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Fターム[4M106CA29]の内容

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Fターム[4M106CA29]に分類される特許

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【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が20%以上100%以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が40〜150Ω・cmであり、かつ酸素濃度が5〜12ppmaであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 (もっと読む)


【課題】 蛍光X 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光X線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光X線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 (もっと読む)


【課題】気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。
【解決手段】分析対象のシリコンウェーハを、弗化水素ガス、硝酸ガス、および窒素酸化物ガスの混合ガスと接触させることにより、該シリコンウェーハの表層領域をエッチングすること、前記エッチング後のシリコンウェーハを、エッチングにより露出した表面が180℃以上の温度となるように加熱すること、前記加熱後のシリコンウェーハ表面を弗酸蒸気に曝露すること、前記曝露後のシリコンウェーハ表面上の金属成分を回収用水溶液中に捕集すること、ならびに、前記回収用水溶液中の金属成分を分析すること、を含むシリコンウェーハの金属汚染分析方法。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハが直接曝露される環境雰囲気のボロンおよびリンからなる群から選ばれる不純物による汚染を、高精度に評価する手段を提供すること。
【解決手段】環境雰囲気の不純物汚染評価方法。上記評価対象不純物は、ボロンおよびリンからなる群から選ばれる少なくとも一種である。評価対象雰囲気中でホットプレート上にシリコンウェーハを配置し加熱することにより該シリコンウェーハ表面に酸化膜を形成すること、上記酸化膜形成後のシリコンウェーハを、引き続き評価対象環境雰囲気中に所定時間放置すること、次いで上記酸化膜表面を回収液と接触させること、上記酸化膜表面と接触させた回収中の評価対象不純物量を測定すること、および、測定された評価対象不純物量に基づき、前記環境雰囲気中の不純物汚染レベルを判定すること、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルを付着させ、この基板に光を照射してパーティクルから放出される光を受光してパーティクルの付着状態を測定するにあたり、微少なパーティクルであっても簡便に確実に測定すること。
【解決手段】ウェハWの表面に付着させる蛍光粒子1中にレーザー光により蛍光を発する蛍光物質を混入させると共に、受光部11とウェハWとの間にレーザー光やこのレーザー光の照射により生じる散乱光の透過を抑える光学フィルタ12を介設し、受光部11には散乱光の入射を抑えて蛍光粒子1から放出される蛍光を入射させる。 (もっと読む)


【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】マニュアル操作によりウエーハ回転台6を回転させ、ウエーハ回転台上のウエーハ10のノッチ10aを目視で目安棒8に位置合わせをして、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム16および走査液回収アーム16の先端に設置した走査液回収冶具16aを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台6を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 (もっと読む)


【課題】ユーザのパーティクル発生要因判定システムの利用に関するインセンティブを与えることができる課金方法を提供する。
【解決手段】ユーザがパーティクルマップを入力するユーザインターフェイス装置11と、サーバ装置13とを備えるパーティクル発生要因判定システム10において、サーバ装置13が、パーティクルマップに基づいて、複数のパーティクル発生要因の各々についての確度を算出し、ユーザインターフェイス装置11が、算出された各確度や、該確度に対応する各パーティクル発生要因に関する発生要因関連情報27の標題等を表示し、サーバ装置13が、発生要因関連情報27をユーザインターフェイス装置11に提供するとともに、少なくとも提供される発生要因関連情報27に対応するパーティクル発生要因の確度に基づいて決定された課金額を発生要因関連情報27の提供に対して課金する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の極表層領域の金属汚染を評価するための手段を提供すること。
【解決手段】同一の製造ロットで製造された複数の半導体基板から2枚の分析用基板を抽出すること、抽出した半導体基板の一方の基板(基板A)の少なくとも一方の表面をアルカリ溶液と接触させることにより基板Aの表層部を溶解すること、表層部を溶解した基板Aおよび他方の半導体基板(基板B)の表面を酸溶液と接触させることにより基板Aおよび基板Bの少なくとも一部を溶解すること、上記溶解後の酸溶液中の金属成分量を測定すること、および、上記基板A表層部の金属汚染量を、上記測定により求められた基板B溶解後の酸溶液中の金属成分量から基板A溶解後の酸溶液中の金属成分量を差し引いた値として求めること、を含む半導体基板表層部の金属汚染評価方法。 (もっと読む)


【課題】分析用シリコンウェーハの運搬方法に関し、汚染濃度の水準の異なる数種のシリコンウェーハも安価且つ容易に運搬することができるようにする。
【解決手段】シリコンウェーハ表面の汚染濃度を分析するためのシリコンウェーハの運搬方法において、同一ロット内の2枚のシリコンウェーハを、分析したい状態を維持したまま表面同士を向かい合わせにして貼り合わせる貼り合わせ工程S10と、貼り合わせ工程S10の後に、貼り合わせられた状態の2枚のシリコンウェーハをウェーハケースに収納して運搬する運搬工程S20と、運搬工程S20の後に、貼り合わせられた状態の2枚のシリコンウェーハを元の1枚の状態へと剥離し、その剥離されたシリコンウェーハそれぞれを分析装置へ導入する剥離工程S30とを備えた。 (もっと読む)


【課題】簡単にしかも低コストでウォータマークの発生を少なくできる洗浄・乾燥条件の選択を可能とした半導体ウェハと半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウォータマークの検出を容易にしたTEGとしての半導体ウェハとして、同じパターンの繰り返しが第1方向に並ぶ第1ウォータマーク検出パターンを含む第1領域と、同じパターンの繰り返しが上記第1方向と直交する第2方向に並ぶ第2ウォータマーク検出パターンを含む第2領域とを設ける。上記半導体ウェハを用いてウォータマークが最も少なくなる洗浄・乾燥条件を探し出して、その洗浄・乾燥条件により実際の回路機能を持つ半導体集積回路を形成する半導体ウェハの洗浄・乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】N/N/Nエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、FeやMo等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びFeやMo等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】P型シリコン単結晶基板を準備する工程と、該P型シリコン単結晶基板の一主表面上にN型シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程と、該N型シリコン単結晶薄膜を有するP型シリコン単結晶基板の前記N型シリコン単結晶薄膜のみを除去して前記P型シリコン単結晶基板の主表面を露出させる工程と、DLTS法によって該主表面を露出させたP型シリコン単結晶基板の重金属濃度の測定を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 (もっと読む)


【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面にケミカルパッシベーション法によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がP型シリコン基板の場合は1×1012〜1×1013Photons/cm、N型シリコン基板の場合は1×1014〜5×1014Photons/cmのキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 (もっと読む)


【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がP型シリコン基板の場合は3×1012〜1×1013Photons/cm、N型シリコン基板の場合は2×1011〜1×1012Photons/cmのキャリア注入を行って、前記シリコン基板中の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 (もっと読む)


【課題】複数のテスト素子によりMIS型素子の経時変化を評価可能であり、各々のテスト素子に位置依存性が少なく、印加電圧のばらつきも生じ難い、信頼性の高いMIS型素子の評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のMIS型素子の評価方法は、MIS型素子95の層構造と同層にて、金属層265と半導体層267との間に絶縁層266が形成されてなるテスト素子201a〜201eを複数形成し、金属層265と半導体層267とを電極として複数のテスト素子201a〜201eをそれぞれ並列に接続して、各テスト素子201a〜201eに電圧印加した後、所定時間の経過後にテスト素子201aをサンプリングして当該テスト素子201aを評価する一方、さらに所定時間の経過後にテスト素子201bをサンプリングして当該テスト素子201bを評価する評価工程を順次行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液(分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する)を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の外周面に存在する不純物を簡易的に分析する方法を提供する。
【解決手段】測定対象となる半導体基板4を分割構造のステージ2で挟持し、半導体基板4の外周面とステージ2の外周面とで、半導体基板4の外周面を中心とする平坦部Fを形成する。半導体基板4の外周面とステージ2の外周面とで形成された平坦部FにX線を全反射条件で照射し、半導体基板4の外周面から発生した不純物の蛍光X線を検出する。蛍光X線の検出結果に基づいて半導体基板4の外周面の不純物による汚染状態を評価する。 (もっと読む)


【課題】本発明は一つの軸に回転性と移動性が集中されないスキャニングアームを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体ウエーハ汚染物質捕集装置のスキャニングアームは、半導体ウエーハの汚染物質捕集装置のスキャニングアームにおいて、X軸部(11)と;該X軸部(11)に沿って前、後進移動するようにX軸部(11)に垂直設置されたZ軸部(12);および該Z軸部(12)で昇、下降するようにZ軸部(12)に設置されるY軸部(13)から成ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ表面の銀汚染を高精度に評価でき、従来法に比べて銀の回収作業が簡便で、高い作業効率が得られる半導体ウェーハおよびその銀汚染評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に硝酸水溶液を接触させ、ウェーハ表面の銀を硝酸水溶液に溶解して回収し、その回収された銀からシリコンウェーハの銀汚染度を評価するので、従来のHF/Hの混合水溶液により銀を回収し、シリコンウェーハの銀汚染度を評価するものに比べて、銀の評価精度が高まる。しかも、従来法より銀回収の作業が簡便となり、高い作業効率が得られる。 (もっと読む)


【課題】 表面に親水性の薄膜が形成された半導体ウェーハ上の不純物を高い収率で自動回収する半導体ウェーハ表面不純物の回収方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハ11表面にシリコン酸化膜12が形成されたウェーハを水平に保持する。次に、シリコン酸化膜12および不純物を溶解しシリコンウェーハ11表面を疎水性にする溶解液13を粒状にしてシリコン酸化膜12の表面に付着させる。続いて、粒状の溶解液13を付着させ所定の時間経過後に、シリコンウェーハ11上に上記不純物を回収する回収液を滴下しシリコンウェーハ11上で移動走査させて、シリコンウェーハ11上の不純物を回収する。そして、このように回収された例えば金属不純物は物理的あるいは化学的に定量分析される。 (もっと読む)


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