【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１ａは被検査体２及び熱伝導体１１ａを載置可能な試料台１０と、前記試料台１０に対向して設けられ、前記被検査体２に接触して検査する探針（検査部）１４、この探針１４を支持するユニット１５及びユニットホルダ１３を有する基板１２と、前記ユニットホルダ１３及び前記試料台１０に接触しうる前記熱伝導体１１ａとを有し、検査方法は試料台１０に熱伝導体１１ａを設置する工程と、基板１２と前記熱伝導体１１ａを接触させる工程と、前記熱伝導体１１ａを前記試料台１０から移動し、前記試料台１０に被検査体２を設置する工程と、前記被検査体２に探針１４を接触させて検査をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】検査時のプロービングによる不良の疑いのあるチップの流出を確実に防止することのできるウェハ検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】各チップにプローブを接触させて通電テストを制御するテスト制御手段５と、テスト制御手段５の結果からチップの良否を判定するテスト判定手段６と、各チップのアドレス情報と各チップに対するテスト判定手段６のテスト判定情報及びプローブによるコンタクト情報とを対応させて記憶する記憶手段７と、プローブがチップに接触する毎にチップのアドレス情報に対応するコンタクト情報を更新するコンタクト制御手段８と、コンタクト情報が予め設定した限界条件を超えたときはチップを不良と判定するコンタクト判定手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な測定を複数回行なう場合であっても、正確に測定を行なうことができる半導体素子の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成された電極パッドにプローブを接触させて、前記半導体素子における電気的特性を測定する半導体素子の測定方法において、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第１の方向に動くプローブユニット６１を前記電極パッドに接触させ測定を行なう第１の測定工程と、前記第１の測定工程の後、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第２の方向に動くプローブユニット６２を前記電極パッドに接触させる第２の測定工程と、を有し、前記第１の方向と前記第２の方向とは異なる方向である。 （もっと読む）

【課題】プローブと検査対象物との確実な接触が可能であって、プローブおよび検査対象物への衝撃を緩和するとともに、適正な荷重をかけやすくする。
【解決手段】プローブカード１０において、プローブ２７が半導体チップと接触することでプローブ基板４９が軸方向に移動する量が第１閾値未満では、第２コイルバネ４８が軸方向に圧縮され、移動する量が第１閾値以上では、第１コイルバネ３５および第２コイルバネ４８の両方が軸方向に圧縮される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】 検査に必要な光を容易に被検査体に照射させる構成を簡素化させることができる検査装置を提供する
【解決手段】 本発明は、受光部と電極を備える被検査体とプローブカードを用いて電気的に接続して被検査体に関する検査処理を行う検査装置に関する。そして、プローブカードは、被検査体と電気的に接続するための接触子と、接触子と電気的に接続する基板と、基板で接触子と同じ板面に配置された、被検査体に向けて光を発光することが可能な光源を備える照明部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材にズレが生じてもプローブがスムーズに摺動可能なガイド部材によるプローブの保持構造を提供する。
【解決手段】電気的接触子がガイド部材によって保持された電気的接触子構造であり、電気的接触子は、先端にプランジャ、後端に支持部、さらにプランジャと支持部を接続するスプリングコイル、およびプランジャからスプリングコイル内へと延びる制動軸部を有し、スプリングコイルはプランジャに接続される可動部および支持部に接続され可動部よりも密に巻回されている固定部からなり、ガイド部材は、電気的接触子の先端側が挿入される第1のガイド穴が設けられた第１のガイド部材１１と、電気的接触子の後端側が挿入される第２のガイド穴が設けられた第２のガイド部材１２とが所定の間隔で配置されており、第１のガイド部材と第２のガイド部材との間で、スプリングコイルが湾曲するように、第１のガイド穴と第２のガイド穴が配置されている。 （もっと読む）

【課題】探針の先端等の電気的接触性が悪化しても、探針のファーストコンタクトを正確に検出する。
【解決手段】プローブカードの複数の探針の研磨を行う際に上記各探針のうちのいずれかが最初に研磨材に接触するファーストコンタクトを検出するファーストコンタクト検出システム及びそれを用いた研磨装置である。上記探針の接触に伴って発生して上記プローブカードを伝播する弾性波を検出するＡＥセンサと、当該ＡＥセンサの検出信号を基に、上記ファーストコンタクトを検知するＡＥ検知装置と、当該ＡＥ検知装置からの検知信号を受けて、その時点での研磨材の位置を基準に設定し、その基準位置に上記各探針のばらつき量を加算した位置を目標位置に設定して、上記研磨材をその目標位置まで上昇させる制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路のクロックに一定周波数のクロックのみを供給しつつ半導体集積回路の内部クロックを動的に変化させて半導体集積回路のランダム・ロジックを検査する。
【解決手段】複数の組み合わせ回路と当該複数の組み合わせ回路のスキャンテストを行うためのスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを有する半導体集積回路、の検査方法を、クロック生成装置から前記半導体集積回路に一定周波数の第１クロックを入力する入力工程と、前記半導体集積回路の内蔵する分周器が前記第１クロックを分周して第２クロックを生成する分周工程と、前記複数のスキャンフリップフロップに入力するクロックを、前記第１クロックと前記第２クロックとの間で動的に切り替えつつ前記半導体集積回路を検査する検査工程と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ小型で精密な電気特性検査が可能なパワー半導体測定用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】パワー半導体測定用コンタクトプローブ１は、円筒状のスリーブ２と、スリーブ２内を摺動自在に嵌合するプランジャーコンタクト３と、プランジャーコンタクト３をパワー半導体の外部接続用端子へ向けて付勢するコイルスプリング４とを備え、プランジャーコンタクト４のコンタクト側を可動軸受け５に圧入して固定し、非コンタクト側を固定軸受け６に摺動自在に挿通し、可動軸受け５と、固定軸受け６とで、スリーブ２内にプランジャーコンタクト３を摺動自在とし、可動軸受け５と、固定軸受け６との間にコイルスプリング４をプランジャーコンタクト３に装着して配置し、コイルスプリング４を、スリーブ２、プランジャーコンタクト３、可動軸受け５、固定軸受け６に対して電気的に絶縁した。 （もっと読む）