半導体発光ダイオード上での反射層の作製。基板上に複数のエピタキシャル層があるウェハを有する半導体発光ダイオード上に反射層を作製する方法であって、複数のエピタキシャル層の前面上に第１のオーム接触層を適用するステップを含み、第１のオーム接触層は、反射層としても作用するように反射材料のものである。 （もっと読む）

窒化物半導体を有する窒化物半導体装置のオーム性電極構造であって、窒化物半導体上に形成された第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを有する。第１の金属膜は、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｚｒから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。第２の金属膜は、第１の金属膜１０２と異なる、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。 （もっと読む）

基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

基板上に半導体デバイスを製造する方法であり、半導体デバイスは、ウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をウェーハに付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する半導体デバイスが開示される。 （もっと読む）

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

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複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）