【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するＡＤ変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】不良の太陽電池になり得る素地を含む間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。
【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理される。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スキャンチェーンの検査を好適に行うことが可能なスキャンチェーン検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０のスキャンチェーンに検査信号を供給する検査信号供給部１８と、スキャンチェーンの各レジスタでの検査信号の信号レベルの時間変化を測定するレジスタ測定部２０と、測定部２０による測定結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与するレジスタ番号解析部５１を有する検査解析装置５０とによってスキャンチェーン検査装置１Ａを構成する。供給部１８は、信号長ｎが異なるｍ種類の検査信号列を供給する。解析部５１は、信号長ｎの検査信号列を用いた測定結果からスキャンチェーンの複数のレジスタをｎ個のグループに分けるグループ分けをｍ種類の検査信号列のそれぞれについて行い、その結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段１８０は、透明基板１８７が枠１８５を介して載置台３４の上に設置される。異物付着防止手段１８０はベース１８６上に固定された２本の支柱１８４に回転可能に支持されたシャフト１８１がカップリング１８３でモータ１８２に連結されている。そして、２本に支柱１８４の間で、枠１８５の一部にシャフト１８１が挿入され、枠１８５及び透明基板１８７がシャフト１８１を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠１８５全体がシャフト１８１を軸としてＺ方向に開閉する構造になっており、枠１８５及び透明基板１８７により、載置台３４上のウェハ１を覆うことができる。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】 窒素がドープされた低酸素濃度のシリコン単結晶ウェーハに存在する、特にサイズが小さい結晶欠陥を検出することのできる結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】 窒素をドープした初期酸素濃度８ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下のシリコン単結晶ウェーハに存在する結晶欠陥の検出方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハに酸素雰囲気下にて熱処理を行うことにより、前記結晶欠陥内に酸素を注入し、欠陥サイズが２５ｎｍ以下の結晶欠陥を顕在化して検出可能にする工程と、前記熱処理後のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出する工程とを含み、前記熱処理時における、前記シリコン単結晶ウェーハの酸素固溶度と初期酸素濃度の比率を、α＝酸素固溶度／初期酸素濃度としたとき、αを１以上３以下の範囲になるように前記熱処理における熱処理温度を設定する結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源１１と、光源１１から出射される赤外光を平行光としてウエハ３０に略垂直に入射させ、当該ウエハ３０からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するＩＲカメラ１９、２０とを備え、光源１１からの赤外光を導光する光ファイバ１３の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ユーザそれぞれが、自身がその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように、そのレシピの存在自体も含めてレシピの設定内容を隠蔽しておくことができる検査装置及びその隠蔽方法を提供する。
【解決手段】ユーザそれぞれが、自身の閲覧設定画面５００上でその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように他のユーザを隠蔽先に含む隠蔽ＩＤ情報を生成するレシピ隠蔽情報作成機能部１１６と、ユーザそれぞれの閲覧設定画面５００を表示する際、隠蔽ＩＤ情報ファイル２４０に格納されている隠蔽ＩＤ情報に基づいて、ユーザそれぞれの閲覧設定画面５００の生成のためのレシピ表示情報を作成する表示情報作成機能部１２０とを備える。 （もっと読む）