【課題】 窒化物半導体に対するコンタクト抵抗が低い電極を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層上に炭素を含有する炭素含有層を形成する炭素含有層形成工程Ｓ４と、炭素含有層上にチタンを含有するチタン含有層を形成するチタン含有層形成工程Ｓ６を有する半導体装置の製造方法。チタン含有層と窒化物半導体層との間にＴｉＮとＴｉＣの全率固溶体Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の層が形成される。これにより、チタン含有層が、その境界部全体で窒化物半導体層に対してオーミック接続される。 （もっと読む）

【課題】製造中のパーティクルの発生を低減して、歩留まりを改善することができる基板構造を有する薄膜トランジスタアレイ基板、該薄膜トランジスタアレイ基板を適用した発光パネル及びその製造方法、並びに、該発光パネルを実装した電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２に接続される配線層のうち、最上層に形成される配線（電源電圧ラインＬａ、選択ラインＬｓ）表面の少なくとも一部が陽極酸化膜で形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、動作電圧が低く、かつ光取り出し効率が高い窒化物半導体発光素子を提供することができる。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層、Ａｌ_xqＩｎ_yqＧａ_1-xq-yqＮ井戸層を備えた発光層、ｐ型窒化物半導体層をこの順に備えた窒化物半導体発光素子であって、ｐ型窒化物半導体層と接するｐ側窒化物コンタクト層と、ｐ側窒化物コンタクト層と接する透光性電極層とを有し、ｐ側窒化物コンタクト層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなり、透光性電極層は、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウム、またはタングステンからなる群より選択される元素のうち一種以上がドープされた二酸化チタンからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 （もっと読む）

【課題】より効率良く光学装置を製造できる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の光学素子１を備える光学素子シート６を、配線パターン３が形成された基板シート７に接合する工程と、上記接合する工程の後に、光学素子シート６を切断することにより、複数の光学素子１どうしを分離する工程と、上記接合する工程の後に、基板シート７を切断することにより、光学素子１と接合している配線基板を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】平滑性、導電性、透明性に優れ、かつ生産性の高い透明電極を提供する。また、それを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】透明支持体上に、透明樹脂層、金属ナノワイヤ含有導電層、及び導電性高分子層が、この順に設置されていることを特徴とする透明電極。前記透明電極の全光線透過率が、５０％以上の透明性を有し、前記金属ナノワイヤの一部が、前記透明樹脂層に埋没し、前記透明樹脂層の膜厚が、前記金属ナノワイヤ含有導電層の膜厚の１０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】不均一な結晶相の形成を抑制してオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶層１５は、酸化ガリウム基板１３の主面１３ａを覆う。III族窒化物結晶層１５は、III族構成元素としてアルミニウムを含むと共にアルミニウム以外の少なくとも２種の構成元素を含むIII族窒化物からなる。半導体積層１７は、窒化ガリウム半導体層２５を含む。第１の電極１９は、半導体積層１７の主面１７ａ上に設けられる。第２の電極２１は、酸化ガリウム基板１３の裏面１３ｂ上に設けられる。III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は窒化ガリウム半導体層のバンドギャップＥ（ＧａＮ）より大きい。III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は４．８エレクトロンボルトより小さい。 （もっと読む）

【課題】重合体を透明電極に含有させた場合、高温高湿環境、硫化水素ガス環境下における環境試験後でも高い導電性を有し、安定性に優れた透明電極を提供する。
【解決手段】透明導電膜上に少なくとも導電性繊維１１を含む透明導電層３１を有する透明電極であって、該導電層に、重合体の繰り返し単位の中に、下記一般式（１）で表される構造の少なくとも１種を含有する重合体を含有する透明電極。


（式中、Ｒ_１０１は重合性基を部分構造として有する基であり、Ｚ_１は置換、未置換の単環または縮環の含窒素芳香族ヘテロ環を表す） （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層１４上に電極１１を形成する工程と、半導体層１４上に、電極１１に達する配線接続孔１２ａを有し、配線接続孔１２ａの周りに凹部１２ｂが形成された層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２上から配線材料１８を堆積する工程であって、層間絶縁膜１２の凹部１２ｂに対応して配線材料１８に凹部１８ａが形成される工程と、配線材料１８上に、電極１１に配線接続孔１２ａを介して接続される配線１３を形成するためのレジスト膜１９を、配線材料１８に形成された凹部１８ａを覆うように形成する工程と、レジスト膜１９をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料１８を選択的に除去して配線１３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、かつ発光効率が高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０（基板）上に窒素化合物層１２−２６を形成する。そして、窒素化合物層１６−２６をエッチングする。ここで、窒素化合物層１２−２６は、等間隔に配置され、窒素同位体Ｎ１５を含む複数のマーカー層１６，２０，２４を有する。また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ電極の抵抗をさらに低くすることのできるＩＴＯ電極の形成方法、及びこれにより形成された半導体素子のＩＴＯ電極、並びにこのＩＴＯ電極を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、少なくとも、前記形成されたオーミック電極の表面を、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８のいずれか一方または両方が、第１の拡散防止層５１と金属反射層５２と第２の拡散防止層５３がこの順序で積層されてなる構造を有し、かつ、第１の拡散防止層５１がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかの金属を含む酸化物からなる半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

半導体構造が、ｎ型領域２０とｐ型領域２４との間に配された、発光層２２を含んでいる。ｐ側電極が、ｐ型領域の一部の上に配されている。ｐ側電極は、ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料２６と、その第１の部分に隣接するｐ型領域の第２の部分と直接接触する第２の材料３０とを含んでいる。第１の材料２６および第２の材料３０は、同一の厚さのプラナー状の層として形成される。
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【課題】導電性、耐熱性、耐硫化性又は耐セレン化性に優れた電極材料、あるいは、製造工程のいずれかの段階において硫化雰囲気又はセレン化雰囲気に曝される素子の電極として用いることが可能な電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を用いた素子を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉを含有し、Ｍｏを７０ａｔ％以上含む電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を電極に用いた素子。Ｓｉ含有量は、１０ａｔ％以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成されるオーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、バナジウム（Ｖ）からなり、かつ、厚みが３００Å以下であるようにする。 （もっと読む）