【課題】 撮像カメラの処理能力に制約を受けることなく、検査時間を短縮することができる自動外観検査装置を提供する。
【解決手段】 テーブル部、走査ステージ部、ストロボ照明部、鏡筒部、撮像部並びに、予め登録しておいた検査条件に基づいて、撮像された検査対象物の画像の良否判断をする検査部とを備え、
走査ステージ部には、テーブルの現在位置を計測する位置計測手段が備えられており、
鏡筒部には、観察光を一部透過させると共に、角度を変えて一部反射させる、
光分岐手段が備えられており、
鏡筒部には、光分岐手段で分岐された光を各々撮像することができるように、撮像部が複数取り付けられており、
制御部は、ストロボ発光させる毎に、撮像に用いる撮像部を逐次変えて撮像を行う機能を備えていることを特徴とする、自動外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】板状基板の外周部分を撮影して得られた撮影画像上の点の前記板状基板の周方向を横切る方向の位置を把握し易い板状基板のエッジ検査装置を提供することである。
【解決手段】予め設定された原点に向けて延びる撮影軸Ａｘｂを有し、板状基板１０の外周部分１０Ｅにおける所定面１２Ａを撮影視野範囲に含み、該所定面を前記板状基板１０の周方向に順次撮影して画像信号を出力する撮影部１３０ｂ（１３１ｂ）を備え、前記画像信号から生成される撮影画像データにて表される撮影画像上の点及び前記撮影軸Ａｘｂに対応した基準点それぞれの前記周方向を横切る方向における位置ｔAに基づいて、前記撮影画像上の当該点に対応する擬似的な撮影角度αAを表す擬似撮影角度情報を生成し、撮影画像及び前記擬似撮影角度情報に基づいた撮影角度に関するユーザインタフェース情報を前記表示ユニットに表示させるようにした。 （もっと読む）

【課題】安価な構成により、外観検査の検査精度を向上する。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置１は、同一の基板に複数の半導体装置が形成されているウェーハを搬送し、半導体装置を検査位置に移動させるプローバ装置１０と、検査位置の半導体装置に照明光を照射する光源部（マルチアングル照明５０）と、照明光を照射された半導体装置の画像を撮像するカメラ４０と、カメラ４０によって撮像された画像データに基づいて、半導体装置を検査する画像判定部（外観コントローラ２０）と、半導体装置のサイズに応じて半導体装置を複数の領域に分割し、分割した複数の領域に対応してカメラ４０に撮像させる検査位置に、ウェーハを順次移動させる制御部（ＰＣ３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内の状態を確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供。
【解決手段】（１）基板１の一面１ａから他面１ｂにかけて貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配された貫通孔基板であって、導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な切抜き３が形成されていることを特徴とする貫通孔基板。（２）切抜き３において、開口部５の縁が観察可能であることを特徴とする（１）に記載の貫通孔基板。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮに代表される窒化物半導体基板におけるキラー欠陥を、簡易かつ正確に評価する評価方法、さらには、キラー欠陥の位置が特定された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１の一主表面上に電解液２を接触させる工程と、前記窒化物半導体基板１の窒化物半導体層の厚み方向に対して前記電解液２を通じて電界をかける工程と、前記電界をかけた状態で前記窒化物半導体基板１の一主表面の上方から光学的手法５によって前記窒化物半導体基板１の一主表面上に存在するキラー欠陥を観察する工程とからなる評価方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの歩留まりに大きな影響を及ぼさない欠陥を排除し、それらに対処するために掛かっていた製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】第１の検査対象物が欠陥を含むか否か検査するステップＳＴ１１Ａと、検出された欠陥を特長毎に分類し、欠陥の特長毎に欠陥の個数を算出するステップＳＴ１１Ｂと、ウェハ上の半導体デバイスの電気的特性を測定し、ウェハ上における半導体デバイスの不良マップを作成するステップＳＴ１２Ｂ，ＳＴ１２Ｃと、不良マップと検査対象物の欠陥の位置とを照合し、半導体デバイスの電気的不良確率を算出するステップＳＴ１３，ＳＴ１４と、電気的不良確率を用いて第２の検査対象物の使用の適否を判定するステップＳＴnとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の欠陥を撮像した画像を，ユーザが定義したクラスごとに自動で分類する装置において，異なる複数の観察装置で撮像した画像が混在して入力された場合，観察装置の違いによる画像の性質の差により，欠陥画像の分類正解率が低下することを防止する。
【解決手段】複数の観察装置で撮像した欠陥画像が入力となる画像自動分類装置において，レシピを作成する際に観察装置ごとに画像処理パラメータの調整と分類識別面の作成を行い，画像の分類時には，欠陥画像を撮像した観察装置を画像の付帯情報などをもとに特定し，画像を撮像した観察装置に応じた画像処理パラメータと分類識別面を用いて，画像処理と分類処理を行うようにした。また，観察装置ごとの画像処理パラメータ調整を効率的に行うために，教示された欠陥領域をもとに適切な画像処理パラメータを自動調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】差画像解析を用いた半導体装置の不良解析を短時間で、効率よく高精度に行う。
【解決手段】良品、および不良品サンプルの半導体装置にテストパターンの掃引を開始して顕微鏡により発光画像を取得する。取得した発光画像を囲う反応ボックスを設定してレイアウト座標系の位置データに変換し、良品サンプルの反応ボックスと不良品サンプルの反応ボックスとが重なっている面積を計算する。重なっている面積がしきい値より少ない反応ボックスを差分ボックスと判定し、その差分ボックスを発光解析コントローラに表示する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型電界効果トランジスタを製造する途中で、絶縁ゲート型電界効果トランジスタに悪影響を与えるチャージアップが生じているのを検出することができる半導体装置製造工程におけるチャージアップ検出方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１０上の半導体層１２に、素子分離領域１８によって素子分離された絶縁ゲート型電界効果トランジスタ用の第１の活性層１６と検出素子用の第２の活性層１６とを形成し、前記第１の活性層と第２の活性層上に第１および第２の絶縁膜２２をそれぞれ形成し、少なくとも第１および第２の絶縁膜２２上に第１および第２の導体２４をそれぞれ形成し、第１および第２の導体２４に電荷が供給される処理を行い、その後、第２の活性層１６の形状を検出する。 （もっと読む）

【課題】真空ロボットによる試料搬送時の位置ずれを補正するための簡単な機構を備えた検査装置を提供する。
【解決手段】試料ステージのロードポジション(X_L,Y_L)及びアンロードポジション(X_U,Y_U)と、プリアライナの回転角(θ_L)を保存する。プリアライナ上のウエハを基準方位に対して回転角(θ_L)だけ回転させるプリアライメントを実行し、更に、プリアライナに対するウエハの偏心量(Δx₁,Δy₁)を測定する。この偏心量(Δx₁,Δy₁)に基づいて、試料ステージのロードポジション(X_L,Y_L)を補正する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡を用いたグローバルアライメント（ウェーハの位置ずれ・回転検出）を安定かつ自動に行う技術を提供する。
【解決手段】グローバルアライメント用のパターンとして、複数のアライメントパターン候補を算出し（１０７）、アライメントパターン毎に複数のマッチング用データを作成し（１０８）、光学顕微鏡からの画像信号に基づく画像（１１３）とアライメントパターンとして適正度の高いアライメントパターン候補順にアライメントパターン毎にマッチング用データとマッチングを行い（１１４）、マッチングの結果に基づき（１１５）ウェーハの位置ずれ量・回転量を算出する（１１６）。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、装置が大型化することなく、検査のばらつきが少ない太陽電池用シリコンウェハのクラックの検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 この発明のシリコンウェハのクラックの検出方法は、シリコンウェハ１に超音波発生装置３から超音波３１を付与し、シリコンウェハ１を共振させ、この共振により、シリコンウェハ１内に不可視クラックが存在する場合にはクラックを成長させて亀裂を生じさせ、欠陥があるシリコンウェハ１を判別可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置の特定を可能とする。
【解決手段】半導体基板１０の他面に溝部を形成する工程と、部品２０と溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、部品２０に電圧を印加することにより、部品２０の故障箇所５０を発光させるとともに、故障箇所５０からの発光を溝部の内部へ伝播させる工程と、故障箇所５０からの発光により生じる第１の発光部の位置、および故障箇所５０からの発光が溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を他面側から検出する工程と、第１の発光部の位置および第２の発光部の位置から、溝部の位置を推定する工程と、推定した溝部の位置に対する第１の発光部の相対位置と、レイアウトデータにおける溝部の位置とを用いて、故障箇所を特定する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】異物の種類によらずに高効率で異物の存在を検査しうる異物検出用パターン、並びにこのような異物検出用パターンを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】メッキ不良を検出するパターンを小型化すること。
【解決手段】上面に凹部が形成された絶縁膜と、前記第凹部内に埋め込まれたメッキ金属層１０、１４と、を含み前記メッキ金属層のメッキの不良を検出するパターンを具備し、前記パターン内の外側の第１領域Ｒｏｕｔにおける前記絶縁膜の上面の表面積は、前記パターン内の前記第１領域の内側に位置する第２領域Ｒｉｎにおける前記絶縁膜の上面の表面積とは、異なる評価素子。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜にクラックを生じさせるか否かを容易に判定できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、下部電極２３の上面に達する接続孔３０ｈを持つパッシベーション膜３０を備える。パッシベーション膜３０は、接続孔３０ｈを除いて下部電極２３の周縁部を含む領域を被覆する。下部バリアメタル膜３１は、下部電極２３とパッシベーション膜３０の凸状部分３０ｂとを被覆するように形成されている。バンプ電極３５から離れた領域でパッシベーション膜３０に形成されている段差部分を被覆するように金属膜パターン３１Ｔが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィ技術を用いて感光性樹脂膜をパターニングする工程の良否を正確且つ簡易に検査することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１の主面上の被検査領域に感光性樹脂膜を形成する工程と、投影光学系を用いて、マスクに形成された原版パターンを透過した露光光を感光性樹脂膜の表面に照射する露光工程と、感光性樹脂膜に現像処理を施して原版パターンに対応する被検査パターン２を形成する現像工程とを備える。被検査パターン２は、一端側から他端側に向かうにつれて厚みが変化する傾斜構造２ｓａ，２ｓｂを有する。原版パターンは、被検査パターン２の厚み分布に応じた光透過率分布を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層或いはビア層の観察に際し、所望の配線層或いはビア層を容易に識別し特定する。
【解決手段】半導体装置１００は、複数の配線層１〜５と、これら配線層１〜５の間に設けられたビア層１１〜１４と、少なくとも１つの配線層１〜５が何れの層であるかを識別させる識別用アクセサリ６１〜６５と、を有している。識別用アクセサリ６１〜６５は、複数の配線層１〜５のうちの所定の配線層に形成された識別パターン８１〜８５を含む。各識別パターン８１〜８５は、少なくとも１つの配線層１〜５が何れの層であるかを識別させる平面形状に形成されている。 （もっと読む）