロックチャンバ（１２）内には、ウェハ（２０）が載置される搬送部（１５）が設けられ、ロードロックチャンバ（１２）の外部には、液体窒素を用いて搬送部（１５）を冷却する冷却器（１４）が配置されている。搬送部（１５）の温度は、例えば−４℃に保持される。
（もっと読む）

【課題】下部膜の特性劣化を防止し、スループットを向上させ、低比抵抗及び優れた段差被覆性を有する金属化合物膜の蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】金属化合物膜の蒸着方法では、金属を含む第１ソースガスと、前記金属と結合可能な物質を含む第２ソースガスを表面反応による蒸着率が物質伝達による蒸着率より大きい第１流量比で供給して基板上に第１金属化合物膜を蒸着する。前記第１ソースガスと第２ソースガスを前記第１流量比と異なる第２流量比で供給して前記第１金属化合物膜上に第２金属化合物膜を蒸着すると同時に、前記第１金属化合物膜及び前記第２金属化合物膜から所望しない物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成される孔部に臨む基板の内壁に塗布材を塗布する際、塗布材の未塗布部の発生を容易に防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 大気圧よりも低い圧力を有するチャンバ内に載置される基板の孔部の開口部をキャップ状に塞ぐように塗布材を供給した後、チャンバ内の圧力を、たとえば参照符５２で示すように段階的に高くすることによって、塗布材が破断しないように調整しながら高め、孔部の開口部をキャップ状に塞ぐ塗布材を孔部の内部に吸引して孔部に臨む基板の内壁に塗布材を塗布する。このようにして、吸引される塗布材を破断させることなく孔部に臨む基板の内壁に塗布することができる。 （もっと読む）

【課題】 微小開口の孔の形成が容易で、断線が発生しにくく、且つオーバーエッチングによる電極等の再付着現象を発生させないようにする。
【解決手段】 有機系の第２の絶縁層２２を珪素系の第１の絶縁層２１と第３の絶縁層２３で挟んで絶縁膜２０を形成し、その絶縁膜に対して、異方性エッチングと異方性の強いエッチングを交互に繰り返すことにより、第２の絶縁層２２部分に段部２９を有し、基板側に向かって凸型の孔３０を形成し、回路素子１の電極１ａと絶縁膜表面との間を接続する配線部として蒸着される導電材が、段部２９に堆積する導電材を介して一体化するようにしている。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、基板Ｗを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ１６０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１４と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０，２２４と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源２３０を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】基板１０Ａの表面Ｓにヘキサメチルシラザンを基板１０Ａの表面Ｓに塗布し、ＨＭＤＳ層１２を形成するヘキサメチルシラザン層形成工程と、ＨＭＤＳ層１２上に、有機感光性材料層を形成する有機感光性材料層形成工程と、前記有機感光性材料層をパターニングしてバンクパターン１８を形成する工程と、バンクパターン１８によって縁取られた領域に、インクジェット法を用いて、導電性材料を付与する導電性材料付与工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボディ浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された埋め込み絶縁層２と、埋め込み絶縁層２上に形成された半導体層３とを備えるＳＯＩ構造の半導体装置であって、半導体層３は、第１導電型のボディ領域４、第２導電型のソース領域５及び第２導電型のドレイン領域６を有し、ソース領域５とドレイン領域６との間のボディ領域４上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８が形成され、ソース領域５は、第２導電型のエクステンション層５２と、エクステンション層５２と側面で接するシリサイド層５１を備え、シリサイド層５１とボディ領域４との境界部分に生じる空乏層の領域に結晶欠陥領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される液状物質にレーザ光を照射し、金属粒子の一部を溶融した後、レーザ光が照射されない液状物質を除去して、配線、電極等に代表される導電層を基板上に形成することを特徴とする。また、本発明は、上記焼結された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

直径の小さなビアと直径の大きなトレンチ２０５を含む誘電層に金属をメッキする新しい方法で、例えば誘電層２０３の少なくとも非パターン領域におけるメッキ槽においてレベラーの量を低減することによって表面粗度が生成され、後続の化学機械研磨（ＣＭＰ）における材料除去の均一性を向上させる。
（もっと読む）

【課題】 基板の一表面から他表面にわたって延びる配線を、貫通孔に確実に形成することができる基板の貫通配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基材２４に、第１樹脂層２７および金属層４０をこの順番で積層して形成する。金属層４０に第１貫通孔４４を形成し、第１貫通孔４４に連通するように第１樹脂層２７および半導体基材２４に、第２貫通孔４５および未貫通孔４６をそれぞれ形成する。導電性樹脂材料６２を第１貫通孔４４に供給すると、金属層４０と導電性樹脂材料６２との接触角が大きいので、導電性樹脂材料６２は、金属層４０の表面に広がらず、第１貫通孔４４を確実に閉塞することができ、圧力差を利用して導電性樹脂材料６２を未貫通孔４６に確実に注入することができる。導電性樹脂材料６２を硬化させ、半導体基材２４の一部を他表面３６側から除去することによって貫通配線２１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ボイドに起因するコンタクトプラグ同士の短絡を防止し、且つコンタクト抵抗の上昇や接触不良を抑制する。
【解決手段】半導体基板１１に接続されたコンタクトプラグ１３を収容する層間絶縁膜１２上に形成された配線層１５ａ，１５ｂの側壁を覆うサイドウォール絶縁膜１６、配線層及びサイドウォール絶縁膜１６を覆う層間絶縁膜１７上に容量素子３１、層間絶縁膜１７を貫通し、コンタクトプラグ１３と容量素子の電極を接続するコンタクトプラグ２９とを備えた半導体装置１０において、プラグ２９を、少なくとも一部の側壁がサイドウォール絶縁膜１６と自己整合的に形成されたコンタクトホール１９内に、プラグ１３上に順次に堆積された第１と第２の導電膜２０，２２で構成し、第１の導電膜をコンタクトホール１９の側壁と接して形成するとともに、第２の導電膜をコンタクトホール１９の側壁上に形成されたサイドウォール絶縁膜２１の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン領域の占有面積が小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１９１０は、素子分離領域１０１と活性領域１０２とを有する半導体基板１００と、活性領域１０２上にゲート絶縁膜１０３を介して設けられ、側壁の少なくとも一部がゲート電極側壁絶縁膜１０５で覆われたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４の両側にゲート電極側壁絶縁膜１０５を介してそれぞれ設けられたソース領域１０６およびドレイン領域１０６とを備えている。ソース領域１０６およびドレイン領域１０６の少なくとも一方は、コンタクト配線と接触するための第２の面を有し、第２の面は、第１の面ＡＡ’に対して傾いており、第２の面は、素子分離領域の表面と８０度以下の角度で交差する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）