【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の検査精度を向上させることができる集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】 集積回路検査装置１は、半導体基板２１、及び半導体基板２１の表面２１ａ側に形成された回路部２２を有する集積回路２０を検査するための装置である。集積回路検査装置１は、集積回路２０に照射される光Ｌを発生する光発生部３と、集積回路２０に照射される光Ｌの波長幅を調整する波長幅調整部５，１４と、集積回路２０に照射される光Ｌの照射位置を調整する照射位置調整部８と、光発生部３からの光Ｌが半導体基板２１の裏面２１ｂを介して回路部２２に照射されたときに、集積回路２０からの光Ｌを検出する光検出部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】下地基板の導電性を問わずに非破壊でＨＥＭＴ構造のシート抵抗を評価する方法を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴ構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法が、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルからバンド端ピーク強度値を取得する第１予備測定工程と、複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第２予備測定工程と、取得したバンド端ピーク強度値とシート抵抗値とから検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行ってバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、得られたバンド端ピーク強度値と検量線とに基づいて評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転位や積層欠陥などの結晶欠陥を容易かつ精度よく検出する。
【解決手段】単結晶基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長基板１７の上方より励起光を照射して励起した後に、フォトルミネッセンスによる発光強度のマッピングをエピタキシャル成長基板全体に渡って行う座標変換手段としてのＸＹ座標変換手段１１２と、座標変換手段１１２により座標に分割された複数のピクセルのそれぞれとこれに隣接する複数ピクセルとの差を用いて、欠陥検出すべきピクセルが欠陥ピクセルかどうかを順次検出する欠陥検出手段１１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】プロービング状態におけるウエハの反りを可及的に抑え、かつ十分な観測視野が得ることが可能なウエハプローバ、及び当該ウエハプローバを用いた故障解析方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１に対して固浸レンズ２３を用いた裏面解析を行うためのウエハプローバ１０であって、
ウエハ１を支持する表面に設けられた凹部１１ａと、この凹部１１ａの底面１１ａ２の一部を貫通する開口部１１ｂとを有するウエハステージ１１と、
凹部１１ａにｘ−ｙ方向に移動可能に収容され、ウエハ１を支持し、開口部１１ｂよりも小さい観測口１２ａを有する、可動プレート１２と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置から得られた半導体集積回路の異常信号と関連する回路を精度よく抽出する半導体集積回路の故障解析方法、故障解析装置、及び故障解析プログラムを提供する。
【解決手段】半導体検査装置より得た半導体集積回路の解析データに含まれる異常信号データについて解析データにおける装置座標系の座標を求める信号検出工程と、半導体集積回路の複数の基準点について装置座標系の座標と半導体集積回路の設計データにおける設計座標系の座標との対応を求め、装置座標系と設計座標系との座標変換式を求める座標変換工程と、座標変換式による装置座標系の座標と設計座標系の座標との位置誤差を求める誤差算出工程と、座標変換式と位置誤差とを用いて、装置座標系における異常信号の座標から、設計データにおける異常信号に関連する回路を抽出する回路抽出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】観測領域の特定が容易で、小型に構成できる顕微フォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡筒体１５１、１５２と、顕微鏡筒体から出た光を光分析手段に導くバンドルファイバ２０と、バンドルファイバの位置を調整する位置調整手段３３と、照明光源からの光を顕微鏡筒体内に導き、試料１４の反射光を観察する落射照明観察手段３４、３６と、試料を励起する励起光の励起光源と、励起光で励起されてフォトルミネッセンスを放出する試料の観測領域を選択する視野絞り３０とを備える。この装置では、試料の表面を落射照明観察手段で観察し、ＰＬ観測領域を視野絞り３０によって選択し、視野絞りで絞られた光束が適切にバンドルファイバ２０に入射するように、バンドルファイバの位置を位置調整手段３３で調整する。ＰＬ観測領域を高精度に特定することができ、その観測領域の最適状態での観測を容易に設定することができる。
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【課題】本発明は、負、ゼロ、あるいは非常に小さい正の電子親和力表面からの光電子放出現象を利用した従来にない新しい原理に、半導体内の不純物や欠陥の電子状態の高感度非破壊測定を簡便に行うことが出来る手法を提供する。
【解決手段】不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって前記半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、当該半導体の厚み方向に拡散し、あらかじめ電子親和力を負、ゼロ、あるいは当該半導体の結晶運動量相当のエネルギーに対応する小さな正の電子親和力状態にせしめた当該半導体の表面から外部光電子放出させ、光電子検出器によって光電子数を計数し、同時に照射光エネルギーを計測し、当該照射光エネルギーに対する光電子放出率を計測することにより、不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】被検査デバイスの特性を比較的精度よく低コストで測定する。
【解決手段】測定治具５０と測定部（端子接続のための各種部材や回路等）とを有する。測定治具５０は、被検査デバイス（ＤＵＴ１０）に照射する光を出射する発光素子１５１、一部が開口する反射部材１５４、および、発光素子１５１から出力し反射部材１５４の開口１５４Ａを通るモニタ光を受光し受光量に応じた出力を発生する受光デバイス（モニタＰＤ２２）を有する。測定部は、ＤＵＴ１０の特性を測定し、モニタＰＤ２２の出力に基づいて測定結果を校正することと、測定時におけるＤＵＴ１０への電源供給制御の少なくとも一方を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の裏面解析において、微細化された半導体装置に対して充分なパターン解像度、分解能および検出感度が得られる支持治具、および故障解析方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の表面にプローブを当てた状態で、半導体装置の裏面の被観察部を通して放出される発光を観察する故障解析の際に用いられる半導体装置の支持治具であって、前記半導体装置の裏面側の前記被観察部を除く領域に接触する接触部と、一端側が前記接触部に固定され、他端側が前記半導体装置以外の箇所に固定される支持部とを備え、前記接触部の中心が、解析時における前記プローブの中心とほぼ一致するように、前記接触部がウェハに対して相対的に移動する。 （もっと読む）

【課題】検査効率を向上させることができる半導体素子の検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ上に配列された半導体素子を検査する検査方法であって、半導体素子が配列された面における、少なくとも２つの直線方向に存在する半導体素子についてのみ検査を行う欠陥位置検査工程と、欠陥位置特定工程において、欠陥であると特定された半導体素子の位置に基づいて半導体ウエハ上における欠陥がある半導体素子が存在する欠陥領域を特定する欠陥領域特定工程と、特定された欠陥領域についてのみ検査を実行する本検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 実際のデバイスとなる有機半導体装置を無駄にすることなく膜厚を測定でき、また、電流を流さなくても有機膜の不良を検出できる有機半導体装置の製造方法、及び有機半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 基板２０上に有機膜６０，７０を備える有機半導体装置の製造方法であって、基板２０上における、所定の領域と、当該所定の領域を除く部分に設定されたダミー領域３とに、有機膜６０，７０を製膜する製膜工程と、ダミー領域３に製膜された有機膜６０，７０の吸光度を測定する測定工程と、を含み、測定工程によって測定された吸光度に基づいて有機膜６０，７０の膜厚を求めること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光デバイスの光学特性（受光特性）の測定を比較的精度よく低コストで実現する。
【解決手段】受光デバイス測定装置は、被検査対象の受光デバイス１０に光を出射する第１発光デバイス１５と、第１発光デバイスと異なる向きに光を出射する第２発光デバイス１９と、第２発光デバイス１９からの光を受光し、当該光の受光量に応じた出力を発生させる受光手段２２と、測定手段（測定のための回路、ケーブルおよびＬＳＩテスタ等）とを有する。測定手段は、第１発光デバイス１５からの光を受光した被検査対象の受光デバイス１０の特性を測定し、受光手段２２からの出力に基づいて、当該測定結果を校正する、及び／又は、測定時における被検査対象の受光デバイス１０への電源供給を制御する。
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レーザダイオードのような種類のデバイスを試験するために、ウエハ上の接触パッドに対して、直流電流と変調信号とを同時に与える。プローブ、プローブシステム及びプローブ方法を用いて、インピーダンス整合抵抗を経て被試験デバイスに変調信号を伝達し、インピーダンス整合抵抗を回避する信号経路を経て被試験デバイスに直流電流を伝達することにより、信号の歪み及び電力浪費が減少する。
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固浸レンズ３を支持する固浸レンズホルダ５が連結された第一腕部材７１と、この第一腕部材７１を、観察対象物に対して略平行を成すＸ−Ｙ平面内で回動させる第一腕部材回動源７２と、この第一腕部材回動源７２を保持する第二腕部材７３と、第一腕部材回動源７２の回動軸と非同軸の位置を回動軸として、第二腕部材７３をＸ−Ｙ平面内で回動させる第二腕部材回動源７４と、を具備する構成とする。そして、二個の腕部材７１，７３を回動することで、固浸レンズ３をＸ−Ｙ平面内の所望の位置に移動可能とし、直交するＸ方向、Ｙ方向に構成部品を長尺とする必要を無くし、占有領域を小とすると共に簡易な構成とする。これにより、低コスト化を図りつつ、装置の小型化を図ることが可能な固浸レンズ移動装置、及びこれを備えた顕微鏡が実現される。 （もっと読む）

【課題】 発光点像を測定した後、半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像を測定する半導体レーザの特性測定方法において、発光点像測定状態から遠視野像測定状態に再現性、精度を良好に保ったまま変化させる。
【解決手段】 半導体レーザ（１０）の発光点像のＣＣＤ画像における位置座標を測定した後、集光レンズ（４０）と半導体レーザ（１０）の間の光路中から平行平板からなる補正板（３０）を抜き出し、遠視野像をＣＣＤ画像として測定する。該遠視野像のピークのＣＣＤ画像における座標を測定し、前記発光点像の座標と前記遠視野像のピークのＣＣＤ画像における座標から前記半導体レーザの光軸ズレ角を測定する。また、前記遠視野像のＣＣＤ画像から遠視野像特性を測定する。 （もっと読む）