【課題】半導体基板の一方の表面のみかつ当該表面の全体をエッチング液に接触でき、半導体基板以外からの不純物の混入(コンタミ)がない半導体基板表面の不純物の回収方法、及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法を提供する。
【解決手段】平坦な底面を有する支持容器１にエッチング液２を添加し、その上に分析対象の半導体基板３を載せて、半導体基板３表面のエッチング液２への溶解に要する時間放置後、当該エッチング液２を回収する方法であって、半導体基板３の直径をＸｃｍとしたとき、支持容器１に添加されるエッチング液２の量が、２×（Ｘ／５）^２ｍｌ以上、３×（Ｘ／２）^２ｍｌ以下であり、かつ支持容器１とエッチング液２の接触角が６５°以上であることを特徴とする半導体基板表面の不純物の回収方法及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確に測定することができるシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスでウェーハ表面を処理する際にウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整でき、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化膜珪素膜形成方法、及び、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハのリーク電流の測定において、リーク源である欠陥種を簡易な方法で特定することができる半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、評価対象である半導体基板にＰＮ接合を形成し、該ＰＮ接合が形成された半導体基板の基板温度を変化させながらリーク電流を測定し、この測定結果をプロットすることによって得られる前記リーク電流の温度特性から、前記評価対象である半導体基板に含まれる欠陥種を特定する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の金属汚染評価をＤＬＴＳ法によってより一層高感度に行うための手段を提供する。
【解決手段】半導体試料上の半導体接合に対して空乏層を形成するための逆方向電圧Ｖ_Rと該空乏層にキャリアを捕獲するための弱電圧Ｖ₁とを交互かつ周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第一のＤＬＴＳスペクトルを得て、又上記半導体接合に対して、上記Ｖ_Rを周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第二のＤＬＴＳスペクトルを得て、第二のＤＬＴＳスペクトル、または第二のＤＬＴＳスペクトルを直線ないし曲線近似して得られたスペクトルを補正用スペクトルとして、該補正用スペクトルと前記第一のＤＬＴＳスペクトルとの差分スペクトルを得る。前記差分スペクトルを評価用ＤＬＴＳスペクトルとして用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供する。
【解決手段】樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、該樹脂膜を重金属汚染する工程、該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含む樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法は、
該樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、
該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および
該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のごく表層部の不純物分析を、高感度かつ高精度に実施することのできる、半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法を提供する。
【課題を解決するための手段】アンモニア溶液の液面に対して、半導体基板の一主面を並行に対向させて配置し、前記アンモニア溶液の液面と前記半導体基板の一主面との距離が均等になるように保持した状態で、常温下にて放置することを特徴とする半導体基板の酸化膜形成方法であり、さらに、半導体基板の一主面はシリコン、窒化ガリウムのいずれかで構成されていること、アンモニア溶液の液面と半導体基板の一主面との距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、放置時間が６０分以上４００分以下であること、アンモニア溶液の濃度が１５重量％以上３５重量％以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施形態に係る試料汚染方法は、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、薬液が充満した筺体内へ半導体基板を所定時間放置する工程と、所定時間経過後に、半導体基板を筺体内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの金属不純物の元素情報及び空間情報を高感度且つ高精度で取得することができ、加えて低コスト且つ簡便に実現することができるシリコンウェハの金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング用のＯ_３／ＨＦ混合ガスをシリコンウェハ表面に噴射し、シリコンウェハ表面を気相エッチングする。これにより、第１表層のシリコンが分解され、該第１表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第１表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。また、第１表層分解後のシリコンウェハ表面は、Ｏ_３／ＨＦ混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが直接曝露される環境雰囲気のボロンおよびリンからなる群から選ばれる不純物による汚染を、高精度に評価する手段を提供すること。
【解決手段】環境雰囲気の不純物汚染評価方法。上記評価対象不純物は、ボロンおよびリンからなる群から選ばれる少なくとも一種である。評価対象雰囲気中でホットプレート上にシリコンウェーハを配置し加熱することにより該シリコンウェーハ表面に酸化膜を形成すること、上記酸化膜形成後のシリコンウェーハを、引き続き評価対象環境雰囲気中に所定時間放置すること、次いで上記酸化膜表面を回収液と接触させること、上記酸化膜表面と接触させた回収中の評価対象不純物量を測定すること、および、測定された評価対象不純物量に基づき、前記環境雰囲気中の不純物汚染レベルを判定すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、ＳＰＶ法を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】表面光起電力法により光照射によるＦｅ−Ｂペア乖離処理後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を求める分析方法。前記乖離処理後に測定される少数キャリア拡散長Ｌ_ＡＦ１と、前記Ｌ_ＡＦ１測定から所定時間経過後に測定される少数キャリア拡散長Ｌ_ＡＦ２と、前記乖離処理により乖離したＦｅ−Ｂペアの再結合の時間依存性と、をパラメータとして含む算出式により前記鉄濃度を算出し、前記算出式を、前記光照射により前記シリコンウェーハ中に存在するボロン原子と酸素原子が結合体を形成し、該結合体がＬ_ＡＦ１とＬ_ＡＦ２に対して同じ影響を及ぼすと仮定して導出する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、基板の表面を液滴で処理する基板処理方法と基板処理装置とを提供する。
【解決手段】円形の仮想線に沿って設けられた開口から気体を噴き出し可能になった治具１０と前記治具１０の内部での内部圧力を検出する圧力センサとを準備し、基板５の表面の直交方向から基板５を見て基板５の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板５の表面に吹き付けながら前記内部圧力と特定圧力値との差圧を小さくする様に前記治具１０の基板５の表面の直交方向に沿った位置を調整し、基板５の表面の直交方向から基板を見て基板の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板の表面に吹き付けながら前記治具１０を基板の表面に沿って相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】製品ウェハにおけるトランジスタ寸法での、金属不純物量を予測可能とする不純物量予測方法を提供する。
【解決手段】不純物量予測方法は、半導体基板上に設けられたトランジスタのパターンを用いてＴＤＤＢ寿命及び反転膜厚として第１寿命及び第１膜厚を測定するステップ（Ｓ１）と、予め求められたゲート絶縁膜中の不純物量とＴＤＤＢ寿命及び反転膜厚との関係と、測定された前記第１寿命及び前記第１膜厚とに基づいて、前記半導体基板内のゲート絶縁膜中の不純物量を予測するステップ（Ｓ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】近年の清浄度の高い半導体基板であっても、清浄度評価を製造過程においてＳＰＶ法によって行うことによって、先端デバイスに最適な半導体基板を供給することができるようなウェーハ選別工程が組み込まれたシリコン単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造工程において、裏面再結合速度と半導体基板の厚さを組み込んでＳＰＶ法によって拡散長を計算し、照射する光の波長を変えて所定回数行って、計算した拡散長と照射した光の周波数との関係のグラフの近似線を求めて、周波数０に外挿して周波数０の時の拡散長をＬ_０として、この拡散長Ｌ_０によって良品・不良品を選別する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

半導体ウエハ（Ｗ）などの基板に付着する汚染物質の量を、ウエハを容器内の水と接触させた後に予測する方法について記載する。汚染物質は、ウエハの特性に悪影響を与える物質を含んでいてもよく、このとき、ウエハの表面に付着する汚染物質の量は既知のシステムの検出限界レベル未満の量であってもよい。当該方法は、第１の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程と、前記ウエハを乾燥させる工程と、前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程と、第１の期間よりも短い第２の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着する汚染物質の量を予測する工程とを含む。
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