【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】パターンの重要度を考慮しつつ効率的な欠陥検査を可能にする欠陥検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検査方法は、走査対象領域を特定する手順と、走査効率を算出する手順と、走査対象領域を優先順位付けする手順と、走査線の走査経路を決定する手順と、決定された前記走査経路に従って前記走査線を走査させる手順と、を持つ。走査対象領域は、検査対象領域を走査するための複数の走査線からなる予備的走査経路を設定し、設定された前記予備的走査経路を用いて特定される。走査効率は、特定された前記走査対象領域のそれぞれについて算出される。前記走査対象領域の優先順位付けは、得られた前記走査効率から行われる。走査線の走査経路は、得られた前記優先順位から前記複数の走査線の一部を間引いて決定される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体においても、ＣＰＭ測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長（λ_Ｅｇ）以下、所定の波長範囲以上におけるＣＰＭ測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλ_Ｅｇ以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値Ｆ（ｘ）を０．０００１以上１以下、好ましくは０．０００１以上０．１以下とする。 （もっと読む）

【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ２の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部４と、半導体ウエハ２で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ２の反射画像を取得する第一撮像部５と、半導体ウエハ２の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部６と、半導体ウエハ２を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ２の透過画像を取得する第二撮像部７と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ２に欠陥があるか否かを判定する判定部２１ｄとを備える太陽電池セル検査装置１であって、第一撮像部５及び第二撮像部７との間に配置されるビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１は、設定波長未満の光を第一撮像部５に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部７に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ１の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ１の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第１の波長域の測定用光源３０と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ１７と、その反射光の光検出手段４０とを有し、観察光学系は、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の観察用照明光を放出する照明光源４１と、照明光を投射する対物レンズ１７と、その反射光を受光して２次元画像を撮像する撮像装置４８とを有する。これらで共通の対物レンズ１７と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子３４を配置する。撮像装置４８は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被測定物との距離に依存することなく、被測定物の膜厚を高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光源１０と、第１光路と、第１集光レンズと、分光測定部４０と、第２光路と、第２集光レンズと、データ処理部５０を備える膜厚測定装置１００である。光源は、所定の波長範囲をもつ測定光を照射する。第１光路は、光源１０から照射した測定光を被測定物に導く。第１集光レンズは、第１光路から出射する測定光を被測定物に集光する。分光測定部４０は、反射率または透過率の波長分布特性を取得する。第２光路は、被測定物で反射された光または被測定物を透過した光を、分光測定部に導く。第２集光レンズは、第２光路の端部に集光する。データ処理部５０は、分光測定部４０で取得した波長分布特性を解析することで、被測定物の膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】ウェーハに対して所望のプラズマエッチングが行われたか否かを確認できるようにする。
【解決手段】ウェーハ１０を保持する測定テーブル２と、ウェーハ１０の外周部の形状確認をするための形状測定手段３とを有し、形状測定手段３が測定テーブル２の上方に位置し、形状測定手段３と測定テーブル２とを相対的に移動させることにより形状測定手段３がウェーハの形状を測定するプラズマエッチング確認装置１を用い、プラズマエッチング処理後のウェーハ１０の形状に基づき、プラズマエッチングの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物２の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置１００である。マクロ検査装置１００は、被検査物２を乗せるためのステージ１と、被検査物２の表面に対して所定の角度方向から被検査物２側に光を照射する拡散光源５と、被検査物２の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ９と、被検査物２とラインセンサ９との間に設けられ、反射光のうち拡散光源５のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ９の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ９に導くための光学系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】短い検査時間で検査対象の欠陥を検出することを課題とする。
【解決手段】ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する設定部３２と、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出する検査部３４と、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部３４が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する判定部３６と、を具備する欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】自動検査、特に、製造欠陥の解析の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】欠陥解析方法は、検査パラメータ値のそれぞれの範囲によって特徴付けられる複数の欠陥部類に対する単一部類分類子を識別する段階を含む。各単一部類分類子は、それぞれの部類に対して、検査パラメータ値に基づいてそれぞれの部類に属する欠陥を識別し、一方でそれぞれの部類に入っていない欠陥を未知欠陥として識別するように構成される。検査パラメータ値に基づいて複数の欠陥部類のうちの１つに各欠陥を割り当てるように構成された多重部類分類子が識別される。検査データが受信され、欠陥を欠陥部類のうちの１つに割り当てるために、単一部類及び多重部類分類子の両方が適用される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ウェハの表面及び裏面の形状のみならず、太陽電池ウェハの厚みを高速に算出する。
【解決手段】光源１２１，１３１は太陽電池ウェハの表面及び裏面に光切断線ＣＬを照射する。カメラ１２２，１３２は太陽電池ウェハが所定距離搬送される都度、測定試料５００の表面及び裏面の光切断線画像を連続撮像する。計測データ算出部１２３，１３３は角光切断線画像から光切断線ＣＬが現れている重心座標を表面計測データ及び裏面計測データとして算出する。高さデータ算出部１４３は、表面計測データ及び裏面計測データから太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータを算出する。厚みデータ算出部１４６は、太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータから太陽電池ウェハの厚みデータを求める。 （もっと読む）

【課題】 被検査画像から微小欠陥を検出するとともに、当該欠陥の色の違いを識別することができる外観検査装置および外観検査方法。
【解決手段】 被検査基板を撮像部３０で撮像することで被検査画像を取得する。被検査画像に対して微分処理部４１２は水平方向に微分演算処理を行う。そして、微分処理部４１２は、水平方向の微分処理結果に対して、さらに垂直方向に微分演算処理を行い欠陥候補検出画像４２３を生成する。欠陥検出部４０３が欠陥候補検出画像４２３中の欠陥候補と、欠陥候補が示す特徴を記録した欠陥識別情報４２８とを比較することで、欠陥を検出するとともに、検出された欠陥が白欠陥であるか黒欠陥であるか識別することができる。 （もっと読む）