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Fターム[4M106CA46]の内容

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Fターム[4M106CA46]に分類される特許

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【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜4上にポリシリコン5を配置し、このポリシリコン5にpnダイオード9を形成し、nカソード層6上に層間絶縁膜10を挟んで第1ボンディングパッド11を配置する。また、pアノード層7上に第2ボンディングパッド12を配設することで、層間絶縁膜10に導入されるダメージが層間絶縁膜10を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置(パワーICなど)とすることができる。 (もっと読む)


【課題】シールリングの内側領域生じたクラックを低コストで検出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】図2に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、多層配線層と、内部回路領域3と、多層配線層に形成され、内部回路領域3を囲うシールリング220と、平面視で内部回路領域3とシールリング220とに挟まれた領域に設けられているTEG200と、を含んでいる。TEG200は、多層配線層の少なくとも2層それぞれに設けられ、互いに接続する導体パターン7と、P型ウェル13と、N型ウェル14とによって構成されている。P型ウェル13とN型ウェル14は、平面視で交互に互いに接続された状態で配置されており、P型ウェル13とN型ウェル14のいずれか一つに導体パターン7が接続されている。 (もっと読む)


【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ2の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部4と、半導体ウエハ2で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ2の反射画像を取得する第一撮像部5と、半導体ウエハ2の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部6と、半導体ウエハ2を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ2の透過画像を取得する第二撮像部7と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ2に欠陥があるか否かを判定する判定部21dとを備える太陽電池セル検査装置1であって、第一撮像部5及び第二撮像部7との間に配置されるビームスプリッタ11を備え、ビームスプリッタ11は、設定波長未満の光を第一撮像部5に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部7に導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品40は、互いに平行を成す一方の主面41aと他方の主面41bが矩形状の基体41を有する。基体41の一方の主面41aには、第一チッピング検出用配線42が配されている。また、基体41の他方の主面41bには、第二チッピング検出用配線44が配されている。第一チッピング検出用配線42は貫通配線43aを介して第二チッピング検出用配線44に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 (もっと読む)


【課題】 この発明は、装置が大型化することなく、検査のばらつきが少ない太陽電池用シリコンウェハのクラックの検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 この発明のシリコンウェハのクラックの検出方法は、シリコンウェハ1に超音波発生装置3から超音波31を付与し、シリコンウェハ1を共振させ、この共振により、シリコンウェハ1内に不可視クラックが存在する場合にはクラックを成長させて亀裂を生じさせ、欠陥があるシリコンウェハ1を判別可能とする。 (もっと読む)


【課題】パッシベーション膜にクラックを生じさせるか否かを容易に判定できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、下部電極23の上面に達する接続孔30hを持つパッシベーション膜30を備える。パッシベーション膜30は、接続孔30hを除いて下部電極23の周縁部を含む領域を被覆する。下部バリアメタル膜31は、下部電極23とパッシベーション膜30の凸状部分30bとを被覆するように形成されている。バンプ電極35から離れた領域でパッシベーション膜30に形成されている段差部分を被覆するように金属膜パターン31Tが形成されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェーハ等の試料の熱衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価装置を提供する。
【解決手段】 脆性材料の熱衝撃耐性を評価するための装置であって、少なくとも、脆性材料である試料を載置する載置台と、前記試料を加熱するための加熱炉と、該加熱炉内に前記載置台および前記試料を搬送するための搬送手段と、落錘を前記炉内の前記試料に落下させるための落錘手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記搬送手段により前記載置台および前記試料を前記加熱炉内に搬送して前記試料を加熱した後に、前記落錘手段により前記落錘を前記加熱炉内の前記試料に向けて落下させることができるものであることを特徴とする熱衝撃耐性評価装置。 (もっと読む)


【課題】ボンディングワイヤが接続されたボンディングパッドを一面に有する半導体基板において、ワイヤの接続によるボンディングパッド下部のクラックの発生を適切に検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板1の内部にてボンディングパッド10の下部には、当該半導体基板1の特性を検査するための検査用配線40が設けられており、検査用配線40は、ボンディングパッド10のうちボンディングワイヤ70の端部が位置する部位の直下に配置されている。 (もっと読む)


【課題】ウェーハのクラックを確実に検出できるクラック検出装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ13を、弾性素材を介在させて支柱部材11と音響センサ15とで挟み込んで位置決め保持し、この挟持状態において、弾性素材22を被着した加振部19を、ウェーハ13に衝突させて加振し、その際にウェーハ13に伝わる振動波形を音響センサ15で検出し、この振動波形の共振周波数よりも高い周波数成分に基づいてクラック検出を行うように構成した。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハをダイシングする前にウエーハの割れを確認可能なウエーハの割れ検出方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの割れを検出するウエーハの割れ検出方法であって、ウエーハに超音波付与手段を接触させてウエーハに超音波を付与する超音波付与工程と、該超音波付与手段を接触させた位置から離間した位置のウエーハに超音波検出手段を接触させてウエーハを伝播した超音波を検出する超音波検出工程と、該超音波検出工程において、該超音波検出手段で検出した超音波の状態に異変がある場合はウエーハに割れが存在し、異変が無い場合は割れが存在しないと判定する判定工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の検査方法を提供する。
【解決手段】単色プローブ光は試料Sに照射され(ステップc1)、励起光は強度変調されて試料Sに照射される(ステップc2)。ロックインアンプ137の位相調整を行った後(ステップc3)、光学フィルタ132を用いて散乱した励起光を遮蔽し、信号検出器133にはプローブ光のみが入るようにする(ステップc4)。分光器113を掃引し、試料Sから反射されたプローブ光を信号検出器133で電気信号に変換する(ステップc5)。得られた信号は、バンドパスフィルタ回路135を通して、反射率Rに相当する直流成分と変調反射率ΔRに相当する交流成分に分け(ステップc6)、それぞれ直流電圧計136とロックインアンプ137で計測する(ステップc7)。コンピュータ140は、各計測値を用いてΔR/Rを計算し、PRスペクトルを得る(ステップc8)。 (もっと読む)


【課題】暗視野光学式検査装置では、TTLにおけるリアルタイムでの合焦追従対応が困難である。また、斜め方向からの反射光の位置ズレを検出する方式では、撮像用レンズとの誤差や温度変化等の環境変化および合焦制御ユニットの経時変化によるズレ(オフセット)量を補完することが困難である。さらに検査時の環境等により合焦位置が変化してしまうため、TTL開始時においてもある程度の合焦が保たれていなければ、高精度にするためには画像のサンプル数を増やしたりする必要があるため時間がかかってしまう。
【解決手段】TTLとS字カーブ制御を同時積載し、合焦位置認識はTTL、合焦位置追従動作にはPSD(CCD)方式というように用途を切替えることで、より高精度で短時間の検査を行うことができる。また、TTL実行時に前回の合焦位置情報をフィードバックすることにより、TTLの時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】 物体の欠陥を検出するための方法および装置を提供する。
【解決手段】 物体20を透過する波長の光50を照射することによって物体20を局部的に照明するステップ10と、直接透過した照射光の部分48の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、かつ1回反射した照射光50の部分53a、53bの検出を少なくとも部分的に回避しつつ、複数回反射した照射光50の部分を検出するステップ12と、検出した照射光50の部分の強度の差を評価することによって欠陥22を識別するステップ14とを備える、物体20の欠陥22を検出するための方法ならびにこの方法を実施するための装置。 (もっと読む)


【課題】欠陥を生じさせる原因となる装置を容易に特定することができる基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板21を処理する複数の設備1〜8のそれぞれについて基板21の搬出時の第1のノッチ方向を設備1〜8に関連づけてデータ化して記憶部13に記憶する工程と、複数の設備1〜8の少なくとも一部により処理された処理基板21に発生した傷のパターンと処理基板21の第2のノッチ方向を検出する工程と、処理基板21の第2のノッチ方向と基板の第1のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する設備1〜8を傷発生源と特定する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】高スループットかつ高感度の欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】広帯域波長の照明を用いて結像性能を向上させることが有効である。そこで、従来の屈折型光学系より広帯域波長の照明が使用可能な反射型光学系を用い、更に良好な収差状態を得られるレンズ外周部の円弧形状のスリット状視野にする。しかしこの方式は、受光面での各検出画素寸法の違いによる明るさの差と、センサの出力配列を視野内の位置座標に対応付けることが課題である。課題を解決するために、明るさの差及び座標を画素位置に応じて個別に補正する。 (もっと読む)


【課題】短時間で精度良くウエハのクラックの有無を検査できるクラックの検出方法及びその検出装置を提供すること。
【解決手段】ウエハを一方向に湾曲させたときに発生する所定周波数の音の強度をモニターすることにより、前記ウエハのクラックの有無を判定すること。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの側部に生じた欠損やクラックによるシールリングのダメージを検出して、半導体チップの信頼性向上を図ることが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、能動素子及び電極パッドを形成した能動領域Aと、これを囲むシールリング5を含む環状の周辺領域Cとを形成して構成され、さらに周辺領域Cのうちシールリング5の外側に、能動領域Aを囲むと共に両端が隣り合って位置する線状を呈して一端7aが半導体基板に接地された検査用配線7、及び、この他端に接続された検査用パッド9を形成した半導体チップ1に対し、キャピラリにより電極パッド3とパッケージ11の接続端子面13とをボンディングワイヤ15により電気接続する工程において、キャピラリの先端部から引き出されたボンディングワイヤ15を検査用パッド9に押し当てることで、キャピラリにより検査用配線7の電気的な導通状態を検出する。 (もっと読む)


【課題】低価格で、且つ半導体基板のルミネセンス画像から高い精度でクラックを検出できる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】pn接合を有する半導体基板100にルミネセンスを生じさせる励起エネルギーErを半導体基板に供給する供給装置10と、第1の励起エネルギーEr1及び第1の励起エネルギーEr1と大きさの異なる第2の励起エネルギーEr2が供給された半導体基板100の第1及び第2のルミネセンス画像をそれぞれ取得する画像取得装置30と、第1のルミネセンス画像と第2のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を半導体基板100の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するルミネセンス画像処理装置41と、強度差分画像データの差分の大きさを用いた判定値に基づき、半導体基板100のクラックが発生したクラック位置を検出する検出装置42とを備える。 (もっと読む)


【課題】TDIセンサ等のセンサのラインレート以上のスキャン速度で検査した場合、TDIセンサのラインレートとスキャン速度が非同期となり画像がボケてしまうため、TDIセンサのラインレート以上のスキャン速度では使えないという課題についての配慮がされていなかった。
【解決手段】TDIセンサのラインレートとステージスキャン速度を非同期で制御し、且つTDIセンサの電荷蓄積による画像加算ずれの課題を解決するため、被検査物に細線照明を照射し、TDIセンサの任意の画素ラインのみに被検査物の散乱光を受光させる。また、TDIセンサのラインレートとステージスキャン速度の速度比によって、検出画素サイズの縦横比を制御する。 (もっと読む)


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