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Fターム[4M104GG04]の内容

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Fターム[4M104GG04]に分類される特許

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【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、On/Off特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体6上にゲート電極5、ゲート絶縁層2、ソース電極3及びドレイン電極4、金属酸化物半導体層1を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層2a該ポリマー絶縁層上の無機層2bからなり、無機層2bの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


本発明は、特に光電子工学、太陽光技術、およびセンサ技術の電子部品において使用するための透明な整流性接触構造ならびにその製造方法に関する。本発明による透明な整流性接触構造は、下記の構成要素:a)透明な半導体、b)金属酸化物、金属硫化物、および/または金属窒化物から成り、透明で絶縁性でなく伝導性でなく、固有抵抗が好ましくは10Ωcm〜10Ωcmの範囲内である層、およびc)透明な導電体から成る層を有し、層b)は半導体a)と層c)の間に形成されており、この層b)の組成は特許明細書の中で詳しく定義されている。 (もっと読む)


【課題】凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いると光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法の提供。
【解決手段】基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層とを有する透明導電体である。 (もっと読む)


【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープGaN層102と、アンドープGaN層102の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層103とを備え、アルミニウム層103における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域106は、化学変化により絶縁化されている。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板301上にゲート電極303を形成し、ゲート電極303を覆ってゲート絶縁膜304を形成し、ゲート絶縁膜304上に酸化物半導体膜305を形成し、酸化物半導体膜305上に第1の導電膜306及び第2の導電膜307を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理LRTAにより結晶化した領域308を有する。 (もっと読む)


【課題】非極性溶媒への分散性に優れ、非極性溶媒を用いた塗布法にも適用でき、導電性、電荷注入性に優れる金属複合体、及び、その組成物を提供する。
【解決手段】分子量200以上の共役化合物がアスペクト比1.5以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体、及び、該金属複合体と、分子量200以上の共役化合物とを含有する組成物。 (もっと読む)


【課題】既存の業界工程と互換でき、有効に、生産コストを低減できる銀含有金属オーミック接触電極を提供する。
【解決手段】ニッケル(Ni)層とゲルマニウム(Ge)層、銀(Ag)層、パラジウム(Pd)層或いはプラチナ(Pt)層及び厚い膜金属(Thick Metal)層からなり、順に、n形III-V族化合物半導体層上に堆積されてから、アニール(Anneal)処理を介して形成された構造で、上記銀層とゲルマニウム層との厚さ比例範囲が、Ag/Ge=7〜8の間にある。また、上記の低い電気抵抗率(Electric
Resistivity)と高い熱伝導率(Thermal Conductivity)のオーミック接触電極は、銀が材料として形成される。 (もっと読む)


【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 (もっと読む)


【課題】p型電極のコンタクト抵抗を低減することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】n型GaN基板上に、V族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて、p型GaN層(p型窒化物半導体層)を形成する。次に、p型GaN層にオーミック接触するp側電極を形成する。p型GaN層を形成した後に450℃より高い温度で熱処理を行わない。これにより、p側電極58のコンタクト抵抗を低減することができる。従って、動作電圧を低くすることができるため、発熱による電力消費を低減することができ、高出力でも劣化の少ない長寿命の半導体レーザーを得ることができる。また、コンタクト抵抗が低いため、高速の応答が可能になる。さらに、高温の熱処理を必要としないため、プロセス変動の影響を受けにくく、歩留まりを向上させることができ、低コスト化が可能になる。 (もっと読む)


【課題】グラフェンと金属電極との間の接触抵抗を低減する。
【解決手段】グラフェンの単位面積あたりの電気抵抗をrGP[Ω/μm2]、グラフェンと金属電極との単位面積当たりの界面抵抗をrC[Ωμm2]とすると、接触面積をSとして、接触抵抗は


と計算できる。rGPを10Ω/μm2、rCを10Ωμm2とした場合の計算結果を示し、接触面積を




にすることにより、接触抵抗を収束値の10%増し、あるいは30%増しの値にまで、低減することができる。 (もっと読む)


【目的】
p型ZnO系化合物半導体の電極の剥離が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法、当該電極が形成されたZnO系化合物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
p型ZnO系半導体層上に、Ni及びCuの少なくとも1つを含むコンタクト金属層を形成する工程と、無酸素雰囲気下で上記コンタクト金属層及びp型ZnO系半導体層の熱処理を行い、コンタクト金属層の表面に金属相の層を残存させるとともに、p型ZnO系半導体層及びコンタクト金属層間の界面にp型ZnO系半導体層の元素及びコンタクト金属層の元素からなる混合層を形成する熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


製造コストを低減する簡易化された製造プロセスおよび得られる両面型太陽電池(BSC)を提供する。当該BSCは、例えばリン拡散工程などによって形成された、基板(101)の前面に位置する活性領域(103)を備える。リン拡散の場合にはPSGを除去し、前面接合を絶縁した後、誘電体層(105/107)を前面および裏面に被着する。接触グリッド(109/111)は、例えば、スクリーン印刷によって形成される。裏面誘電体を被着する前に金属グリッドを裏面に適用してもよく、当該裏面接触グリッドは、金属グリッドに対して位置合わせされ、接触を焼成する間に該金属グリッドと合金化する。

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【目的】
p型ZnO系化合物半導体の電極の剥離が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法、当該電極が形成されたZnO系化合物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
p型ZnO系半導体層上に、Ni及びCuの少なくとも1つを含む第1の金属層を島状又は網目状に形成する第1の金属層形成工程と、無酸素雰囲気下で第1の金属層及びp型ZnO系半導体層の熱処理を行い、第1の金属層の表面に金属相の層を残存させるとともに、p型ZnO系半導体層及び第1の金属層間の界面にp型ZnO系半導体層の元素及び第1の金属層の元素からなる混合層を形成する熱処理工程と、Pt、Rh、Pd(パラジウム)及びIrのうち少なくとも1つの金属からなる第2の金属層を、第1の金属層及び第1の金属層の開口部から露出したp型ZnO系半導体層を被覆するように形成する第2の金属層形成工程と、を有することを特徴としている。 (もっと読む)


本開示は、導電性ポリマー組成物、およびそれらの電子デバイス中での使用に関する。本発明の組成物は:(i)非フッ素化ポリマー酸でドープした少なくとも1種類の導電性ポリマーと;(ii)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーと;(iii)電気絶縁性酸化物ナノ粒子とを含む水性分散体である。
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半導体レーザにおけるチップ破損の確率を低めるための金属膜パターンが提供される。明細書に開示される一実施形態にしたがえば、金属膜パターンのパッド辺がレーザ基板の複数の結晶面にかけて延びる。このようにすれば、いずれの与えられた応力集中点から始まるクラックも有意な大きさに達するには基板の多くの結晶面にわたって伝搬することが必要であろう。開示される別の実施形態は隣り合うコンタクトパッドの対のそれぞれの幾何学的形状及び方位に関する。さらに別の実施形態が開示され、特許請求される。
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【課題】蒸着の回数などの工程数増加によるコストも抑えることができ、また電極のめくれ、ハガレの不良の発生を防ぐことを考慮しつつ、LEDランプ組立工程でのワイヤーボンド部のワイヤーと電極と間の圧着部分の密着強度の強い電極の形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、n型半導体結晶と発光層とp型半導体結晶とがこの順で形成された半導体結晶にオーミック電極を形成する方法であって、半導体結晶のp型半導体結晶の表面上に、少なくとも、第一金属層としてAuを蒸着させ、第一金属層上に第二金属層としてAuBe合金材料とAuの混合物を蒸着させてAuBe合金を形成し、第二金属層上に第三金属層としてAuを蒸着させ、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成することを特徴とする電極の形成方法。 (もっと読む)


【課題】 高温あるいは強反応性化学物質中においても金属、ダイヤモンド接合の品質を保持したまま、機能を発揮するダイヤモンド電極構造を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド表面にルテニウム(Ru)もしくは酸化ルテニウム(RuO2)からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。
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本発明は、少なくとも1つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、1000ppm未満、好ましくは600ppm未満、特に好ましくは450ppm未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の5倍未満、好ましくは3倍未満、特に好ましくは2倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 (もっと読む)


【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層と第2の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第3の導電層と第4の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第1の導電層で形成され、ゲート配線は、第1の導電層と第2の導電層で形成され、ソース電極は、第3の導電層で形成され、ソース配線は、第3の導電層と第4の導電層で形成されている。 (もっと読む)


本発明は、UVLED装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板(1)上に下から上への順で設けられたAlN核層(2、3)、真性AlGaNエピタキシャル層(4)、n−型AlGaNバリア層(5)、活性領域(6)、第1のp−型AlGaNバリア層(7)、第2のp−型AlGaNバリア層(8)、及びp−型GaNキャップ層(9)を含備える。p−型GaNキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域(10、W、A)をエッチングしている。 (もっと読む)


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