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Fターム[4M104HH01]の内容

半導体の電極 (138,591) | 目的 (7,416) | エレクトロマイグレーション防止 (153)

Fターム[4M104HH01]に分類される特許

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【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11daと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成された第1のp型半導体層7aと、ソース電極11sと電子供給層5との間に形成されたp型半導体層7と、が設けられている。第2のp型半導体層7上のソース電極11sには、第1の金属膜11saと、第1の金属膜11saにゲート電極11g側で接し、第1の金属膜11saよりも抵抗が大きい第2の金属膜11sbと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜50と、層間絶縁膜50に埋め込まれた、Cuにより構成される配線10と、配線10の表層に設けられた、銅錯体を含有する表面層20と、を備える。配線10の表層に銅錯体を含有する表面層20を備えることにより、配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】高温化下でも安定な高信頼性を有する配線を容易に精度良く形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に窒化チタンからなる第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層に複数の溝を形成し、溝の底面及び側壁下部を覆う部分が溝の側壁上部を覆う部分よりも厚くなるように、溝の底面及び側壁を覆うバリアメタルを形成し、溝のバリアメタル上に金属膜を埋め込み、複数の配線を形成し、第1の絶縁層を除去して、隣り合う複数の配線の間に配線に接するような空隙を形成し、複数の配線の上面に、金属又は酸化物からなるキャップ膜を形成し、複数の配線の上面及び側壁を覆うようにシリコンナイトライドカーバイド膜又は窒化ボロン膜からなる拡散防止膜を形成し、複数の配線の上面を覆い、且つ、複数の配線間に空隙が形成されるように、第2の絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタパネル、及びこれらを製造する方法に関する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、上記ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層、及び上記酸化物半導体層上に相互に離隔して形成されたドレーン電極及びソース電極を含む。上記ドレーン電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第1のドレーン副電極及び上記第1のドレーン副電極上に形成された第2のドレーン副電極を含む。上記ソース電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第1のソース副電極及び上記第1のソース副電極上に形成された第2のソース副電極を含む。上記第1のドレーン副電極及び上記第1のソース副電極は、ガリウム亜鉛酸化物(GaZnO)を含み、上記第2のドレーン副電極及び上記第2のソース副電極は、金属原子を含む。 (もっと読む)


【課題】膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】バリア層4(AlGaN)4上に形成された酸化シリコン(SiO2)からなる層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10のソース電極5上に形成され、基板平面に対して略垂直な第1の側壁W1を有する第1コンタクトホール部10aと、第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1の上縁から上側に向かって徐々に広がるように層間絶縁膜10に形成され、基板平面に対して傾斜した第2の側壁W2を有する第2コンタクトホール部10bと、第1,第2コンタクトホール部10a,10b内および層間絶縁膜10上に形成された配線層12とを備える。上記配線層12は、第1コンタクトホール部10aにおいて第1の側壁W1の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い。 (もっと読む)


【課題】縦型トランジスタの特性にばらつきが生じることを抑制する。
【解決手段】半導体基板100には縦型MOSトランジスタ20が形成されている。半導体基板100の表面上には、第1層間絶縁膜300及び第1ソース配線312が形成されている。第1ソース配線312は、第1層間絶縁膜300上に形成されており、平面視で縦型MOSトランジスタ20と重なっている。第1層間絶縁膜300にはコンタクト302が埋め込まれている。コンタクト302は、縦型MOSトランジスタ20のn型ソース層140と第1ソース配線312とを接続している。そして第1ソース配線312には、複数の開口316が形成されている。 (もっと読む)


【課題】金属粒子の焼結体から構成された導電体を微細化された電極・配線とした場合でも腐蝕やマイグレーションの発生を長期間防止可能な電極・配線用導電体を提供する。
【解決手段】金属粒子の焼結体から構成された導電体薄膜上に、下記一般式(1)で表されるチオール化合物または下記一般式(2)で表されるスルフィド化合物から選択される少なくともいずれか一種の化合物を含有する金属イオン移動防止膜を設け、且つ、前記金属イオン移動防止膜中に凝集体構造が含まれてなる電極・配線用導電体とする。
Ar−SH…(1)[式(1)中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。]
(A−R’−O−R−S)…(2)[式(2)中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。] (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、第1半導体層に接続された第1電極と、第2半導体層に接続された第2電極であって、第2電極は、第2半導体層の上に設けられ、第2半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第1膜と、第2半導体層の上において第1膜の周縁に設けられ、第2半導体層に対する接触抵抗が相対的に高く反射特性を有する第2膜と、を有する第2電極と、第2膜の一部と第2半導体層との間の部分を有する誘電体膜と、を備え、第2膜の外側の縁端から第1膜までの距離は、第1主面の周辺部よりも中心部において小さいことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第1導電形の第1半導体層と、窒化物系半導体からなる第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第1金属層、第2金属層及び第3金属層を有する。第1金属層は、第2半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第2金属層は、第1金属層の第2半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第3金属層は、第2金属層の第1金属層とは反対側に設けられる。第3金属層の第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第2金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 (もっと読む)


【課題】単膜でCu拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Cuとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ti膜を成膜する工程(STEP1)、Ti膜上にCo膜を形成する工程(STEP2)、Ti膜及びCo膜を熱処理してCoTi合金を含む金属薄膜を形成する工程(STEP3)を備えている。CoTi合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とCu拡散バリア性を有し、Cuとの格子不整合が0.15%と非常に小さいため、Cu配線と優れた密着性が得られる。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜20wt%を含有し、Be,B,Mg,Al,Si,Ca,Ba,La,Ceの総計が500wtppm以下、残部がCu及び不可避的不純物であることを特徴とするCu−Mn合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極から染み出した金属がドレイン電極に到達することを抑制して、ドレイン−ゲート間の絶縁破壊を抑制する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極5の直下に位置するAlGaN層22と、このAlGaN層22の直上に位置する絶縁膜30との間の界面Sに、ゲート電極5とドレイン電極1との間に位置するように、溝50を設けている。ゲート電極5から界面Sを伝ってドレイン電極1側へ染み出した金属を、溝50によって、堰き止めることができる。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いGaN系HEMTを提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と、前記窒化ガリウム系半導体上に形成された窒化ガリウム系保護層と、前記窒化ガリウム系保護層上にタンタルとアルミニウムが任意の順に積層されてなるオーミック電極とを備え、前記オーミック電極が形成された箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚は、前記オーミック電極が形成されていない箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚よりも薄い。 (もっと読む)


【課題】配線の信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板42上に台形状の凸部領域と台形状の凹部領域を設け、凹部領域のシリコン表面にはゲート酸化膜45が設けられ、ゲート酸化膜上にはゲート電極46が形成されている。凹部領域に設けられたゲート電極46の両側の凸部領域にはソース・ドレイン高濃度領域48が位置し、ソース・ドレイン高濃度領域48とゲート電極46の間にはソース・ドレイン低濃度領域47が形成されている。ソース・ドレイン高濃度領域48の上表面には第1層目の金属配線49と第2層目の金属配線50と第3層目の金属配線52が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域48から第3金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。このように本発明の半導体装置は、コンタクトホールやビアホールなどの接続孔を形成しないで素子と配線との接続や配線間接続を行なうことができる。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるCu配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Cu配線10を備える半導体装置1において、
Cu配線10の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル20に接し、上部を絶縁膜3
0に接し、絶縁膜30に接するCu配線10の上部のグレインサイズが、Cu配線10の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するCu配線10の側部及
び下部のグレインサイズが、Cu配線10の中央部のグレインサイズより小さい。 (もっと読む)


【課題】従来から、チタン膜の結晶配向性は(002)、スパッタリングを行う成膜室の水素分圧に比例して、高まることが知られている。しかし水素ガスは危険性が高いため、ボンベから直接供給することが難しい。水をプラズマ分解して水素発生させる方法があったが、同時に発生する酸素がチタン膜の膜質を低下させるため、問題であった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法により、水をプラズマ分解して水素と酸素を発生させたのち、酸素を酸化膜生成用ガスと反応させて酸化物にすることで、成膜室から除去することができる。成膜室には水素のみが残留し、この状態でスパッタリングすることにより結晶配向性(002)の高いチタン膜が得られ、この上部に窒化チタン膜、第2のチタン膜、アルミニウムを連続して成膜することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高いアルミニウムが得られる。 (もっと読む)


【課題】プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系の半導体からなる活性層上に、オーミック電極を形成する半導体トランジスタの製造方法であって、活性層3上に、タンタル窒化物からなる第1の層11と、第1の層11上に積層されたAlからなる第2の層12とを形成する工程と、第1及び第2の層11,12を、520℃以上、600℃以下の温度で熱処理することにより、活性層3とオーミックコンタクトをとるオーミック電極9s,9dを形成する工程とを備える。 (もっと読む)


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