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Fターム[4M104GG01]の内容

半導体の電極 (138,591) | 適用素子 (17,168) | 2端子素子 (1,359)

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【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子300(アクチュエーター)は、絶縁体膜55上に、第1電極60と、第1電極60の上方に設けられて厚さが3μm以下、好ましくは0.3〜1.5μmの薄膜である圧電体層70と、圧電体層70の上方に設けられた第2電極80とが、積層形成される。圧電膜70であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


種々の材料及びアプローチの1以上を用いてナノ構造体を接続する。種々の例示的実施形態で、ナノ構造体間の接続部で2つ以上のナノ構造体が接続される。ナノ構造体は、接続部で接触するかほぼ接触してよく、接続材料を接続部で堆積及び核形成させてナノ構造体同士を結合する。種々の用途で、核形成した接続材料はナノ構造体間の伝導率(熱的及び/又は電気的)を向上させる。いくつかの実施形態では、接続材料は更に、例えばナノ構造体に沿って成長することにより及び/又はナノ構造体にドープすることにより、ナノ構造体自身の伝導率を上昇させる。
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【課題】プログラム後の誤読み出しを抑制でき、高い信頼性を備える半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1上のチャンネル領域に形成されたゲート酸化膜3と、前記ゲート酸化膜3上に形成されたゲート電極4と、前記チャンネル領域の少なくとも一部に形成されたシリサイド層2と、を有し、前記シリサイド層2は、前記チャンネル領域のうち前記ゲート電極4の全体を除く領域の少なくとも一部を被覆する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜とその製造法、ならびにそれらを用いて製造される有機デバイスを提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解し、導電性を高めるために1次粒子を分割して粒径の小さく揃った溶液を基板の表面に供給すると共に、当該基板を回転させ、前記基板の表面に1次コロイド粒子の単層又は数層からなる塗布膜を形成する。続いて前記基板を加熱して前記塗布膜中の溶媒を除去し、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜を形成する。また前記溶液を基板の中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板の漏れ性を高めるためにプリウエット液を基板の表面に塗布してもよい。 (もっと読む)


導電物質を選択的に形成する方法及び金属導電構造を形成する方法を開示する。下部に横たわる物質領域を露出するように有機物質をパターン化することができる。下部に横たわる物質の上に位置する有機物質の残留部分と反応することなく下部に横たわる物質と反応するプラチナ前駆ガス等の前駆ガスに、下部に横たわる物質を晒してもよい。前駆ガスを原子層蒸着処理に用いてもよく、その間、前駆ガスは導電構造を形成するように下部に横たわる物質と選択的に反応して有機物質とは反応しない。導電構造は、例えば、半導体デバイス製造の様々な段階においてパターニング用マスクとして用いることができる。 (もっと読む)


【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリの製造方法は、基板上方にイリジウム膜331を形成する工程と、イリジウム膜331上に酸化イリジウム層334を形成する工程と、酸化イリジウム層334を非晶質のイリジウム層336とする工程と、非晶質のイリジウム層336を酸化して、酸化イリジウム部337とする酸化工程と、酸化イリジウム部337上にMOCVD法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】反応生成膜に含まれる反応性ガス由来の元素の含有量について基板面内ばらつきを抑えることにより、反応生成膜の膜質の面内ばらつきを抑えることができる非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】反応性スパッタ成膜法により反応生成膜を形成する際、ヒータ7と基板20xとの間に、被成膜面21の内側領域21aと重なる領域に矩形の開口部8bが形成された温度分布調整板8を配置し、被成膜面21の内側領域21aを外周側領域21bに比して低い温度に設定する。このため、内側領域21aでは反応性ガス由来の元素が薄膜に取り込まれやすいので、反応性ガス由来の元素がプラズマの中心に到達しにくいとしても、反応生成膜に含まれる反応性ガス由来の元素量に面内ばらつきを解消することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第1導電性金属化合物膜を形成し、前記第1導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第2導電性金属化合物膜を形成することを含む。第1及び第2導電性金属化合物膜は、第1導電性金属化合物膜が酸素原子に露出されることを防止するか、最小化した状態で形成される。したがって、第1導電性金属化合物膜の劣化を減少させることができる。 (もっと読む)


本発明は、電気装置を製造するための方法であって、基板を供給する工程、前記基板にスタンプを接触させることにより前記基板のスタンプに接触した領域が濡れ性を低下させる工程、及び前記濡れ性が低下された領域の間に位置する基板の領域上に電気的活性な材料から構成される液体を堆積させる工程を含む方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 加圧することにより溶剤を被加工試料に強制的に浸透せしめるリフトオフ加工方法およびリフトオフ加工装置を提供することで、従来の技法では不可能であった微細構造においてもリフトオフ加工の実施を可能とする。
【解決手段】 被加工試料Wを溶剤Gに浸し、加圧することのできる密閉容器1と、該密閉容器1内を加圧する加圧手段2とを備えてなり、被加工試料Wが溶剤Gに浸した状態で密閉容器1内に入れられ、加圧手段2を用いて加圧されるようにして、常圧では浸透できない被加工試料Wの狭隘な隙間まで溶剤Gが押し込まれ、リフトオフ試料物であるレジストマスクを膨潤させることができるようにし、微小なパターンでもリフトオフが可能となるようにしている。 (もっと読む)


【課題】低いオン電圧と低い逆バイアスリーク電流を有するダイオード動作可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】AlXGa1-XN(0≦X<1)からなるキャリア走行層1と、AlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる障壁層2と、障壁層2上に形成されるアノード電極3と、アノード電極3を囲むように間隔をあけて障壁層3上に形成されるカソード電極4と、アノード電極3の周縁部の下からカソード電極4の形成位置までの間の障壁層2を覆う絶縁膜5と、を備え、障壁層2におけるアノード電極3の周縁部の近傍部位に障壁層2の一部を除去したリセス構造7を形成し、アノード電極3は、リセス構造7に囲まれる障壁層2と、リセス構造7上に形成される絶縁膜5の少なくとも一部と、を覆うように形成される。 (もっと読む)


【解決手段】 発電機(100)は、基板(110)と、第1の端部(122)と、当該第1の端部に対向し、且つ前記基板(110)に隣接して配置されている第2の端部(124)とを有する半導体圧電構造(120)と、第1の導電性接触子(210)と、第2の導電性接触子(212)とを含む。前記構造(120)は、前記第1の端部(122)付近に力が加えられると湾曲し、それによって当該構造(120)の第1の側部(126)と第2の側部(128)との間に電位差が生じる。第1の導電性接触子(210)は、前記第1の端部(122)と通電しており、前記構造(120)の前記第1の端部(122)の一部と前記第1の導電性接触子(210)との間にショットキー障壁を生じさせる物質を含む。また、前記第1の導電性接触子(210)は、前記構造(120)に対して、当該構造(120)が変形されると前記ショットキー障壁が順バイアスされる位置に配置されていることにより、当該第1の導電性接触子(130)から前記第1の端部(122)に電流が流れる。 (もっと読む)


【課題】構造が極めて単純で、かつ、安定した繰り返しスイッチング動作が可能な、不揮発性スイッチング素子を提供すること。
【解決手段】本発明のスイッチング素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30の間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 保持容量に用いる容量用酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置1において、画素スイッチング素子としての非線形素子5、および保持容量9を構成するにあたって、タンタル膜からなる素子用下電極61および容量用下電極62を陽極酸化してなる素子用酸化膜71および容量用酸化膜72の上層に、ITOなどの金属酸化物層や、酸化物標準生成エンタルピーがクロムよりも高い金属層からなる素子用上電極81a、81bおよび容量用上電極84を形成する。 (もっと読む)


【課題】 発振のS/N比を向上させ、安定した波形の低周波発振を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】 低周波発振半導体素子10は、半導体基板1と、半導体基板1の裏面に接して配置された裏面電極4と、半導体基板1の表面に接し、平面的に見て裏面電極4と重なるように形成されたパッド電極2とを備えている。パッド電極2の垂直真下の領域Aに存在する半導体基板1の表面のエッチピット密度が0または3×104/cm2以上6×104/cm2以下である。 (もっと読む)


【課題】空孔率が高く、機械的強度の強い導電性多孔質膜を提供する。
【解決手段】燐酸金属塩(M−PO)骨格を持つ架橋構造体から成り、周期的に配列された空孔を囲むように作製されたメゾポーラス薄膜を用いて上記課題を解決する。前記架橋構造体は、金属として錫(Sn)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、イリジウム(Ir)のうちの少なくとも1つを含み、たとえば、燐酸と界面活性剤とを含む前駆体溶液をガラス基板上に塗布して前駆体薄膜を形成し、次いで金属を含む蒸気を接触させて燐酸と反応させて自己組織化薄膜を形成し、界面活性剤を離脱させることによって前記メゾポーラス薄膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】熱電変換材料の表面に、緻密で高品位、密着力の高いコーティング皮膜を形成し、簡便且つ低コストで電極を得る。
【解決手段】ショットコーティング技術を用い、BiTeなどからなる熱電変換材料の表面に、粒径が0.5〜200μmのニッケル、鉄、コバルト、アルミニウムなどからなり、銅より融点の低い金属粉末を常温・大気中で、200〜1000m/sで高速噴射することによって、金属皮膜又は金属を主体とした電極皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、低コストで、低抵抗率かつ低接触抵抗率である電極を低温で形成できる太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板11の少なくとも一方の主面の表面から内部にかけての領域の少なくとも一部に、p型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のうち少なくとも一つを形成する工程と、導電性ペースト30をp型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のそれぞれに接触するように塗布し、600℃以下の温度で焼成して電極40を形成する工程とを含み、導電性ペースト30に含まれる導電性粉末の含有率が、80質量%以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


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