【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ［ｎ］と、酸素濃度［Ｏｉ］と、窒素濃度［Ｎ］との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ［ｎ］と前記酸素濃度［Ｏｉ］とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度［Ｎ］を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面におけるＣｕの濃度を測定するＴＸＲＦ法を用いるにもかかわらず、シリコンウェーハ中に固溶しているＣｕの全量、ひいてはバルク領域中のＣｕ濃度を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ中のＣｕ濃度の評価方法であって、熱処理が施されたシリコンウェーハの表面でのＣｕ濃度をＴＸＲＦ法により測定し、前記熱処理においてシリコンウェーハを熱処理炉から取り出すときの温度又は熱処理炉から取り出して冷却するときの冷却速度と、前記測定された表面でのＣｕ濃度の測定値とから、バルク領域中のＣｕ濃度を評価するシリコンウェーハ中のＣｕ濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等のシリコン試料の所望領域において、ドーパント種（Ｂ、Ｐ）を特定および定量するための手段を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、シリコン試料の一部または全部を分解すること、上記分解後に得られるシリコンを含む溶液を加熱蒸発させること、ただし、液滴が１滴残留している状態で加熱蒸発を停止し、上記液滴を回収し、該液滴中に含まれるボロンおよびリンからなる群から選ばれるドーパント元素を誘導結合プラズマ質量分析装置により分析すること、を含むことを特徴とする、シリコン試料の分析方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の不純物濃度およびプロファイルを正確に制御することを可能とする不純物濃度プロファイルの測定方法、その方法に用いられるウェーハ、および、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、前記基板１０の主面上に設けられた半導体層１２，１７であって、前記主面上において互いに面積の異なる複数の第１領域１７ａ，１７ｂに形成された第１の部分と、前記主面上で前記第１領域１７ａ，１７ｂを取り囲む第２領域１７ｃに形成され前記第１の部分とは異なる構造を有する第２の部分と、を有する半導体層１２，１７と、を有するウェーハを用いる。そして、前記半導体層のうちの複数の前記第１の部分の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定し、前記第１の部分の面積に依存する前記不純物濃度プロファイルの変化を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりＦｅ−Ｂペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる２つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記２つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア結合中の測定値と光照射によるＦｅ−Ｂペア乖離中の測定値の違いに基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を測定する方法。測定対象シリコンウェーハに対して光照射を行うことにより該ウェーハに含まれるボロン原子と酸素原子との結合体であるＢ−Ｏ欠陥を形成した後に、前記測定値を求める。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求めること、求められたΔＰＬと既知の鉄濃度とに基づき、（ΔＰＬ）²と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶ドライバ等の半導体集積回路装置においては、その形状が極端に細長いため、長手方向にプロセス特性がばらつくと、所望のデバイス特性が得られない。そこで、実製品ウエハにプロセスモニタ用の検査用素子を各種配置して、それらを測定することによって、プロセス特性のばらつきを監視している。しかし、ウエハ内におけるグローバルなプロセスばらつきは、比較的抽出しやすいものの、チップ内の局所的なプロセスばらつきの高精度の抽出は、大幅に検査用素子密度を上げない限り、困難であることが、本願発明者等により明らかにされた。
【解決手段】本願の一つの発明は、半導体集積回路装置の製造方法において、ウエハ上のチップ領域の近傍に複数のテスト素子領域を異なるピッチで配列し、プローブテストにおいて、それらを電気的に計測することにより、プロセスの局所的ばらつきをモニタするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。
【解決手段】重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。その際、重金属をＣｕ、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒのうちから選択し、研磨スラリー中の重金属の添加量を１〜１０００ｐｐｂとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度と局所的電気特性（広がり抵抗、静電容量特性及び非線形誘電率特性を含む）との相関を従来よりも正確に求めることができる走査プローブ顕微鏡用標準試料及びキャリア濃度測定方法を提供する。
【解決手段】標準試料１０は、シリコン単結晶よりなる半導体基板１の上に、不純物を添加せずにエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる不活性層３と、不純物を添加してエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる活性層２Ａ〜２Ｆと、を交互に積層して形成される。各活性層２Ａ〜２Ｆはそれぞれ異なるキャリア濃度（不純物濃度）を有しており、キャリア濃度が少なく電気抵抗率の大きな不活性層３で分離されている。このため、異なる活性層間での信号電流のリークを抑制して、キャリア濃度と局所的電気特性との相関を正確に求めることができる。 （もっと読む）