【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するＡＤ変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ１，Ｆ２が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ３〜Ｆ６（図中、点線で示す）が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所（欠陥箇所Ｆ６，Ｆ３）を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 （もっと読む）

【課題】検査装置における伝送プロトコルは画像データの送信側と受信側が使用する伝送プロトコルに応じて最適化されている。このため、使用する伝送プロトコルが変更されると、データの分配を実行する部分の再開発が必要とされる。
【解決手段】画像データに付加情報を付して出力する撮像部と画像データを処理する画像処理部との間に画像分配部を配置する。さらに、画像分配部を、第１の伝送プロトコルにより撮像部から入力される画像データを所定のデータ形式に変換する画像入力部と、所定のデータ形式に変換されたデータの分配を制御する分配制御部と、所定のデータ形式のデータを第２の伝送プロトコルの画像データに変換して画像処理部に出力する画像出力部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】使用環境に影響されることなく基板上の異物を高精度で検出することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】基板保持部２１の搬送方向に並んで配置され、基板保持部２１に保持された基板Ｗの表面に沿ってレーザービームＬＢ１、ＬＢ２を出射する出射部８０a、８１aと、レーザービームを受光する受光部８０ｂ、８１ｂと、をそれぞれ有する２つの異物検出器８０、８１と、２つの異物検出器８０、８１の各受光部８０ｂ、８１ｂが受光する前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号を比例演算部８３ａによって増幅し、さらに、差分演算部８３ｂによって、２つの増幅した前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号の差分を算出し、異物８２の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置でベアウエハ（鏡面ウエハ）を検査する場合、ウエハ上には何もマークがないため、ベアウエハを正しく位置決めできない。
【解決手段】本発明は、前記基板を移動する搬送系と、前記基板に光を照射する照明光学系と、前記基板からの光を検出する検出光学系と、前記検出光学系の検出結果に基づいて前記基板の欠陥を検出する第１の処理部と、前記検出光学系の検出結果に基づいて画像を取得する第２の処理部とを有し、前記第２の処理部は、前記基板の外周部の画像、及び前記基板のノッチ部の画像を取得し、前記外周部の画像に基づいて、前記基板の中心位置を計算し、前記中心位置、及び前記ノッチ部の画像に基づいて、前記基板の回転ずれを計算し、前記搬送系は、前記中心位置、及び前記基板の回転ずれに基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや結晶欠陥などの不良を含む半導体素子を容易に検知する技術の提供。
【解決手段】半導体素子の製造方法では、複数の半導体素子部アレイを基板上に形成（Ｓ１）し、半導体素子部の外観検査（Ｓ２）を行う。外観検査後、半導体素子部上に絶縁膜を形成（Ｓ３）し、絶縁膜上に第一レジスト膜を形成（Ｓ４）する。第一レジスト膜をパターニングして開口のアレイを有する第一レジストマスクを形成（Ｓ５）する。第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。第二レジストは、外観検査の結果によって示されるアレイ内の第一レジスト開口に形成される。第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。保護膜及び半導体素子部上に電極を形成（Ｓ８）し、電気特性の検査（Ｓ９）を行う。 （もっと読む）

【課題】異物の種類によらずに高効率で異物の存在を検査しうる異物検出用パターン、並びにこのような異物検出用パターンを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】
パルスレーザ光源から発射されるパルスレーザのパルス発振周波数よりも高いサンプリングレートで試料にダメージを与えることなく検査することを可能にする。
【解決手段】
パルス光源から発射されたパルス光の１パルス分の光を複数のパルスに分割し、この分割されたパルス光を試料に照射し、照射により試料から発生した散乱光を集光して検出し、試料からの散乱光を集光して検出して得た情報を用いて試料上の欠陥を検出する欠陥検出方法において、１パルス分の光を複数のパルス光に分割することを、分割した各パルス光のピーク値がほぼ一定になるように制御して分割するようにした。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出倍率を上げて微細欠陥検出感度を向上させるため、焦点深
度が浅くなり、環境変動によって結像位置がずれ、欠陥検出感度が不安定になる課題があ
る。
【解決手段】被検査基板を搭載して所定方向に走査するＸＹステージと、被検査基板上の
欠陥を斜めから照明し、その欠陥を上方に配した検出光学系で検出する方式で、この結像
状態を最良の状態に保つために、温度及び気圧の変化に対して、結像位置変化を補正する
機構を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】試料ステージが傾いている場合や試料表面にうねりを有するような場合に起こり得る弊害を解消し、正確な画像を取得することができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置において、試料８表面の傾きを検出する傾き検出手段２８、２９と、検出された試料８の傾きに応じて、照射荷電粒子線を試料８表面に垂直に照射させ、同時に照射光学系の光軸中心および結像光学系の光軸中心に荷電粒子線軌道を合わせる電界と磁界を重畳させたＥ×Ｂ偏向器５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子検査装置は、複数の画素が形成された固体撮像素子２に対して電気的欠陥検査を行う接触型のプローブ１２１ｂを備えるテスタ１１と、テスタ１１による欠陥画素の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子を撮像する撮像部１２３、及び、撮像部１２３からの出力画像を基に異物の有無を検出する画像分析部（例えば、画像分析部１１２）を備えるプローバ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面検査ツールおよび方法を提供する。
【解決手段】検査ツールの実施形態は、光ビームをワークピース上に導くことによって、前記ワークピースの欠陥から散乱された光、および前記ワークピースの通常の散乱パターンにしたがって散乱された光を含む、散乱された光を発生する照射源を含む。この実施形態は、前記ワークピースから散乱された光を受け取り、前記ワークピースの欠陥から散乱された前記光を、この光を電気信号に変換する前記フォトセンサに選択的に導くプログラム可能な光選択アレイを含む。処理回路は、前記光検出要素からの電気信号を受け取り、ワークピースの欠陥の特徴付けを含みえる前記ワークピースの表面分析を行う。プログラム可能な光選択アレイは、以下に限定されないが、反射器アレイおよびフィルタアレイを含みえる。本発明はまた関連付けられた表面検査方法も含む。 （もっと読む）