【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極の導電性積層膜の膜厚を安価な装置で高速に測定する。
【解決手段】絶縁膜１上に上下に積層された導電層２，３（積層膜、例えばＮｉ層およびその上のＡｕ層）からなる半導体基板の電極に対して、段差を触針で測る場合やレーザ光を用いる場合など公知の方法で導電層２，３の厚さ（電極高さ）を測定するステップと、４端針法により電極の表面抵抗を測定するステップとを有し、二つのステップから得られた積層膜の膜厚（電極高さ）と表面抵抗値から、上下に積層した導電層２，３からなる電極の上部皮膜である導電層３の膜厚を計算式から算出する。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハに関して、接合リーク電流特性を高精度で評価することが可能な半導体基板の評価方法および評価用半導体基板を提供する。
【解決手段】評価する半導体基板１に、複数のＰＮ接合５と、該複数のＰＮ接合５同士を分離する分離酸化膜６と、該分離酸化膜６の下に位置するチャネルストップ層３とを形成してから、前記複数のＰＮ接合５における接合リーク電流を測定して評価を行う半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】試料評価装置及び試料評価方法において、酸化金属膜の組成変動を簡単に測定すること。
【解決手段】走査型非線形誘電率顕微鏡１０の探針１４ａにより酸化金属膜３５の評価領域Fを走査することにより、評価領域Fの非線形誘電率を示す出力信号S₀を走査型非線形誘電率顕微鏡１０から取得するステップと、酸化金属膜３５の特定の構成元素の組成ずれXと出力信号S₀との関係を表すテーブルTBを参照することにより、取得した出力信号S₀に対応する組成ずれXを求めるステップとを有する試料評価方法による。 （もっと読む）

【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】保守作業の効率化を図ることができる４探針抵抗率測定装置を提供すること。
【解決手段】少なくともプローブユニット６及び測定ユニット７を含む複数のユニットにより構成される４探針抵抗率測定装置であって、ユニット毎に複数の不揮発性メモリを搭載し、パーソナルコンピュータ１により、この不揮発性メモリに当該ユニットに関する保守情報を定期的に書き込み、上記保守情報を不揮発性メモリから読み出すものである。 （もっと読む）

【課題】電極とシリコンとのオーミック・コンタクトを容易に得ることができ、その電極を使用してシリコンのライフタイム測定ができ、その測定に利用できる測定ヘッドを提供する。
【解決手段】測定対象であるシリコン１に電極２Ａ，２Ｂを押し当てて回転させ、シリコン１と電極２Ａ，２Ｂとの接触部にオーミック・コンタクトを形成し、シリコン１にパルス光を照射し、その照射により発生する過剰キャリアにより変化する電気伝導度の時間的な変化量を測定して少数キャリアの再結合ライフタイムを測定する。電極２Ａ，２Ｂをシリコン１に押し付けるシリンダと、電極２Ａ，２Ｂを回転させるモータと、当該電極と電気的に導通するプローブと、シリコン１に励起エネルギーを出射する光照射部を備え、電極を押し具でシリコン１に押し付けながらモータで回転させて、電極２Ａ，２Ｂとシリコン１とのオーミック・コンタクトを得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置１０である。半導体検査装置１０は、ステージ２と、プローブ４と、テスタ部８と、光検出部５と、発光解析部６と、主制御部７と、異常判定部９とを備えている。光検出部５は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部９は、テスタ部８で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部６で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ［ｎ］と、酸素濃度［Ｏｉ］と、窒素濃度［Ｎ］との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ［ｎ］と前記酸素濃度［Ｏｉ］とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度［Ｎ］を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 （もっと読む）

【課題】スタックエラーを測定することのできる三次元集積回路を提供する。
【解決手段】三次元集積回路１００は、第１ウェハ１１０および第２ウェハ１２０を含む。第１ウェハ１１０は、第１導電パターン１１２を含む。第２ウェハ１２０は、第２導電パターン１２２を含み、第１導電パターン１１２に電気接続される。第１ウェハ１１０と第２ウェハ１２０の間の変位は、第１導電パターン１１２と第２導電パターン１２２の抵抗に基づいて決定される。 （もっと読む）