【課題】印刷法により電子素子パターンを形成するためのインク等に含有する溶剤又は溶剤組成物であって、前記インク等に印刷時の優れた版離れ性、高温乾燥時の優れたパターン保持性、及び速乾性を付与する溶剤又は溶剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明の電子素子パターン印刷用溶剤又は溶剤組成物は、印刷法により電子素子パターンを形成する際に使用する溶剤又は溶剤組成物であって、少なくとも１，２，５，６−テトラヒドロベンジルアルコールを溶剤又は溶剤組成物全量（１００重量％）の１０重量％以上含むことを特徴とする。前記印刷法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト印刷法、及びナノインプリント法からなる群より選択される少なくとも１種の方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したショットキー特性が得られる電極を有するＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明のＧａ_２Ｏ_３系半導体素子は、ｎ型導電性を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３化合物半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、前記電極は、Ａｕ、Ｐｔ、あるいはＮｉ及びＡｕの積層体のいずれかによって構成される。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体層とメタル電極のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、シリコンに比べてバンドギャップが大きいIII−Ｖ族化合物半導体又はIV−IV族化合物半導体からなるｐ型窒化ガリウム層１の表面に、３−ヘリウム又は４−ヘリウムのイオンを照射してイオン照射領域２を形成する。イオン照射領域２を形成した後に、ｐ型窒化ガリウム層１の表面にオーミックコンタクトしたメタル電極３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】０．１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する導電性物質および低表面エネルギー物質を含み、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、前記第２面の低表面エネルギー物質の濃度が、前記第１面の低表面エネルギー物質の濃度より高く、前記第２面の仕事関数が５．０ｅＶ以上であり、かつ前記第２面の電気伝導度が１Ｓ／ｃｍ以上である大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極、を具備した電子素子である。 （もっと読む）

【課題】基板表面に塗布液を塗布して硬化させることにより基板表面に所定のパターンを形成するパターン形成技術において、パターンのさらなる微細化・高アスペクト化を可能とする技術を提供する。
【解決手段】吐出ノズル５２３から基板Ｗに吐出される隔壁形成用塗布液の側面部に対して集中的に、ライトガイド５３３の下端に設けたレンズ５３４で収束された光を照射する。塗布液の側面部が他の部分に先んじて硬化することで、表面張力によって表面が丸くなったり塗布液が広がるのを抑制することができるため、薄く均一で側面部が急峻に立ち上がる隔壁Ｂを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】優秀な導電性及び大きい仕事関数を有する電極及びそれを含んだ電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェン含有層と、前記グラフェン含有層上に形成される仕事関数傾斜層と、を含み、前記仕事関数傾斜層は、前記グラフェン含有層と接触する第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有する単一層であり、前記仕事関数傾斜層の仕事関数は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に沿って漸進的に増大する電極。 （もっと読む）

【課題】接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。
【解決手段】リンを含むプラズマを基板に照射して半導体基板にｐｎ接合を形成した後、基板の表面にシリコン窒化膜を形成する。次いで、導電性ペースト塗布膜を形成、乾燥させ、ＩＣＰトーチユニットを用いて加熱し焼成する。ＩＣＰトーチユニットにおいて、全体としてコイルをなす銅棒が、石英ブロックに設けられた銅棒挿入穴内に配置され、石英ブロックは、銅棒挿入穴及び冷却水配管内を流れる水によって冷却される。ＩＣＰトーチユニットの最下部にプラズマ噴出口が設けられる。長尺チャンバ内部の空間にガスを供給しつつ、銅棒に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間にプラズマを発生させ、基材に照射する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の面に接し、第１のゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、の積層構造を有し、酸化物半導体層の窒素濃度は２×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ソース電極及びドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、第１半導体層に接続された第１電極と、第２半導体層に接続された第２電極であって、第２電極は、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第１膜と、第２半導体層の上において第１膜の周縁に設けられ、第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に高く反射特性を有する第２膜と、を有する第２電極と、第２膜の一部と第２半導体層との間の部分を有する誘電体膜と、を備え、第２膜の外側の縁端から第１膜までの距離は、第１主面の周辺部よりも中心部において小さいことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第１の酸化絶縁膜と、当該第１の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第２の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第２の酸化絶縁膜上に位置するものである。 （もっと読む）

【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極がシリコンを含む基板上に形成された素子及び該素子を構成するのに好適な電極用ペースト組成物を提供する。
【解決手段】シリコンを含む基板と、前記基板上に配置された電極とを有し、前記電極は、銅含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含む電極用ペースト組成物の焼物であり、体積抵抗率が１×１０^−４Ω・ｃｍ以下である素子である。また電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、２５℃における粘度が８０Ｐａ・ｓ〜１０００Ｐａ・ｓの範囲であるように構成する。さらにまた電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、固形分濃度が７０質量％〜９８質量％の範囲であるように構成する （もっと読む）

【課題】透明導電層を備える真性非晶質シリコン層を含むヘテロ接合太陽電池において、透明導電層における光学損を抑制するため、透明導電層のキャリア濃度を低下させたときでも、特にセル外周部においてキャリア取り出し効率が低下しない太陽電池を提供することである。
【解決手段】本発明の真性非晶質シリコン層を含むヘテロ接合太陽電池は、結晶シリコン基板の少なくとも一面に、相互に平行に配置された複数のフィンガー電極を備え、基板端辺に近接するフィンガー電極の端部に基板端辺に平行な屈曲部を、隣接フィンガー電極と離間して備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）