【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗（配線抵抗）も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むＡｌ合金の第１層と；Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆ、およびＣｒよりなる群（Ｙ群）から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはＡｌ合金の窒化物の第２層と、が積層された表層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたＡｌ合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属薄膜と、Ａｌ合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Ａｌ合金膜は、４８０℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が１〜５μｍであることを特徴とする半導体電極構造。
（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が１μｍ以下
（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満
（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたＡｌ合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Ａｌ合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Ａｌ合金膜は、５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が３００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体電極構造。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が１μｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が５００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体装置用Ａｌ合金膜。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】高温にさらされても、Ａｕ配線表面に析出物が発生することを抑制できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと接続するソース電極あるいはドレイン電極のスルーホールにおけるコンタクト抵抗を減少させ、表示装置の動作効率を向上させる。
【解決手段】スルーホールにおいて、ＴＦＴのソース部とソース電極８が接続している。ソース電極８は、バリヤメタル、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３の３層から形成されている。バリヤメタルは半導体層と接触する下層８１ａとＡｌ合金と接触する上層８１ｂとに分かれている。バリヤメタルの下層８１ａをスパッタリングして形成した後、熱処理し、その後、ベースメタルの上層８１ｂ、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３を連続してスパッタリングによって形成する。Ａｌ合金８２と接触するバリヤメタルの上層８１ｂは酸化されていないので、スルーホールにおけるコンタクト抵抗の上昇を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｆｅを０．００１０〜０．４質量％と、Ｓｉを０．００１０〜０．５０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）