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Fターム[4M106DA15]の内容

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Fターム[4M106DA15]に分類される特許

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【課題】オフラインでダイ供給装置の突き上げピンの突き上げ動作や吸着ノズルのダイ吸着動作に関するデータをセットアップできるようにする。
【解決手段】ウエハパレットをセットするセット台と、該セット台にセットしたウエハパレットのダイシングシート34上のダイ31を吸着するテスト用吸着ノズル51と、ダイシングシート34のうちのテスト用吸着ノズル51で吸着しようとするダイ31の貼着部分を突き上げるテスト用突き上げピン53と、ダイシングシート34上のダイ31を撮像するテスト用カメラ54とを備えたウエハ関連データ作成装置47を使用し、ウエハ関連データの作成対象となるウエハパレットをウエハ関連データ作成装置47のセット台にセットし、テスト用カメラ54で撮像した画像の処理、テスト用突き上げピン53の突き上げ動作及びテスト用吸着ノズル51のダイ吸着動作を実行してウエハ関連データを作成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部12は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第1の測定結果データ(例えば、第1の設定条件での検査における比較電圧VREFの測定値VR1と、温度特性を持つ出力電圧VPTATの測定値VP1等。)と、第2の測定結果データ(例えば、第2の設定条件での検査における比較電圧VREFの測定値VR2と、出力電圧VPTATの測定値VP2等。)とを得る。その後で、制御部13は、第1の測定結果データと第2の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果(TSD機能動作温度TP3)を、その上限値TP3H(℃)および下限値TP3L(℃)と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 (もっと読む)


【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所F1,F2が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所F3〜F6(図中、点線で示す)が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所(欠陥箇所F6,F3)を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 (もっと読む)


【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置200は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ(1)に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップBを作成するWPフィルタ処理部56と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップCを作成するLPフィルタ処理部58と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ(2)に対し、LPフィルタ処理をおこなって位置ずれマップCを作成するLPフィルタ処理部64と、位置ずれマップAと位置ずれマップBの差分に位置ずれマップCを加算することによって合成して位置ずれマップDを作成する合成部66と、を備える。 (もっと読む)


【課題】検査速度の低下を伴うことなく、かつ装置容積に占める信号処理部の比率を増加させることなく、データメモリのオーバーフローを回避し、ウエハ全面の検査データを取得するが可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】後処理手段111のブロック化手段300は前処理手段からのデータを任意のデータ数で1ブロックとし1ブロックで1データを取り出す。ブロック化手段300は状態監視手段302の指示でブロック化数を変更する。閾値処理手段301は設定閾値に従いブロック化手段300からのデータに対し閾値を越えた場合にデータを取得しメモリ303へ送る。状態監視手段302はメモリ303の空容量を監視しメモリ303内の空き容量の減少を検知した場合ブロック化手段300に対し、メモリ303がオーバーフローしないように1ブロックのデータ数を増加させる。 (もっと読む)


【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に1未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程(S101)と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程(S102)と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程(S103)と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性不良を精度よく検出することができる半導体装置の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、第1ウエハ検査工程と、2ウエハ検査工程と、判定工程とを含む半導体装置の検査方法が提供される。第1ウエハ検査工程は、複数個の半導体装置に同時にプローブ針を接触させるプローブカードを用いて半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性を検査する。第2ウエハ検査工程は、第1ウエハ検査工程によって特性不良と判定された半導体装置の半導体ウエハ上の分布に基づいて、プローブカードの半導体ウエハに対する位置を第1ウエハ検査工程の位置からずらして、半導体装置の特性を再検査する。判定工程は、第2ウエハ検査工程による再検査の結果に基づいて、半導体装置の特性不良のうち、複数個の半導体装置単位で行われる製造処理において生じる特性不良を判定する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム501にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム502にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム503にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム504にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム506にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する2次元画像生成手段(32)を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段(34)に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段(36)に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類手段(50)と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類手段(51)とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの歩留まりに大きな影響を及ぼさない欠陥を排除し、それらに対処するために掛かっていた製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】第1の検査対象物が欠陥を含むか否か検査するステップST11Aと、検出された欠陥を特長毎に分類し、欠陥の特長毎に欠陥の個数を算出するステップST11Bと、ウェハ上の半導体デバイスの電気的特性を測定し、ウェハ上における半導体デバイスの不良マップを作成するステップST12B,ST12Cと、不良マップと検査対象物の欠陥の位置とを照合し、半導体デバイスの電気的不良確率を算出するステップST13,ST14と、電気的不良確率を用いて第2の検査対象物の使用の適否を判定するステップSTnとを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の歩留りを効率的に、かつ高精度に算出する。
【解決手段】薄膜を一様に形成した半導体ウェハ2の画像データを取得し、品種ごとに形成された欠陥識別データ38と製品パターン39とを用いて、薄膜に形成された欠陥を抽出する。欠陥識別データ38は、半導体装置の電気特性に影響を与える欠陥サイズの情報であり、製品パターン38は、回路パターンが疎な領域をマスクしたパターンである。さらに、抽出した欠陥が存在するチップの数から歩留り率の予想値を算出し、その品種に必要とされる規定の歩留り数と比較して半導体ウェハ2の良否を判定する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をLPDとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でLPDの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてLPDの検出を繰り返し、LPDの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でLPDの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて2回以上検出された、LPDの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりよく積層デバイスを製造可能な積層デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハをm枚(mは3以上の整数)準備する半導体ウエーハ準備ステップと、m枚の半導体ウエーハにおいて、良品、不良品マップ12A、12B、12C、12Dを半導体ウエーハ毎に作成するマップ作成ステップと、該m枚の半導体ウエーハから該所定数nの半導体ウエーハを選択して積層し、半導体デバイス中に不良品半導体デバイス16bが含まれる数が最も少なくなる組み合わせを検出する組み合わせ検出ステップと、該組み合わせ検出ステップで検出した半導体ウエーハの組み合わせに従って、該所定数nの半導体ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した該積層ウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して、該所定数nの半導体デバイスが積層された積層デバイスを形成する分割ステップと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】空間的な広がりをもつ製造物について特性値の分布の変動発生要因としてプロセス項目を特定できる要因分析方法を提供すること。
【解決手段】複数の製造物の特性分布データに基づいて、パターン分類手法によって、特性分布データにおける変動の特徴を表す複数の構成成分を抽出するとともに、特性分布データの各々に対して、複数の構成成分がその特性分布データを表すのに寄与する重み係数をそれぞれ算出する(S1)。算出された重み係数に基づいてまたは入力指示に応じて、複数の構成成分のうち分析対象とすべき構成成分を少なくとも一つ選択する(S2)。選択された構成成分に関する重み係数とプロセス項目毎に取得された製造データとに基づいて、特性分布データにおける変動発生要因としてのプロセス項目を抽出する(S3)。 (もっと読む)


【課題】個片のLED素子の発光波長がばらつく場合にあっても、LEDパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるLEDパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のLED素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報12、規定の発光特性を具備したLEDパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報12とを対応させた樹脂塗布情報14を予め準備し、部品実装装置M1によって実装されたLED素子の基板における位置を示す実装位置情報71aと素子特性情報12とを関連付けたマップデータ18をマップ作成処理部74によって基板毎に作成し、樹脂が塗布された完成品を対象として発光特性検査装置M7によって検査され樹脂塗布装置M4にフィードバックされた検査結果に基づいて樹脂塗布情報14を更新する。 (もっと読む)


【課題】個片のLED素子の発光波長がばらつく場合にあっても、LEDパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるLEDパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のLED素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報12、規定の発光特性を具備したLEDパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報14を予め準備し、部品実装装置M1によって実装されたLED素子の基板における位置を示す実装位置情報71aと素子特性情報12とを関連付けたマップデータ18をマップ作成処理部74によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置M4において、マップデータ18と樹脂塗布情報14に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各LED素子に塗布する。 (もっと読む)


【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 (もっと読む)


【課題】半導体処理中のオンザフライ自動検出分類(ADC)システムおよび方法を提供する。
【解決手段】このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ(21)が検査を受けるウェーハ(22)の狭い領域を照明する。4つの均等に配置した暗視野検出器、例えば、光電子増倍管またはCCD(26〜29)が、それぞれの視野が重複して検出ゾーンを形成するようにウェーハの縁に載置される。1以上の検出器(26〜29)の方向に散乱された光が集光され、アナライザモジュール(34)に伝送される電気信号に変換される。アナライザモジュール(34)は、ウェーハにある欠陥を検出し、それらを異なる欠陥タイプに分類するように作用する。任意に、システムは、暗視野検出器も含む。 (もっと読む)


【課題】不良の原因と考えられる製造条件を的確に抽出可能な半導体装置の不良解析方法を提供する。
【解決手段】ウェーハにおける検査単位ごとの不良率データ及びウェーハの製造条件に関する情報を計算機に読み込み、この不良率データの製造条件に対する統計検定を計算機で行う。そして、製造条件の情報ごとに統計検定の結果を集めて計算機から出力する。統計検定の結果は、例えば、ウェーハの面内の位置に対応したマップデータにして出力される。 (もっと読む)


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