【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２、フィールド絶縁膜６、フィールドプレート電極７、第１の絶縁膜８、導電体９、第２の絶縁膜１１、ゲート絶縁膜１０、及びゲート電極１２を備える。フィールドプレート電極７は、フィールド絶縁膜６を介して第１の半導体層２のトレンチ５内に設けられる。第１の絶縁膜８は、フィールドプレート電極７上に設けられ、フィールド絶縁膜６とともにフィールドプレート電極７を取り囲む。導電体９は、第１の絶縁膜８上に設けられ、フィールドプレート電極７とは絶縁される。ゲート電極１２は、フィールド絶縁膜６の上端上に設けられ第２の絶縁膜１１を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜１０を介してトレンチ５内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部６の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極７が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の裏面電極は、低コンタクト抵抗を実現するために、ニッケル等のシリサイド形成用メタル膜を堆積後、ＰＤＡとして摂氏１０００度程度の熱処理を必要とする。この熱処理を通常の熱処理やＲＴＡで実行する場合には、ウエハの表面側がアルミニウム等の融点を超えるため、アルミニウム膜等の形成前に実施しなければならないという制約がある。また、既存の紫外線レーザを用いたレーザアニールでは、コンタクト抵抗を十分に下げられないという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＳｉＣ基板の表面側にアルミニウム系メタル膜が形成された状態で、裏面にシリサイド形成用メタル膜を成膜し、この裏面に対してレーザビームによってシリサイド化処理を実行する半導体装置の製造方法であって、このレーザビームを、前記シリサイド形成用メタル膜を実質的に透過しない波長域に属する可視光とするものである。 （もっと読む）

【課題】電極と半導体基板が良好にオーミック接合している半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の電極形成面に、単原子の金属イオンを注入するイオン注入工程と、金属イオンが注入された半導体基板をアニール処理して半導体基板にシリサイド層を形成するアニール工程と、アニール工程の後に、半導体基板の電極形成面に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）オフ角を有するＳｉＣ基板１上に、ドリフト層２と、酸化膜３１と、レジスト３２とをこの順に形成する工程と、（ｂ）酸化膜３１に第１開口部３１ａを形成するともに、レジスト３２に第２開口部３２ｂを形成する工程と、（ｃ）不純物を、酸化膜３１及びレジスト３２を介してドリフト層２にイオン注入することにより、ｐ型領域１３，２３をドリフト層２の上部に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で半導体装置に長時間逆バイアスを与えた場合であってもリーク電流が増加したり耐圧が低下したりすることのない、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層（第１導電型の半導体層）１１４と、活性領域Ｒ１に形成された複数の柱状埋込層１１８と、活性領域Ｒ１に形成されたショットキーバリアメタル層（第１電極層）１３２と、耐圧領域Ｒ２に形成された複数のガードリング層（環状柱状埋込層）１２４と、耐圧領域Ｒ２及び周辺領域Ｒ３に形成された絶縁層１３０とを備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、周辺領域Ｒ３に形成された第２ガードリング層（第２環状柱状埋込層）１３６と、周辺領域Ｒ３に形成された環状導電層１４２とをさらに備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】電極構造体、それを備える窒化ガリウム系の半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体層ＧＬ１０と、ＧａＮ系の半導体層上に備えられた電極構造体５００Ａ，５００Ｂと、を備え、電極構造体５００Ａ，５００Ｂは、導電物質を含む電極要素５０Ａ、５０Ｂと、電極要素５０Ａ，５０ＢとＧａＮ系の半導体層２００との間に備えられた拡散層５Ａ、５Ｂと、を備え、拡散層５Ａ，５Ｂは、ｎ型ドーパントを含み、ｎ型ドーパントは、４族元素を含み、拡散層と接触したＧａＮ系の半導体層２００の領域は、ｎ型ドーパント（例えば、４族元素）でドーピングされる窒化ガリウム系の半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】リーク不良の発生を抑制でき、かつ薄型基板を用いることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ３０を、半導体基板３５の表層部に形成された第１導電型層３４と、第１導電型層３４の表面に形成されたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７上に形成されたゲート電極３８と、半導体基板３５の主表面３５ａ上に配置され、主表面３５ａの一部を露出させるコンタクトホール４２が形成された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置され、コンタクトホール４２を介して半導体基板３５と接続されるアルミニウムを有する材料で構成される上部電極４３と、上部電極４３上に形成されたニッケルを有する材料で構成されるメッキ膜４４と、半導体基板３５の裏面３５ｂに形成された下部電極４６とを有する構成とする。そして、上部電極４３のうちコンタクトホール４２に形成されている部分の膜厚ｔを２μｍ以上にする。 （もっと読む）

【課題】 耐圧を低下させることなく、トレンチ開口幅を小さくすることができるショットキー接合型半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチの断面形状を、トレンチの底面部の中央が高く、周辺が低いサブトレンチ形状とし、ｐ型不純物をドリフト層表面に対して垂直に導入することで、サブトレンチが設けられたトレンチの内壁部に接するように形成されたｐ＋ＳｉＣ領域が、トレンチの底面の中央での接合位置よりも、トレンチの底面の周辺での接合位置が深くなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧バラツキを抑制し、歩留りを向上させることが可能となる横型素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】横型ＦＷＤなどの横型素子に備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにする。このように、横型ＦＷＤ７などに備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、チャネル層１４よりもバンドギャップエネルギーの大きい第１窒化物半導体層１６と、を順次形成する工程と、第１窒化物半導体層１６上であって、ゲート電極２６を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第１窒化物半導体層１６上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層１４のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第２窒化物半導体層１８を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第１窒化物半導体層１６上にゲート電極２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極をレーザアニールによって形成する場合にチッピングの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ｎ⁺型基板１の裏面１ｂ側にドレイン電極１１を形成する際のレーザアニールをチップ内でのみ行い、ダイシング領域では行われないようする。これにより、ダイシングブレード６０によってダイシングを行うときに、レーザ跡が残っていない場所をダイシングすることになるため、レーザ跡の影響を受けることなくダイシングが行え、チッピングが発生することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】逆ピエゾ効果が効果的に抑制され、オフ時の高電界状態であっても、ゲート電極近傍でクラックの発生が抑止されたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１は、電子走行層１３と、電子走行層１３の上面に形成され、バンドギャップが電子走行層１３より大きく電子走行層１３とヘテロ接合する電子供給層１４と、ソース電極１５とドレイン電極１６と、ソース電極１５とドレイン電極１６の間に配置されたゲート電極１７とを備え、ゲート電極の下方に、電子供給層１４に替えて、逆ピエゾ抑制層２０を配置してなる。逆ピエゾ抑制層２０は、ヘテロ接合よりも格子不整合が緩和された状態で電子走行層１３と接合するように、その組成等が調整されており、ゲート電極１７との接触領域Ａ２のドレイン電極１６側境界Ｂ４を跨ぐように配置される。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の上に形成された第１の半導体層１２と、第１の半導体層１２の上に形成された第２の半導体層１３と、第２の半導体層１３の上に形成された下部絶縁膜３１と、下部絶縁膜３１の上に、ｐ型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜３３と、酸化物膜３３の上に形成された上部絶縁膜３４と、上部絶縁膜３４の上に形成されたゲート電極４１と、を有し、ゲート電極４１の直下において、下部絶縁膜３１の表面には凹部が形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極との間に絶縁膜を介するＭＩＳ構造を採用するも、オン抵抗の上昇及び閾値の変動を抑止し、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴは、化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２の表面と接触する挿入金属層４と、挿入金属層４上に形成されたゲート絶縁膜７と、挿入金属層４の上方でゲート絶縁膜７を介して形成されたゲート電極８とを含み構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界集中を緩和することで十分なサージ電流耐性を有した半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、炭化珪素からなる第１導電型の半導体層としてのｎ型半導体層１と、ｎ型半導体層１表層において、ショットキーダイオードの素子領域を平面視上囲んで形成された、第２導電型の第１不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ａと、ｎ型半導体層１表層において、素子領域を、少なくともｐ＋＋型半導体層５ａの平面視上外側から囲んで形成された、第２導電型の第２不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ｂと、ｐ＋＋型半導体層５ａ表層まで延設して素子領域上に形成されたアノード電極３とを備え、ｐ＋＋型半導体層５ａの不純物濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）