半導体デバイスはナノワイヤ（１６）を使用して製造される。ナノワイヤ（１６）に沿う伝導を制御するために導電ゲート（２２）が使用されても良い。この場合、一方の接点がドレイン（１２）であり、他方がソース（１８）である。ナノワイヤ（１６）は、基板（２）中の或いは特に基板（２）上の表面層（３）中のトレンチまたは貫通穴（８）内で成長されても良い。ゲート（２２）はナノワイヤ（１６）の一端にだけ設けられても良い。ナノワイヤ（１６）は、その全長にわたって同じ材料から成ることができ、あるいは、異なる材料を使用することができ、特に、ゲート（２２）の近傍およびゲート（２２）とトレンチの底部との間で異なる材料を使用できる。
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【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）

本発明は、実質的に真性な半導体の基板（１５８）の領域に注入された、計数された数のドーパントイオン（１４２）を有する汎用タイプの半導体装置に関する。基板（１５８）の一つ以上のドープされた表面領域は、金属化され、電極（１５０）が形成される。計数された数のドーパントイオン（１４２）が、実質的に真性な半導体の領域に注入される。

【その他】
原文には、請求項１１及び請求項１１Ａが存在する。請求項１１Ａは、オンライン手続上、請求項１１内に記載した。

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有機ショットキーダイオードは多結晶有機半導体層を含み、その層の一方の側面に整流接触部を有する。上記多結晶有機半導体層のもう一方の側面に非晶質のドープ半導体層が配置され、これが上記半導体層とオーミック接触層の間のバッファとして働く。
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トランジスタおよびその製造方法。ゲート誘電体材料を堆積する前に半導体基材をドープする。別個のアニール工程、または、トランジスタを製造するために使用される後続のアニール工程の間を用いて、ドーパント種を、基材のドープされた領域から、ゲート誘電体内に出力拡散して、ドープされたゲート誘電体を生成する。ドーパント種は、ゲート誘電体の原子構造における各空孔を埋め、その結果、トランジスタの動作速度が上昇し、電力消費が低減され、電圧安定性が改善される。
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窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを低減し品質の均一性および安定性を高めたモノリシック集積型エンハンスメントモード／デプリーションモードＦＥＴデバイスを提供する。
【解決手段】 単一の半導体多層構造でデプリーションモード（Ｄモード）ＦＥＴをエンハンスメントモード（Ｅモード）ＦＥＴとモノリシックに集積回路化する。上記多層構造にはチャネル層を設け、その上に障壁層をオーバーレイし、さらにその上にオームコンタクト層をオーバーレイする。これらＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのソースコンタクトおよびドレーンコンタクトをオームコンタクト層に接続する。またＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層に接続する。障壁層の中のＥモードゲートコンタクトの下に非晶質化領域を設ける。この非晶質化領域が障壁層との間の埋込みＥモードSchottkyコンタクトを構成する。代わりに実施例ではＤモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層にオーバーレイした第１の層に接続し、その第１の層の中にＤモード非晶質化領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】より小型が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、シリコン基板１０の一方の主面に形成することにより、カソード電極２２及びアノード電極２３とをリードフレーム２６に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、研磨等により厚さが２００μｍ以下にされ、（　０　０　０−１）Ｃ面を上面とするＳｉＣ基板１１ａと、ＳｉＣ基板１１ａの上面上に順に設けられた半導体からなるエピタキシャル成長層１２，ショットキー電極１４及び上部電極１６と、Ｓｉ面であるＳｉＣ基板１１ａの裏面上に順に設けられたオーミック電極１５及び下部電極１７とを備えている。ＳｉＣ基板１１ａが従来の基板よりも薄いため、動作時のオン抵抗が大きく低減されている。 （もっと読む）

【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）