【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ２の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部４と、半導体ウエハ２で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ２の反射画像を取得する第一撮像部５と、半導体ウエハ２の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部６と、半導体ウエハ２を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ２の透過画像を取得する第二撮像部７と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ２に欠陥があるか否かを判定する判定部２１ｄとを備える太陽電池セル検査装置１であって、第一撮像部５及び第二撮像部７との間に配置されるビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１は、設定波長未満の光を第一撮像部５に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部７に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部１４が周期的に形成された半導体ウェハ１０の検査装置であって、半導体ウェハ１０の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向３１に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置２２と、照明装置２２から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ１０からの光を受光する検出器２３と、半導体ウェハ１０と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ２１と、を備えた検ものである。 （もっと読む）

【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源１１と、光源１１から出射される赤外光を平行光としてウエハ３０に略垂直に入射させ、当該ウエハ３０からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するＩＲカメラ１９、２０とを備え、光源１１からの赤外光を導光する光ファイバ１３の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分解能よりも小さいサイズの欠陥を検出可能であって、より簡易な構成でより短い検査時間で欠陥を検出し得る内部欠陥検査装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部欠陥検査装置Ｄａは、検査対象の物体ＳＭを透過可能な波長の照明光を放射する光源部１と、光源部１から放射された照明光を検査対象の物体ＳＭに照射する照明光学系２と、検査対象の物体ＳＭの光学像を形成する撮像光学系３ａと、撮像光学系３ａによって形成された光学像を光電変換することによって光学像の画像信号を生成する撮像素子４ａおよび画像処理部７１ａと、この生成された光学像の画像信号に基づいて検査対象の物体ＳＭを提示する出力部６とを備え、照明光学系２と撮像光学系３ａとは、暗視野光学系を形成している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの切り替え（論理遷移）に直接関係する回路タイミング情報を、トランジスタ・レベルで測定するシステムを提供する。
【解決手段】集積回路デバイスからの電気信号のプローブレス・非侵入性検出用システムである。システムは、照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系、及びフォトン・センサ１４５を含む。ナビゲーション・モードでは、光源１３０を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりＦｅ−Ｂペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる２つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記２つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 （もっと読む）

【課題】十分に高い精度で貼り合せ不良部分を検出することができる貼り合せウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】貼り合せウェーハの貼り合せ不良部分の有無を検査する方法であって、貼り合せウェーハに対して超音波を照射した際の貼り合せウェーハ内部からの反射波を用いて貼り合せ不良部分を検出する超音波検査工程と、超音波検査工程を実施した後の貼り合せウェーハに対して粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して貼り合せ不良部分を検出するピーリング検査工程とを含むことを特徴とする貼り合せウェーハの検査方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウェハを検査するための方法に関する。半導体ウェハのエッジをイメージング方法を用いて検査し、エッジ上の欠陥の位置および形状をこのようにして求める。加えて、その外縁がエッジから１０ｍｍ以下である、半導体ウェハの平坦領域上の環状領域を、光弾性応力測定によって検査し、上記環状領域の中で応力を受けた領域の位置をこのようにして求める。欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。本発明はまたこの方法の実施に適した装置に関する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際に、該貼り合わせウェーハに存在するボイドを検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】２枚のウェーハを貼り合わせ、接合して貼り合わせウェーハを製造するに当たり、貼り合わせ過程における接合部と非接合部との境界が描く伝播形状に基づいて、当該貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドを検出し、貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドの有無は、実際にボイドの発生のないウェーハにおける前記伝播形状と当該貼り合わせ後のウェーハにおける伝播形状との対比にて判定し、該貼り合わせ境界の形状を二次曲線で近似して該二次曲線の頂点での曲率を求め、得られた曲率と貼り合わせ境界の位置毎に予め求められたボイドが発生しない場合の曲率とを比較して誤差を求め、得られた誤差が所定の値を超える場合には、貼り合わせウェーハにボイドが存在すると判定する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの画像から適切に欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】画像中のウェーハＷの検査対象の領域内の各画素について、所定の直線方向に並ぶ複数の画素中の当該画素を含む所定の範囲内の複数の画素の輝度を平均した移動平均輝度を算出し、各画素における移動平均輝度と、各画素の輝度との差分値を算出し、各画素についての差分値と、閾値とを比較することにより、各画素が欠陥候補画素であるか否かを判定し、欠陥候補画素に基づいて、ウェーハにおける欠陥を検査する画像処理部６ｂを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査に適したウェーハの画像を効率よく取得できるようにする。
【解決手段】受光部２により撮像された検査対象のウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあるか否かを判定し、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にないと判定した場合に、ウェーハＷを撮像する際の露光時間を変更して、受光部２によりウェーハＷの画像を再度取得させる制御処理部６ａと、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあると判定された場合に、当該ウェーハＷの画像に基づいて欠陥検査を行う画像処理部６ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエーハのシリコン膜厚を目視により検査する方法を実現する。
【解決手段】光源から放出される赤外線に近い波長を含む可視光２をＳＯＩウエーハ１の表面４に斜めに照射し、ＳＯＩウエーハ１から反射される反射光７，８の干渉縞を目視観察することにより、シリコン膜厚を検査する。 （もっと読む）