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Fターム[4M104HH08]の内容

半導体の電極 (138,591) | 目的 (7,416) | 基板、又は電極層間の密着性改善 (419)

Fターム[4M104HH08]に分類される特許

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【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】電極のコンタクト抵抗や逆方向リーク電流を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層103と、窒化物半導体層103よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体層104との接合体が少なくとも1つ基板101上に積層されている。窒化物半導体層104の上面から窒化物半導体層103における窒化物半導体層104との界面よりも下側までの範囲に位置する部分の前記接合体の両側端にテーパ部108及び109が形成されている。テーパ部108の側面上には窒化物半導体層103とショットキー接触するようにアノード電極106が形成されており、テーパ部109の側面上には窒化物半導体層103とオーミック接触するようにカソード電極107が形成されている。各テーパ部108及び109の側面が基板101の主面に対してなす角度は、20度以上で且つ75度以下である。 (もっと読む)


【課題】基材との密着性が高く、かつ10-6Ωcmオーダーの低い電気抵抗率を有する電極/配線を300℃以下の低温焼成で形成することができる導電性ガラスペーストを提供する。また、該導電性ガラスペーストを用いて電極/配線が形成された電気電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性ガラスペーストは、無鉛ガラス粒子とAg粒子と有機溶剤とを含有する導電性ガラスペーストであって、前記導電性ガラスペーストは、更にAg2O粒子を含有し、前記無鉛ガラス粒子は、成分を酸化物で表したときに、V2O5とAg2OとTeO2とを少なくとも含有し、軟化点が300℃以下であることを特徴とする。前記導電性ガラスペーストにおける配合割合は、Ag粒子100質量部に対して、Ag2O粒子を10〜70質量部とし、無鉛ガラス粒子を10〜50質量部とすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、MoTiターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Tiを20〜80原子%含有し残部がMoおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が10質量ppm以下であるMoTiターゲット材である。また、本発明のMoTiターゲット材は、MoTi焼結体を100Pa未満の圧力、800℃以上、0.5時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 (もっと読む)


【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置20の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8と該薄膜上に形成された金属薄膜9とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜9とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚の60%以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶粒の全数の6%以上15%以下となるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の面と、第1の面と反対の第2の面とを有する炭化珪素半導体層110が準備される。炭化珪素半導体層110の第2の面を部分的に覆う金属層と、炭化珪素半導体層110の第2の面を部分的に覆う熱酸化膜130とが形成される。金属層を熱処理することにより電極150が形成される。金属層を形成する工程は、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い材料を用いて行われる。電極150を形成する工程において電極150の表面上に炭素が偏析する。電極150の表面および熱酸化膜130の表面の両方において、炭素を除去可能なエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記p電極が前記p型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたNiO層と、このNiO層に接して形成されたAg層とを含む。 (もっと読む)


【課題】ソース領域に3C−SiC構造のSiCを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第1のn型炭化珪素層と、第1のn型炭化珪素層よりもn型不物濃度の低い第2のn型炭化珪素層を有する半導体基板と、第2のn型炭化珪素層に形成される第1のp型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成される4H−SiC構造の第1のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成され、第1のn型不純物領域よりも深さの浅い3C−SiC構造の第2のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層、第1のp型不純物領域、第1のn型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第1のn型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第1のn型不純物領域との間に第2のn型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】SiC基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第1の層、第1の層よりも低い炭素比率を有する第2の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第2の層が第1の層上に形成され、第2の層が金属電極に接し、第2の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第1の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】炭化シリコン基板に接するように、オーミック電極となるシリサイド層を形成するに際して、炭化シリコン基板由来の炭素が、オーミック電極内に拡散して表面に析出するのが抑えられ、オーミック電極の上に電極層を密着性良く形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、炭化シリコン基板2のオーミック電極形成領域2aにシリコン層を形成する第1工程と、シリコン層2上に金属層8を形成する第2工程と、熱処理を行うことによって、シリコン層2に含まれるSiと金属層8の構成元素とを反応させ炭化シリコン基板2と接するシリサイド層41を形成する第3工程と、Siと反応せずに残存した金属層8を除去することによって、シリサイド層41を露出させる第4工程とによってオーミック電極4を形成する。 (もっと読む)


【課題】電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低く、電極膜から配線導体素片が剥離しにくい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】n型炭化珪素基板またはn型炭化珪素領域1の表面に、ニッケル膜2と、酸化ニッケル膜3と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。熱処理をおこなうことで、ニッケル膜2の一部がニッケルシリサイド膜4となる。つぎに、酸化ニッケル膜3を塩酸溶液で除去し、ニッケルシリサイド膜4の表面にニッケルアルミ膜5と、アルミニウム膜6と、をこの順に積層する。 (もっと読む)


【課題】焼成後の電極の収縮による電極端部からのめくれの発生を抑止して、半導体装置を高い製造効率で製造することを可能とする導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の導電性粒子からなる導電性粉末と、複数の銀粒子からなる銀粉末とを含む導電性ペーストであって、導電性粒子は、セラミックスからなる基材と、基材の外表面の少なくとも一部を被覆する導電層とを有しており、導電性粒子全体の質量に対する導電層の質量の割合が10質量%以上であって、導電性粉末と銀粉末との合計質量に対する導電性粉末の質量の割合が25質量%以下である導電性ペースト、それを用いて作製される半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】超音波振動を利用したワイヤーボンディングの際に、p型オーミック電極がp型不純物拡散領域の面上から剥離することを防止する。
【解決手段】パッド電極7にボンディングワイヤー8を接合する際に、ボンディングツール100を用いて、ボンディングワイヤー8をパッド電極7に接触させた状態で、ボンディングワイヤー8に荷重を加えながら、p型オーミック電極5の長手方向に沿って超音波振動を印加する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池としたときに発電性能に優れる素子、及び該素子を搭載した太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含み錫の含有率が1質量%以上である電極用ペースト組成物Aの焼成物である電極層Aと、リン含有銅合金粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含み錫の含有率が0.1質量%以下である電極用ペースト組成物Bの焼成物である電極層Bと、がこの順に積層された素子である。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置及び、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。また、消費電力が低い半導体装置及び消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供する。また、量産性の高い半導体装置及び量産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 (もっと読む)


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