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Fターム[4M106CA27]の内容

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Fターム[4M106CA27]に分類される特許

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【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路41が形成されたチップ領域40を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路41に対応して形成された複数のテスト用回路42を有し、テスト用回路42には、対応する集積回路41に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路42は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 (もっと読む)


【課題】ELA工程において、高速、かつ目視検査員の品質評価値や最終画質と整合のとれた基板の品質評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】評価対象となる基板5を一方向に連続的に移動させながら基板5に斜め方向から光を照射して基板5上に形成された多結晶シリコン薄膜により発生する1次回折光による像を撮像して1次回折光像を取得すると共に、基板5からの正反射光又は透過光の光軸近傍の散乱光の像を撮像して光軸近傍の散乱光像を取得し、この取得した1次回折光像の画像と光軸近傍の散乱光像の画像を処理して複数の特徴を抽出し、この抽出した複数の特徴のうち、少なくとも1つ以上の特徴を用いて、事前に設定した評価基準に従って基板5上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質評価値を算出して基板5上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質を評価するようにした。 (もっと読む)


【課題】pチャネル型電界効果トランジスタのNBTIをウエハ面内において漏れなく評価することにより、信頼性評価の充実を図り、信頼性の高いpチャネル型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】劣化過程、回復過程、および再劣化過程をストレス試験の1サイクルとし、1つのpチャネル型電界効果トランジスタに対して上記1サイクルを複数回繰り返し行い、複数の劣化過程におけるしきい値電圧の劣化量または動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行い、複数の回復過程におけるしきい値電圧の劣化量および動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行う。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板の放熱性が低いプローブカード用基板を提供する。
【解決手段】 第1および第2主面S1,S2を有し、厚み方向に貫通する複数の第1貫通孔3を有する第1絶縁基板1と、第3および第4主S3,S4有し、厚み方向に貫通する複数の第2貫通孔4を有するとともに、第3主面S3が第2主面S2と一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置された第2絶縁基板2と、第1絶縁基板1の複数の第1貫通孔3のそれぞれから第2絶縁基板2の複数の第2貫通孔4のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が第1および第2貫通孔3、4の内側面に接合されている棒状の金属材料5とを備えることを特徴とするプローブカード用基板である。第1および第2基板1,2の間の空間部分において熱の伝わりを抑えることができるため、放熱性を低くすることができる。 (もっと読む)


【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、異物付着による外観不良の極めて少ないプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体が、該セラミック焼結体中に含まれるAlをAl換算およびSiをSiO換算した合計量を100質量部としたときに、前記MnをMn換算で2.0〜4.0質量部、前記TiをTiO換算で4.0〜8.0質量部および前記MoをMoO換算で0.4〜2.1質量部含有する。 (もっと読む)


【課題】短時間に、評価素子内を均一且つ正確な温度条件に保つことができるウエハレベル信頼性評価素子を提供する。
【解決手段】ウエハレベル信頼性評価素子は、信頼性評価対象素子1と、信頼性評価対象素子1に電気的に接続された複数の電極パッド3a〜3dと、信頼性評価対象素子1の周囲に設けられた複数の発熱体2a〜2fと、一対の発熱体用電極パッド5とを備える。発熱体2a〜2fは、PTC(Positive Temperature Coefficient)材料からなる。一対の発熱体用電極パッド5には、発熱体2a〜2fが並列に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】歩留り予測の精度を向上することができる歩留り予測システム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のチップ領域が設定された基板の処理を行う工程と、前記処理後の基板の状態に基づいて歩留りを予測する工程と、を繰り返し行う。前記歩留りを予測する工程では、前記基板に存在する欠陥の状態を把握し(S14)、前記欠陥の状態に基づいて前記複数のチップ領域のうちから不良チップ領域を特定し(S16)、前記不良チップ領域に関するデータをデータベースに格納し(S17)、前記データベースに格納されている不良チップ領域に関するデータに基づいて歩留りを算出する(S18)。また、前記欠陥の状態を把握する際には、前記データベースを参照して、既に不良チップ領域であるとして特定されているチップ領域については前記欠陥の状態の把握を省略する。 (もっと読む)


【課題】従来では外部機器にテストデータを保持、管理するため、管理精度の確実性に対する問題や管理コストが増大する問題があった。
【解決手段】不揮発性記憶回路と、第1の回路と、を備える集積回路の選別テスト方法であって、少なくとも前記第1の回路に対して第1の条件でテストを行い、前記第1の条件でのテストの第1の結果を前記不揮発性記憶回路に書き込み、前記第1の結果に応じて、前記第1の回路に対して第2の条件でのテストを行い、前記第2の条件でのテストが行われた場合の第2の結果を前記不揮発性記憶回路に書き込み、前記第1の結果もしくは前記第2の結果から前記集積回路を複数のグレードにランク分けする集積回路の選別テスト方法。 (もっと読む)


【課題】設計した半導体集積回路の経時的な信頼性を保証できるか否かを容易に検証できる試験結果記憶方法、試験結果表示方法、及び試験結果表示装置を得る。
【解決手段】半導体集積回路を構成するトランジスタに関する予め定められた物理量の大きさを変化させたときの当該トランジスタの信頼性の経時的な低下に関する信頼性試験を行うことによって得られた、物理量の大きさに応じたトランジスタの信頼性の経時的な低下量を示す試験結果情報を予め記憶したHDD50から、当該試験結果情報を読み出し、読み出した試験結果情報により示された低下量を、最小低下量から最大低下量までの間を予め定められた範囲の量で連続する複数の領域に分割し、分割した分割低下量を、第1の物理量の大きさを分割した領域と、第2の物理量の大きさを分割した領域とに対応させると共に、分割低下量毎に異なる状態で示す表としてモニタ52に表示する。 (もっと読む)


【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び/又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれK1、K2、K3としたとき、K1>K2かつK3>K2であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】インライン特性化のための装置を提供する。
【解決手段】当該装置は、第1の電圧および第2の電圧が順次印加される、熱的に分離された被試験デバイスと、第1の電圧および第2の電圧が順次印加されている間に、第1の温度および第2の温度をそれぞれ実質的に同時に、被試験デバイスに与える局部加熱素子と、被試験デバイスの温度を測定する温度感知ユニットとを含む。 (もっと読む)


【課題】 バンプ先端が所定の形状で作成することが出来る検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅張りポリイミドフィルム基材を用いてセミアディティブ法により形成したニッケルバンプのうち被検査電極と接触するバンプ先端形状が所定寸法のものと、フイルム上に所定寸法で形成したニッケルパッドとを、金属接合によって接合したことを特徴とする検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価を行う方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、MLCC2を用意する工程と、前記第1の導電体が抵抗素子4の一方端に電気的に接続され、前記抵抗素子の他方端が第1の直流電源5に電気的に接続され、前記第1の直流電源が前記第2の導電体に電気的に接続され、前記抵抗素子の一方端及び他方端それぞれが増幅器7の入力側に電気的に接続され、前記増幅器の出力側が周波数分析器8に電気的に接続された接続状態で、前記増幅器の出力を前記周波数分析器によって分析することで得られるPool Frenkel電流に基づく1/f特性を示す範囲の電流ゆらぎの大きさを測定する工程と、前記工程で測定された1/f電流ゆらぎの大きさが大きい場合は、前記絶縁性薄膜の質が悪いと判定し、前記工程で測定された1/f電流ゆらぎの大きさが小さい場合は、前記絶縁性薄膜の質が良いと判定する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の製造(検査に要する時間を含む)に要する時間を短縮できる半導体集積回路の試験方法及び試験装置を提供する。
【解決手段】同一ウエハ20上の半導体チップA,Bにそれぞれプローブピンを接触させる。その後、試験装置本体からプローブピンを介して半導体チップAに仕様で定められた条件で電源電圧と第1のテスト信号とを供給し、選別試験を実施する。これと同時に、半導体チップBに仕様で定められた条件よりも過酷な条件で電源電圧とテスト信号とを供給し、バーンイン試験を行う。次の回では、バーンイン試験した半導体チップに対し選別試験を実施し、未試験の半導体チップに対しバーンイン試験を実施する。 (もっと読む)


【課題】既知の反射特性を有する第1層と、第1層上に形成された第2層を有するサンプルの検査方法を提供する。
【解決手段】本方法は、サンプル表面へ放射線を向けること、表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するためにその表面で反射された放射線を検知することを含む。第1層からの放射線の反射による特徴は反射信号で同定される。同定された特徴と第1層の既知の反射特性とに対応して反射信号が較正される。その較正された反射信号は第2層の特性を決定するために分析される。他方で、向上された検査方法も同様に開示する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ・レベルの試験装置を使用しながら、ウェーハ・レベルで高速で簡単な方法を使って統計データを得るシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】本システムおよび方法は、任意のチップのDUTの全ての並列ストレスを実施してストレス時間を短くし、それから、そのチップの他のDUTをストレスがかかった状態に保ってリラクゼーションが起こるのを防ぎながら、そのチップの各DUTを個々に試験することができるようにする。1つの応用では、得られた統計データによって、トランジスタ・デバイスの負温度バイアス不安定性(NTBI)現象の解析が可能になる。統計データを得ることは、NBTIの挙動が知られているために、デバイスが小さくなるにつれてNBTIにとってますます非常に重要になる可能性があるが、本構造および方法は、僅かな適切な調整によって、多くの技術の信頼性メカニズムを得るために多数のDUTにストレスを加えるように使用され得る。 (もっと読む)


【課題】ウエハ・レベル・バーインテストでは、ウエハ全域をほぼ一括してプローブテストを実行している。この際、プローブカードは、摂氏百数十度程度に加熱された下方のウエハステージからの熱により、テスト温度に近い温度にあらかじめ加熱されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、この予備加熱が十分でないと、プローブ針がコンタクトしている間にもプローブカードの熱膨張が進行し、プローブ針をウエハから浮上させる際に、蓄積した応力によりウエハ上のパッドに引っかき傷を形成することが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、実際の被テストウエハに対して、プローブテストを実行する前に、ウエハステージ上に被テストウエハではない別のウエハをセットした状態で、プローブカードのプローブ針と前記別のウエハをコンタクトすることにより、プローブカードの予備加熱を実行するものである。 (もっと読む)


【課題】大規模な被測定トランジスタの特性を高精度に測定する半導体装置及びそれを用いた評価方法を提供する。
【解決手段】n行m列のマトリクス状に配列される被測定トランジスタDUTを有する評価セルC11〜Cnmと、被測定トランジスタにストレス電圧を印加するためのドレインストレス線DVS等と、評価セルを選択するための行選択信号供給用の行選択線X1〜Xnと、列選択信号供給用の列選択線Y1〜Ymと、入力される行選択信号と列選択信号に応じて被測定トランジスタの選択/非選択を表す選択信号を出力する選択回路10と、を備え、選択信号供給回路に入力される選択制御信号等により行選択信号と列選択信号を生成し、評価セル各々に設けられた第1のトランジスタT1〜第9のトランジスタT9を切り替え、被測定トランジスタDUTの測定評価、或いは被測定トランジスタDUTへのストレス電圧印加を行う。 (もっと読む)


【課題】一度のテストにおけるチップ数を減らすこと無く、安定した試験を行う。
【解決手段】半導体集積回路装置(S1とS2に対応)を複数のグループに分けて同時に試験する方法であって、少なくとも1つのグループにおいて、他のグループとは異なる周波数のクロック信号(CLK1とCLK2に対応)で半導体集積回路装置を動作させる。 (もっと読む)


【目的】チップのスクリーニング試験において、試験装置を構成するコンタクトプローブのメンテナンスを短時間で行うことができる半導体チップの試験装置と試験方法を提供する。
【解決手段】IGBTチップ20が破壊した場合に、IGBTチップ20のエミッタ電極に付いたコンタクトプローブ4の圧接痕とIGBTチップ20の破壊痕の距離を測定し、この距離が判定基準距離(例えば0.5mm)以下のときにコンタクトプローブ4を有するコンタクトブロック3をメンテナンスすることで、従来のようにIGBTチップの破壊が発生する都度、コンタクトプローブをメンテナンスしていた場合と比べて、試験装置停止時間及びメンテナンスコストの低減ができる。 (もっと読む)


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