【課題】高い電流密度の電流を注入して連続駆動させた場合でも高い信頼性を有する窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層に対してｐ型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有する窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板とのオーミック性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上にインジウムからなる電極材を配置し（Ｓ１）、温度200℃程度で電極材を酸化ガリウム単結晶基板の表面上に溶着し（Ｓ２）、その後、温度600℃〜1000℃で少なくとも20分の熱処理を施して酸化ガリウム単結晶基板と電極材との界面部を合金化する（Ｓ３）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を製造する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＡｌＮを用いた高出力電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。その結果、ｎ型ＡｌＮを用いた高出力電子素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体層の上面に形成された透光性電極層の接触抵抗が十分に低く、駆動電圧（Ｖｆ）の低い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とが順次形成されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６の上面１０６ａに形成された透光性電極層１０９とを具備する半導体発光素子１であって、透光性電極層１０９が、ドーパント元素を含み、透光性電極層１０９中のドーパント元素の含有量が、ｐ型半導体層１０６と透光性電極層１０９との界面１０９ａに近づくに従って徐々に減少しており、透光性電極層１０９に、界面１０９ａから透光性電極層１０９内に向かってｐ型半導体層１０６を構成する元素が拡散してなる拡散領域が形成されている半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式（１）または式（２）を満たす条件で成膜する。


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【課題】半導体発光素子に関し、特に均一な発光を可能とする電極構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電子と正孔の再結合を利用して光を生成する半導体発光素子において、前記電子と前記正孔のいずれか一方を供給する第１枝電極７１と、前記電子と前記正孔のうち残りの一方を供給して、前記第１枝電極と第１間隔をおいて設けられた第２枝電極７２と、前記第１枝電極と電気的に接続しており、前記第２枝電極と第１間隔より小さい第２間隔をおいて設けられた第３枝電極７３とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の一方に発光層を形成し、発光層を形成した同じ側にｎ側電極とｐ側電極を形成した半導体発光装置では、投入電力が大きくなるとｎ側電極の近傍で発熱が生じ発光効率が低下するという課題があった。
【解決手段】ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。特に１Ａ以上を流す半導体発光素子の場合は、電極間距離は５０μｍ以上にして形成するのが好適である。 （もっと読む）

【課題】所望の仕事関数を簡便に備えることが可能な素子用電極を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１の一面１ａに配された導電部５とからなる素子用電極１０であって、導電部５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に粒子状に分散され、異なる仕事関数を有した２以上の導電性フィラー３，４とからなること。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層であるｐＧａＮ層１０３に形成された注入領域１０４’上に、ＧａＮのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する物質よりなる光吸収膜Ｔ１を形成し、この状態で基板１０１上面から赤外光や赤色光など、ｐＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの所定光を用いてアニールを行う。ｐＧａＮ層１０３と比較して光吸収膜Ｔ１の方がアニールで使用される光の吸収係数が大きいため、光吸収膜Ｔ１直下もしくは近傍の領域（注入領域１０４’）を選択的に熱処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む窒化物半導体に対して、より低いコンタクト抵抗が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた窒化物半導体からなる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられ、前記第１の半導体層よりもアルミニウムの濃度が高い窒化物半導体からなる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられた電極と、を備え、前記第２の半導体層に複数の孔が形成され、前記複数の孔のそれぞれは、前記電極と同種の材料により充填されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】電極からの電流リークや素子の破壊を引き起こすことがなく、また、素子特性の悪化を抑制できる半導体素子の提供。
【解決手段】第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を有する半導体積層部と、第１導電型半導体層に接続される第１導電側電極と、第２導電型半導体層に接続される第２導電側電極とを備える半導体素子であって、第２導電側電極と、半導体積層部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設され、絶縁膜表面に第１金属層が設けられ、第２導電側電極表面に第１金属層とは材料の異なる第２金属層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

半導体発光デバイスは、伝導性基板上に多層半導体構造を含む。多層半導体構造は、伝導性基板上方に位置する第１のドープ半導体層、第１のドープ半導体層上方に位置する第２のドープ半導体層、および／または第１と第２のドープ半導体層との間に位置するＭＱＷ活性層を含む。また、デバイスは、Ａｇ、ならびにＮｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、およびＰｔのうちの少なくとも１つと、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、およびＣｄのうちの少なくとも１つと、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｔａ、およびＣｒのうちのいくつかを含む、第１のドープ半導体層と伝導性基板との間の反射性オーム接触金属層を含む。さらに、デバイスは、反射性オーム接触金属層と伝導性基板との間の接合層、伝導性基板に連結される第１の電極、および第２のドープ半導体層に連結される第２の電極を含む。
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【課題】低オーム性コンタクト抵抗と、微細な電極が形成できる平坦な表面が得られ、かつ経時変化の小さい窒化物半導体装置のオーム性電極を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体装置のオーム性電極を、ＧａＮ系半導体２０１上に第一の金属膜２０２、第二の金属膜２０３、第三の金属膜２０４、第四の金属膜２０５、第五の金属膜２０６が形成された構造とする。ＧａＮ系半導体２０１としては、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及びその混合物を主成分とする半導体とし、第一の金属膜２０２としては、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｚｒのいずれか一つを含む金属膜とし、第二の金属膜２０３としては、Ａｌを含む金属膜とし、第三の金属膜２０４としては、Ｎｂを含む金属膜とし、第四の金属膜２０５としては、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔのうちいずれか１を含む金属膜とし、第五の金属膜２０６としては、Ａｕを含む金属膜とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の裏面に、接触抵抗の低い電極を形成した窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１は、基板２と、基板２の表面上に形成された窒化物半導体層としてのｎ型クラッド層３〜ｐ型コンタクト層９とを備える。基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。窒化物半導体装置１は、凸部１３に接触するように形成された電極１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】銀の反射層に高い反射率を達成する付着向上層を設けた光起電力モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光起電モジュールが、透明な基板上に、透明な前側電極層、半導体層３、および後ろ側電極層４を有している。後ろ側電極層４が、銀の層７と、ドープされた半導体で構成されて銀の層７と半導体層３との間に位置する中間層５とを有している。銅の層６が、銀の層７と中間層５との間に設けられている。好ましくは、前記銀の層７の層の厚さが、５０〜５００ｎｍ、前記銅の層６の層の厚さが、１〜５０ｎｍ、前記中間層５の層の厚さが、１０〜３００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】基板上に特徴パターンを形成するた流体材料の小滴をマイクロデポジションするシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板上に特徴パターンを画定するため流体材料の小滴をマイクロデポジションする。基板に対して特徴パターンが画定される。マスクは、マイクロデポジションヘッドの機能不良ノズルのために起こる欠陥の密度を低減する特徴パターンに対して形成される。流体材料の小滴は特徴パターンの副特徴を画定するためにマスクに基いて基板上にマイクロデポジションされる。マイクロデポジションヘッドの複数のノズルの一つは特徴パターンにおける複数の副特徴の各々に割り当てられる。ノズルはランダムに又は他の機能を用いて割り当てられ得る。マスクにおける割り当てられたノズルはマイクロデポジションヘッドの複数のパスの一つに割り当てられる。 （もっと読む）

【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）