【課題】 リーク電流を低減することで、アクティブ領域の大きなＳｉＣショットキーダイオードを高い良品率で提供する。
【解決手段】 ＳｉＣジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ショットキー接合界面にかかる電界強度を０．１ＭＶ／ｃｍ以下になるようにトレンチの深さと間隔を設定することで実現する。その結果として、リーク電流が低減し、アクティブ領域の大きなＳｉＣショットキーダイオードを高い良品率で提供できる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣを含む基板を用いた接合障壁ショットキーダイオードの逆バイアス時の耐圧の低下を抑制することで、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 ０．１ｃｍ^２以上のアクティブ面積を有するＪＢＳダイオードにおいて、アクティブ領域内の接合障壁領域であるｐ型半導体領域３の割合を相対的に大きくすることで、ドリフト層２とショットキー電極４とが接するショットキー界面の面積を十分に小さくし、ドリフト層２内に存在する欠陥に起因する耐圧の低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で半導体装置に長時間逆バイアスを与えた場合であってもリーク電流が増加したり耐圧が低下したりすることのない、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層（第１導電型の半導体層）１１４と、活性領域Ｒ１に形成された複数の柱状埋込層１１８と、活性領域Ｒ１に形成されたショットキーバリアメタル層（第１電極層）１３２と、耐圧領域Ｒ２に形成された複数のガードリング層（環状柱状埋込層）１２４と、耐圧領域Ｒ２及び周辺領域Ｒ３に形成された絶縁層１３０とを備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、周辺領域Ｒ３に形成された第２ガードリング層（第２環状柱状埋込層）１３６と、周辺領域Ｒ３に形成された環状導電層１４２とをさらに備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】 空乏層がｐ型領域からショットキー接続部に広がり易いダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の一方の表面に形成されているアノード電極と、半導体基板の他方の表面に形成されているカソード電極と、半導体基板内に形成されており、アノード電極に対してオーミック接続されているｐ型領域と、半導体基板内に形成されており、ｐ型領域に隣接しており、アノード電極に対してショットキー接続されており、カソード電極に対してオーミック接続されているｎ型領域を有するダイオードの製造方法。この製造方法は、ｐ型不純物をマスクを通して半導体基板に注入する第１注入ステップと、その後に、第１注入ステップと注入深さを変更して前記ｐ型不純物と同種のｐ型不純物を前記マスクと同一のマスクを通して半導体基板に注入する第２注入ステップとを実行することで、前記ｐ型領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐圧を低下させることなく、トレンチ開口幅を小さくすることができるショットキー接合型半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチの断面形状を、トレンチの底面部の中央が高く、周辺が低いサブトレンチ形状とし、ｐ型不純物をドリフト層表面に対して垂直に導入することで、サブトレンチが設けられたトレンチの内壁部に接するように形成されたｐ＋ＳｉＣ領域が、トレンチの底面の中央での接合位置よりも、トレンチの底面の周辺での接合位置が深くなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを含む基板を用いたショットキーダイオードのショットキー界面のドリフト層に結晶欠陥が生じている場合に、逆方向漏れ電流の発生を防ぐことで、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上のドリフト層２とショットキー電極４とのショットキー接合部を含むショットキーダイオードにおいて、ドリフト層２の上面に達する結晶欠陥１２の上面に、ショットキー電極４を構成する金属に応じて規定される濃度および深さで、アクセプタ不純物を導入してｐ型半導体領域３を形成し、逆方向漏れ電流の増大を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高耐圧を確保できながら、逆方向リーク電流および順方向電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】その表面１２にショットキーメタル２２が形成されたエピタキシャル層６を備えるショットキーバリアダイオード１において、エピタキシャル層６の表面１２に沿う方向に互いに間隔を空けて配列され、それぞれが表面１２から裏面１１へ向かってエピタキシャル層６の厚さ方向に延びるｐ型ピラー層１７を形成することにより、エピタキシャル層６にスーパージャンクション構造を形成する。また、エピタキシャル層６の表面１２の近傍に、ｐ型ピラー層１７よりも不純物濃度の高い電界緩和層１９を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー電極形成前に酸洗浄を行ってもｐ型オーミック電極がその酸に曝されることなく、ｐ型オーミック電極とショットキー電極との電気的接続が良好な炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に形成された複数のｐ型不純物領域３と、ｐ型不純物領域３上の一部に形成されたｐ型オーミック電極４と、ｐ型不純物領域３上の一部に、ｐ型オーミック電極４を覆うように形成された耐酸性のバリアメタル層５と、バリアメタル層５、ｐ型不純物領域３、及びｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極６と、ショットキー電極６上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板１のｎ型炭化珪素層が形成されていない側に形成された第２の電極と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一般にショットキー整流器は定格逆電圧での逆漏れが高く、一方ＰＮ構造ダイオードは逆漏れがすくない。両者を並列接続し、低順方向電圧降下を与えると共に、両端で逆サージを保護する。
【解決手段】低逆電圧定格化ＰＮダイオード、および独立集積回路素子におけるＰＮダイオードに電気的に並列接続した高逆電圧定格化ショットキー整流器からなる低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサー。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界集中を緩和することで十分なサージ電流耐性を有した半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、炭化珪素からなる第１導電型の半導体層としてのｎ型半導体層１と、ｎ型半導体層１表層において、ショットキーダイオードの素子領域を平面視上囲んで形成された、第２導電型の第１不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ａと、ｎ型半導体層１表層において、素子領域を、少なくともｐ＋＋型半導体層５ａの平面視上外側から囲んで形成された、第２導電型の第２不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ｂと、ｐ＋＋型半導体層５ａ表層まで延設して素子領域上に形成されたアノード電極３とを備え、ｐ＋＋型半導体層５ａの不純物濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高速回復整流器構造体の装置および方法を提供する。
【解決手段】具体的には構造体は第１のドーパントの基板（１２０）を含む。第１のドーパントが低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層（１４０）が基板に結合されている。第１の金属層（１９０）が第１のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ（１７５）が第１のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層（１７０）が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第１のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、２つの対応するウェル間の第１のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域（１５０）の各々は第１のエピタキシャル層より高濃度に第１のドーパントがドープされている。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】４°以下のオフ角を有するＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成され、その表面１０に０．５ｎｍ以上の高さのステップバンチング９が形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ステップバンチング９の線密度を４０ｃｍ^−１以下にする。 （もっと読む）

【課題】ソース領域に３Ｃ−ＳｉＣ構造のＳｉＣを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１のｎ型炭化珪素層と、第１のｎ型炭化珪素層よりもｎ型不物濃度の低い第２のｎ型炭化珪素層を有する半導体基板と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される第１のｐ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される４Ｈ−ＳｉＣ構造の第１のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成され、第１のｎ型不純物領域よりも深さの浅い３Ｃ−ＳｉＣ構造の第２のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層、第１のｐ型不純物領域、第１のｎ型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第１のｎ型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第１のｎ型不純物領域との間に第２のｎ型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、低損失な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板にイオン注入する工程と、前記イオン注入がされた炭化珪素基板に第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理がされた炭化珪素基板に前記第１の熱処理より低温の第２の熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成されたデバイスに対して、低温の熱工程にて良好なオーミック特性を備える電極を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されるｎ型不純物領域上およびｐ型不純物領域上に金属シリサイド膜を形成し、ｎ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にリン（Ｐ）をイオン注入し、第１の熱処理を行い、ｐ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にアルミニウム（Ａｌ）をイオン注入し、第１の熱処理よりも低温の第２の熱処理を行う （もっと読む）

【課題】 この実施の形態は、ＳｉＣ半導体基板上に形成されたｎ型半導体領域とｐ型半導体領域を形成した半導体装置において、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域の両領域にまたがって、単一の金属電極用いて同時コンタクトを形成することを目的としている。
【解決手段】 この実施の形態の半導体装置は、導電性材料を用いた第１の電極２４０に、導電型がｐ型の第１の炭化珪素（ＳｉＣ）半導体部２２０と、導電型がｎ型の第２のＳｉＣ半導体部２３０とが接続され、前記第１の電極と前記第１の界面部において炭素（Ｃ）の面密度がピークになるようしている。 （もっと読む）