【課題】試料評価装置及び試料評価方法において、酸化金属膜の組成変動を簡単に測定すること。
【解決手段】走査型非線形誘電率顕微鏡１０の探針１４ａにより酸化金属膜３５の評価領域Fを走査することにより、評価領域Fの非線形誘電率を示す出力信号S₀を走査型非線形誘電率顕微鏡１０から取得するステップと、酸化金属膜３５の特定の構成元素の組成ずれXと出力信号S₀との関係を表すテーブルTBを参照することにより、取得した出力信号S₀に対応する組成ずれXを求めるステップとを有する試料評価方法による。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、該複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数帯の振幅（強度）を求めて合否を判定する工程と、前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されているフォトデバイスの光励起キャリア発生領域を非接触で検査する技術を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、フォトデバイスが形成された太陽電池パネル９０を検査する。検査装置１００は、パルス光ＬＰ１１を太陽電池パネル９０の受光面９１Ｓ側から照射する照射部１２と、該パルス光ＬＰ１１の照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスＴＬ１の電界強度を検出する検出部１３（検出器１３２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】評価用ＴＥＧにおいて、ビアエッチングによる層間膜換算におけるオーバーエッチング量を数値化する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１２上の、ＶＩＡ実寸測定用パターン２の形成領域には下部配線を設けずに、ＶＩＡ抵抗測定用パターン４の形成領域には下部配線１４を設け、この上に第２の層間絶縁膜１６を生成する。この第２の層間絶縁膜１６に、エッチングによりビアホール２０ａを形成した後、導電性部材を堆積させてビアＴＥＧ２０を形成する。下層に下部配線１４が配置されたビアＴＥＧ２０（２０４）のビアホール深さｂと下層に下部配線１４が配置されないビアＴＥＧ２０（２０２）のビアホール深さａとの比からオーバーエッチング率（量）を演算する。 （もっと読む）

【課題】接合ウェーハを破壊することなく、接合界面に間隙が生じていない場合であっても、局所的な接合部の接合強度を検査することができる検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ接合強度検査装置１００は、接合ウェーハ２００を保持する試料ステージ１６０と、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生器１５１と、接合ウェーハ２００を透過又は反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出器１５７と、テラヘルツ波検出器１５７によって検出したテラヘルツ波より接合ウェーハ２００のＴＨｚ波特性を演算する演算部と、を有する。演算部は、予め求めた基準試料のＴＨｚ波特性と接合強度の間の関係から、検査対象の接合ウェーハのＴＨｚ波特性に対応する接合強度を演算する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。
【解決手段】構造を形成するための少なくとも１つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量Ｍ_１を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量Ｍ_２を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積化構造中の不良を超音波スキャンによって検出することであって、シリコンウエハなどのボードに配列されているシリコン貫通配線（ＴＳＶ）においてプロセス中に発生してしまう可能性のあるボイドの存在を非破壊的に検出すること。
【解決手段】 ボード面にわたって超音波スキャンをすると、（はんだ）バンプ等が物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。そこで、これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すにあたって、物理的な遮蔽物を少なく存在するように選び出す。 （もっと読む）

【課題】高抵抗シリコンの電気的特性を、高い信頼性をもって評価するための手段を提供する。
【解決手段】ボロン濃度１．５０ｘ１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法。評価対象のシリコン表面を酸洗浄すること、洗浄後のシリコンに対して、該シリコンの表面温度が１５０〜３００℃の範囲となるように熱処理を施すこと、前記熱処理後のシリコンの前記酸処理を施した表面に形成された酸化膜を除去するための機械加工を施すこと、および、前記機械加工後のシリコン表面において、導電型および抵抗率からなる群から選ばれる電気的特性の評価を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】測定対象に応じて適切な測定条件で抵抗率測定を行うこと。
【解決手段】４探針抵抗率測定装置により試料の電気抵抗を測定する抵抗率測定方法であって、前記試料における複数の測定ポイント毎に印加電流を供給して電圧値を測定し、前記測定した電圧値が前回の測定ポイントの電圧値の所定範囲を超えると判定した場合に、前記印加電流の電流値を再設定する。 （もっと読む）

【課題】非破壊的方法により基板の表面上の絶縁層を介して電気的に基板を接地する。
【解決手段】基板の表面上の絶縁層を介して、導電経路を形成する装置に関する。第１の放射線源は、絶縁層の第１の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第１の電気接点は、第１の領域へ第１のバイアス電圧を印加するように構成される。第２の放射線源は、絶縁層の第２の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第２の電気接点は、第２の領域へ第２のバイアス電圧を印加するように構成される。領域の伝導性は、伝導経路がそれらの領域で絶縁層を介して形成されるように、放射によって増加する。一実施態様において、装置は、電子ビーム装置において使用され得る。別の実施形態は、絶縁層を介して導電経路を形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子におけるラッチアップによる不良の特定を容易に行なう。
【解決手段】時間分解能を有するエミッション顕微鏡を用いた半導体素子の検査方法において、検査される半導体素子に電圧パルスを印加する工程と、前記電圧パルスが印加された状態における前記半導体素子より、放出されるフォトンを経過時間ごとに検出する工程と、前記半導体素子がオフ状態からオン状態となった後のオン状態の時間において、前記フォトンが検出されているか否かを判断する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の検査方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板に所定のストレスを加える工程が含まれた処理を施す前に、処理中の破壊を生ずる可能性のある基板を事前に見つけ出せるようにした基板事前検査方法を提供する。
【解決手段】基板にストレスを加えるストレス印加工程と、ストレス印加工程で加えたストレスに起因するアコースティック・エミッション現象で基板に発生する弾性波を検出する検出工程とを備え、検出工程で検出した弾性波に基づいて、基板が前記所定のストレスに耐えられるか否かを判断する。前記処理が、基板Ｓを吸着及び加熱するステージ３を備える処理室１で行う処理であって、前記所定のストレスを加える工程が、ステージ３に基板Ｓを吸着した状態で基板を所定の処理温度に加熱する加熱工程である場合、弾性波を検出するセンサ４を設けて、基板Ｓをステージ３に載置した状態で、加熱工程完了前にストレス印加工程及び検出工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法は、
該樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、
該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および
該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供する。
【解決手段】樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、該樹脂膜を重金属汚染する工程、該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含む樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のごく表層部の不純物分析を、高感度かつ高精度に実施することのできる、半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法を提供する。
【課題を解決するための手段】アンモニア溶液の液面に対して、半導体基板の一主面を並行に対向させて配置し、前記アンモニア溶液の液面と前記半導体基板の一主面との距離が均等になるように保持した状態で、常温下にて放置することを特徴とする半導体基板の酸化膜形成方法であり、さらに、半導体基板の一主面はシリコン、窒化ガリウムのいずれかで構成されていること、アンモニア溶液の液面と半導体基板の一主面との距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、放置時間が６０分以上４００分以下であること、アンモニア溶液の濃度が１５重量％以上３５重量％以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面におけるＣｕの濃度を測定するＴＸＲＦ法を用いるにもかかわらず、シリコンウェーハ中に固溶しているＣｕの全量、ひいてはバルク領域中のＣｕ濃度を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ中のＣｕ濃度の評価方法であって、熱処理が施されたシリコンウェーハの表面でのＣｕ濃度をＴＸＲＦ法により測定し、前記熱処理においてシリコンウェーハを熱処理炉から取り出すときの温度又は熱処理炉から取り出して冷却するときの冷却速度と、前記測定された表面でのＣｕ濃度の測定値とから、バルク領域中のＣｕ濃度を評価するシリコンウェーハ中のＣｕ濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）