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Fターム[4M106DA08]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 不良素子識別装置 (308) | マーキングヘッド (65) | インカー、スクラッチ式 (8) | ダイヤモンドによるもの (2)

Fターム[4M106DA08]に分類される特許

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【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 (もっと読む)


【課題】SEM、またはAFM等の評価装置でのアライメントの精度を高め、ウェーハの分析評価を効率的に行うことができるウェーハの評価方法および評価装置を提供。
【解決手段】ウェーハ表面および表面近傍に存在する結晶欠陥を予め検査したのち、分析評価するウェーハの評価方法において、検査対象であるウェーハ表面をレーザ散乱光方式の走査装置(パーティクルカウンタ)で検査する第1の検査工程と、前記ウェーハ表面に少なくとも3点のマーキングを行い、コンフォーカル光学系による走査装置(レーザ顕微鏡)で検査する第2の検査工程と、前記マーキングを利用して、前記第2の検査工程で検出した位置座標とより高い倍率による評価装置で用いるステージ座標とをアライメントしたのち、前記ウェーハ表面を分析する評価工程と、を有するウェーハの評価方法である。 (もっと読む)


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