【課題】シールリングの内側領域生じたクラックを低コストで検出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、多層配線層と、内部回路領域３と、多層配線層に形成され、内部回路領域３を囲うシールリング２２０と、平面視で内部回路領域３とシールリング２２０とに挟まれた領域に設けられているＴＥＧ２００と、を含んでいる。ＴＥＧ２００は、多層配線層の少なくとも２層それぞれに設けられ、互いに接続する導体パターン７と、Ｐ型ウェル１３と、Ｎ型ウェル１４とによって構成されている。Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４は、平面視で交互に互いに接続された状態で配置されており、Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４のいずれか一つに導体パターン７が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの両面よりプローブを接触させて各半導体チップの特性を試験する試験装置において、所望の温度に半導体ウエハを加熱して各半導体チップを試験することができる試験装置を提案する。
【解決手段】両面にプローブを接触可能に半導体ウエハを保持し、この半導体ウエハの両面をそれぞれヒータ部により加熱し、この両面にそれぞれプローブを接続して当該半導体ウエハに設けられた半導体チップを試験する。 （もっと読む）

【課題】 高い均熱性および高い剛性を有していることに加えて、温度変化に対する平面度変化が極めて小さい半導体製造装置用ヒータユニットを提供する。
【解決手段】 ウエハを載置するための載置面１ａを有する銅やアルミニウムなどの金属からなる載置台１と、載置台１を支持するセラミックス製の支持板２と、支持板２の下面側に設けられた銅やアルミニウムなどの金属からなる保持部材３と、支持板２を下側から支持する複数の支持部材４とからヒータユニットを構成する。支持板２にはその厚み方向に複数の貫通孔２ａを設けて、これら複数の貫通孔２ａにそれぞれ挿通した複数の結合部材７で載置台１と保持部材３とを結合するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極５を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子７とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ１の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第１応力検出用素子７−１として設けられ、平面視において半導体チップ１の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第２応力検出用素子７−２として設けられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲートバイポーラトランジスタに大電流を流さなくとも飽和電圧特性、及びターンオフ損失特性を検査可能にする。
【解決手段】Ｎ−層１０の主面に、ｐ型のＰ−ベース領域１１、当該Ｐ−ベース領域１１に形成されたｎ型のＮ＋エミッタ領域１２、及び当該Ｎ＋エミッタ領域１２に隣接した絶縁ゲート１５をそれぞれ設け、前記Ｎ−層１０の他主面側に、ｐ型のＰ＋コレクタ層１６を設けたＩＧＢＴ２に対し、前記絶縁ゲート１５にゲート電圧Ｖｇを印加したときの電子電流Ｉｅと、前記Ｐ＋コレクタ層１６から前記Ｎ−層１０に注入されるホールによるホール電流Ｉｈとを測定し、前記電子電流Ｉｅに前記ホール電流Ｉｈを加えたコレクタ電流Ｉｃに対する前記ホール電流Ｉｈの比と、飽和電圧特性及び／又はターンオフ特性との相関に基づいて、飽和電圧特性及び／又はターンオフ特性の良否を検査する。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスをウエハ状態のまま検査することができるパワーデバイス用のウエハキャリアを提供する。
【解決手段】本発明のパワーデバイス用のウエハキャリア２０は、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う際に、検査装置１０の載置台１１上に吸着固定して用いられ且つ複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを保持するもので、キャリア本体２１と、キャリア本体２１の第１の主面上にウエハの載置面として形成された導電性金属膜２３と、載置面に形成された真空吸着用の溝２０Ａと、載置台１１の真空吸着用の溝１１Ａと連通し且つ真空吸着用の溝２０Ａ内で開口する吸引孔２０Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】両面に電極を有する半導体デバイスをウエハの状態で試験する。
【解決手段】ウエハに形成されウエハの上面側に上側電極下面側に下側電極を有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する上側電極と接触する複数の上側端子と、上側端子および下側端子を介して複数のデバイスに電圧を印加して、複数のデバイスを試験する試験部とを備え、下側端子はウエハがステージ部に押し当てられるのに伴って収縮する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プローブに加える荷重を低く維持したまま、狭小の有効スペースでプローブのストローク長さを長くし、かつ、プローブが安定して伸縮動作することができるプローブカードを提供する。
【解決手段】本発明のプローブカード１のプローブ２においては、ばね部として、ドーナツ形状の楕円板状に形成された第１ビーム部４および第２ビーム部５が傾斜配置されている。また、プローブ２は、第１ビーム部４の上端部および第２ビーム部５の下端部をヒンジ部Ｈとして２個のビーム部を連結させ、シングルアームパンタグラフ形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、耐薬品性試験においてもビアホール導体の抵抗変化の小さいプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体の内部に、モリブデンを主成分とするビアホール導体を備えているプローブカード用セラミック配線基板であって、前記ビアホール導体がモリブデン１００質量部に対して、チタンをＴｉＯ_２換算で０．８〜８．２質量部、マンガンをＭｎＯ換算で１．４〜３．４質量部含む。 （もっと読む）

【課題】特性測定用のステージにゴミがある場合でも、ウェハ状態でのチップ形成箇所のピエゾ効果による漏れ電流の誤判定が起こり難い半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ半導体基板１の裏面側に形成したｎフィールドストップ層９と、このｎフィールドストップ層９の表面層に形成したｐコレクタ層１０とからなる裏面拡散層１６の厚さが５μｍ以下と薄い場合に、Ｔｉ膜１１，１３、やＮｉ膜１４などの積層膜で形成される裏面電極１９のその積層膜に０．３μｍ〜４μｍの厚さのＡｌ−Ｓｉ膜１２を挟み応力緩衝することで、ピエゾ効果によるウェハ状態でのチップの漏れ電流の誤判定率を低下させる。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの寄生抵抗を抑制すること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を備える電子回路を形成する工程と、前記電子回路が形成される回路領域２０の少なくとも一辺とスクライブライン２６との間に、前記半導体基板内に前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を形成する工程と、前記第２拡散領域上に前記第２拡散領域と電気的に接触し、前記回路領域を囲む第１金属層１８ａを形成する工程と、前記回路領域の前記少なくとも一辺の前記スクライブラインに対し反対側に前記スクライブラインに沿って前記半導体基板上に、前記半導体基板と電気的に接触するように第２金属層１８ｂを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リレー回路板により、テスト結果信号の分流を行い、イメージ信号はイメージ処理装置に直接伝送して処理を行うウエハー検査システムを提供する。
【解決手段】ウエハー検査システムは、ウエハー９に対して検査を行い、各プローブ２０２２はウエハー９に触れ、電気信号を伝送及び受信し、照明器２０３は開口２０２１を通して光をウエハー９上に照射し、テストサーバー２０４は検査の関連プロセス及びデータ処理の執行を制御し、テスト回路板２１０はテスト信号を発信し、結果信号を受信し、判断を行い、ロードボード２０８は制御回路板２０９と少なくとも１個のテスト回路板２１０に連接し、少なくとも１個のリレー回路板２０７はプローブカード２０２、ロードボード２０８、少なくとも１個のイメージ処理カード２０６にそれぞれ連接し、伝送データの伝送方向を切り替える。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、検査時間を短縮することができるプローブカードの検査方法及びこれに用いる検査用ボードを提供する。
【構成】 プローブカードの検査方法は、共通電極１２０Ａ、１２０Ｂと、共通電極１２０Ａに電気的に接続されたプローブ１３０Ａ１〜Ａ４と、共通電極１２０Ｂに電気的に接続された複数のプローブ１３０Ｂ１〜Ｂ４とを備えたプローブカード１００の検査方法であって、共通電極１２０Ａ、１２０Ｂに電力を供給しつつ、プローブ１３０Ａ１〜Ａ４を一本毎に検査電極２２０Ａ１〜Ａ４に、プローブ１３０Ｂ１〜Ｂ４を一本毎に検査電極２２０Ｂ１〜Ｂ４に略同時に接触させる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に生じたボイドを高感度に検出する。
【解決手段】この半導体装置は、多層配線層（非図示、以下略）と、多層配線層中に形成された第一ＴＥＧパターン（非図示）を備える。第一ＴＥＧパターンは、互いに平行に延伸した複数の第一下層配線４０２と、層間絶縁膜（非図示）を貫通し、平面視で第一下層配線４０２間に位置する第一ビア６０２と、多層配線層の最上層（非図示）に形成され、第一ビア６０２に接続している第一端子７６２と、上記した同一の最上層に形成され、第一下層配線４０２に接続している第二端子７６４と、を備える。 （もっと読む）