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Fターム[4M106AA10]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 対象 (8,684) | 半導体層 (261)

Fターム[4M106AA10]に分類される特許

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【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき(生産揺らぎ)を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】p型電極11とn型電極12の形成後に、静電容量測定手段が、p型電極11とn型電極12間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程(図示せず)と、第1不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、MOCVD手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第1不純物濃度分布制御工程(図示せず)とを有している。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置100の製造方法は以下の工程を有する。第1の主表面1との第2の主表面2とを有する炭化珪素基板80が準備される。第1の主表面1に電極が形成される。炭化珪素基板80は六方晶の結晶構造を有し、第1の主表面1の{0001}面に対するオフ角が±8°以内であり、第1の主表面1は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第1の主表面1に生ずる750nm以上の波長域における発光領域3の密度が1×104cm-2以下であるような特性を有する。 (もっと読む)


【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が20%以上100%以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導
体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ
明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トラ
ンジスタの電気特性を向上させることを第1の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化
物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率
が13以上(又は14以上)である半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】表面にDZを有する半導体基板において、該DZの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にDZ、内部にIG層を有する半導体基板において、表面再結合速度を1×10cm/sec以上に調整した第1のサンプルの一次モードのライフタイムτ11を測定し、一次モードのライフタイムτ11および下記数式を用いて、IG層のバルクライフタイムτIGを求め、第1のサンプルに対して、表面再結合速度を1×10cm/sec以下に調整した第2のサンプルの一次モードのライフタイムτ12を測定し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGを比較し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGの差が0となったとき、DZが消失したと判定することができる。
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【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 CPU15は、CCDカメラ12によって撮像された画像を、Y方向に複数の第1の分割領域41、およびX方向に複数の第2の分割領域42に分割し、第1の分割領域41のX方向の濃度分布を表す第1の濃度値分布特性、および第2の分割領域42のX方向の濃度分布を表す第2の濃度値分布特性を算出する。第1の分割領域41をX方向に分割した複数の第3の分割領域43のから、第1または第2のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第3の分割領域43を黒領域とする。黒領域のX方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が40〜150Ω・cmであり、かつ酸素濃度が5〜12ppmaであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 (もっと読む)


【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ1を搬送してウェハ支持台4へ載置するための搬送装置3と、該ウェハ支持台4の位置を可変制御する駆動装置14と、該ウェハ1が載置される前記支持台4の位置の可変制御により、ウェハ1の上部に配設される照射光8を前記ウェハ1表面に走査させながら照射する光照射部6と該光照射部6に照射光8を供給する光源7と、前記ウェハ1表面からの散乱光9を検出する第1受光検出部13とウェハ1の透過光を検出する第2受光検出部10と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部11と該演算部11からの信号を受けて画像として出力するモニター12とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体においても、CPM測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長(λEg)以下、所定の波長範囲以上におけるCPM測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλEg以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値F(x)を0.0001以上1以下、好ましくは0.0001以上0.1以下とする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で800℃以上1250℃以下に加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内が700℃以上1000℃以下の範囲内の温度のときに、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板にシンター処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 (もっと読む)


【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ1の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ1の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第1の波長域の測定用光源30と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ17と、その反射光の光検出手段40とを有し、観察光学系は、前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の観察用照明光を放出する照明光源41と、照明光を投射する対物レンズ17と、その反射光を受光して2次元画像を撮像する撮像装置48とを有する。これらで共通の対物レンズ17と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子34を配置する。撮像装置48は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 (もっと読む)


【課題】安定したSPV信号が得られ、少数キャリアの拡散長を高精度かつ再現性よく測定することが可能なn型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法を提供する。
【解決手段】表面光起電力法を用いて抵抗率0.1〜3000Ωcmのn型シリコンウェハの少数キャリア拡散長を測定するための前処理方法であって、前記ウェハをフッ酸水溶液で処理する工程と、前記フッ酸水溶液での処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを金属塩および過酸化水素を含む加温処理液で処理する工程と、前記加温処理液で処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを1〜30kVの電位をもつポリプロピレンまたは石英から作られる凹形状を有する容器の密閉されていない内壁空間内に前記ウェハ全体が入るように設置して乾燥する工程とを含むことを特徴とする前処理方法。 (もっと読む)


【課題】 オゾンガスでウェーハ表面を処理する際にウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整でき、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化膜珪素膜形成方法、及び、従来よりも安定したC−V特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。 (もっと読む)


【課題】成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】測定対象物Wを基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープ6を用いて抵抗値を測定する工程とを含む。酸化物半導体膜として、例えばIn−Ga−Zn−O系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。 (もっと読む)


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