【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】効率よく基板上に安定して均一に成膜する。
【解決手段】筐体と、成膜材料の溶液と圧縮ガスとを混合して成膜材料を微粒子化したミストを筐体の内部に噴霧する複数のスプレーノズル１２とを備える。また、圧縮ガスを圧力の異なる複数の調圧ガスに調整し、複数のスプレーノズル１２の各々に複数の調圧ガスのいずれかを導入し、かつ、複数の調圧ガスのすべてを複数のスプレーノズル１２に対して導入するガス圧調整機構を備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部６の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極７が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】ゲート高さが低いため製造容易で、ゲート−コンタクト間の容量を抑制し、ゲート−コンタクト間の短絡を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は基板上にＦｉｎ型半導体層を形成する。Ｆｉｎ型半導体層に交差するダミーゲートが形成される。Ｆｉｎ型半導体層にソースおよびドレインが形成される。ダミーゲート上に層間絶縁膜を堆積した後、ダミーゲートの上面を露出させる。ダミーゲートを除去してゲートトレンチを形成する。ゲートトレンチ内のＦｉｎ型半導体層の上部をリセスする。ゲートトレンチ内のＦｉｎ型半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極をゲートトレンチ内に充填する。ゲート電極をエッチングバックすることによってゲート電極を形成する。ゲート電極の上面の高さはソースおよびドレインにおけるＦｉｎ型半導体層の上面の高さ以下かつゲートトレンチ内のＦｉｎ型半導体層の上面の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を低減することで、アクティブ領域の大きなＳｉＣショットキーダイオードを高い良品率で提供する。
【解決手段】 ＳｉＣジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ショットキー接合界面にかかる電界強度を０．１ＭＶ／ｃｍ以下になるようにトレンチの深さと間隔を設定することで実現する。その結果として、リーク電流が低減し、アクティブ領域の大きなＳｉＣショットキーダイオードを高い良品率で提供できる。 （もっと読む）

【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の複数の半導体層のうちの１つを正確に選択する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第１乃至第３の半導体層１２−１〜１２−３と、第１乃至第３の半導体層１２−１〜１２−３のうちの１つを選択するレイヤー選択トランジスタ１５（ＬＳＴ）とを備える。第１のノーマリーオン領域１７−１は、第１の半導体層１２−１内において第１乃至第３のゲート電極１６−１〜１６−３に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第２のノーマリーオン領域１７−２は、第２の半導体層１２−２内において第２乃至第４のゲート電極１６−２〜１６−４に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第３のノーマリーオン領域１７−３は、第３の半導体層１２−３内において第３乃至第５のゲート電極１６−３〜１６−５に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにする。 （もっと読む）